18 марта 2020 года

состоялось очередное заседание президиума Российской академии наук

Председательствует на заседании президент РАН академик РАН А.М. Сергеев.

Члены президиума заслушали научное сообщение «К 90-летию академика РАН Ж.И. Алферова».

«Жорес Иванович Алфёров. Жизнь и деятельность Нобелевского лауреата». Академик РАН Геннадий Яковлевич Красников, академик-секретарь ОНИТ РАН.

Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР. Его родители были убежденными коммунистами и потому свое имя Жорес получил в честь известного французского социалиста, основателя Объединенной социалистической партии Франции Жана Жореса, а старшего брата родители назвали Марксом в честь Карла Маркса. Во время войны семья Алфёровых жила в Свердловской области. Отец, бывший командир кавалерийского полка Красной Армии, работал директором оборонного завода, производящего пороховую целлюлозу.

Старший брат Маркс ушел добровольцем на фронт в 17 лет прямо со студенческой скамьи. Маркс Алфёров воевал командиром взвода и роты под Сталинградом, на Курской дуге, был награжден орденом Красной Звезды и медалью «За отвагу». В октябре 1943 г. он провёл три дня с семьёй в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт. И эти три дня, фронтовые рассказы старшего брата, его страстную юношескую веру в силу науки и инженерной мысли Жорес запомнил на всю жизнь. Маркс Алфёров погиб 15 февраля 1944 года в бою у деревни Хильки в последние дни Корсунь-Шевченковской операции, похоронен в братской могиле. По словам Жореса Ивановича, сила духа и моральные качества старшего брата оказали большое влияние на формирование его характера: «Он был человеком более талантливым, более целеустремленным и чистым, чем я».

После войны семья Алфёровых вернулась в Минск. Там будущий ученый учился в средней школе. Его учитель физики сыграл огромную роль в его дальнейшей жизни: «он перевернул меня, и мне захотелось заниматься физикой и электроникой после того, как он рассказал мне про катодный осциллограф и локацию». Теперь эта школа носит его имя — минская гимназия №42 имени лауреата Нобелевской премии Ж.И. Алфёрова.

Закончив школу с золотой медалью, он отучился год в Белорусском политехническом институте, после чего поехал поступать в ленинградский ЛЭТИ, куда его приняли на второй курс факультета электронной техники без экзаменов. В то время институт был одним из «пилотных» вузов в области отечественной электроники и радиотехники.

Там, начав в 1950 году экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, незадолго до этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприёмников в ИК-области спектра, Ж.И. Алфёров впервые столкнулся с полупроводниками, ставшими главным делом его жизни. В 1952 году он с отличием окончил ЛЭТИ по специальности «электровакуумная техника».

В декабре 1952 года в ЛЭТИ проходило распределение. Жорес Иванович мечтал работать в Ленинградском физико-техническом институте Академии наук СССР (ЛФТИ), которым руководил его основатель — академик Абрам Иоффе и где в разные годы работали академики Игорь Курчатов и Юлий Харитон и нобелевские лауреаты Петр Капица и Лев Ландау.

30 января 1953 года Жорес Иванович начал работать в Ленинградском физико-техническом институте ЛФТИ. В лаборатории советского физика Владимира Тучкевича, ставшего потом академиком и Героем Социалистического Труда, он занимался разработкой первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов. В мае 1953 года первые советские транзисторные приёмники демонстрировались «высокому начальству», а в октябре в Москве работу принимала правительственная комиссия. В очень короткое время в лаборатории доктора физ.-мат. наук профессора В.М. Тучкевича были созданы первые советские германиевые силовые выпрямители, германиевые фотодиоды и кремниевые солнечные батареи, исследовано поведение примесей в германии и кремнии.

В мае 1958 году к Ж.И. Алфёрову обратился Анатолий Петрович Александров с просьбой разработать полупроводниковые устройства для первой советской атомной подводной лодки «Ленинский комсомол». Для решения этой задачи нужны были принципиально новые технология и конструкция германиевых вентилей. За выполнение этой задачи в 1959 году Ж.И. Алфёров получил свою первую награду — орден «Знак Почета».

Тогда же он начал изучать физику полупроводников и гетероструктур.

Работая в институте Иоффе, Жорес Иванович защитил свою кандидатскую диссертацию, посвящённую разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей в 1961 году. В 1970 году он защитил докторскую диссертацию на тему «Гетеропереходы в полупроводниках», в которой обобщил новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках и создал первый в мире гетеролазер на известной теперь во всем мире гетеропаре галлий арсенид — алюминий-галлий арсенид (GaAs — AlGaAs).

Занятия прикладной наукой у Жореса Ивановича шли параллельно с преподавательской работой. В 1972 году Жорес Иванович стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. Он возглавлял кафедру 30 лет, а ее преподавателями были известные ученые. Время создания базовой кафедры совпало с периодом интенсивного развития информационных технологий, базирующихся на достижениях электроники и оптоэлектроники.

Зимой 1971 года Алфёров улетел в США, где Франклиновский институт за разработку гетеролазера присудил ему медаль Стюарта Баллантайна. Её лауреатами были известные учёные, в том числе 11 лауреатов Нобелевской премии.

В 1972 году он получил Ленинскую премию за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе.

В 1987 году он возглавил Физико-математический институт им. А.Ф. Иоффе и руководил им по 2003 год, а до 2006 года оставался председателем учёного совета института. В ФТИ им. Иоффе под его руководством была разработана новая конструкция лазеров с использованием технологии гетероструктур с предельным размерным квантованием — это сделало Россию лидером в данной области.

В 1988 году он стал деканом физико-технического факультета Ленинградского, затем — Санкт-Петербургского государственного политехнического университета (СПбГПУ).

Жорес Иванович — почетный доктор более 60 университетов в мире, автор сотен научных работ, трех монографий и 50 изобретений. Среди его учеников более ста кандидатов и докторов наук. Наиболее известные представители школы: члены-корреспонденты РАН Д.З. Гарбузов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков; доктора физ.-мат. наук: В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С.А. Гуревич, Ю.В. Жиляев, П.С. Копьев и др.

За свои заслуги Жорес Иванович был принят почетным членом многих российских и иностранных академий, в том числе Академии Наук Республики Беларусь, Академии наук Украины, Оптического общества (США), единственный из российских ученых, кто был избран в 1990 г. иностранным членом Академии наук США и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США, Академии науки и технологии Кореи, Испанской инженерной академии, Национальных Академий Наук Азербайджана, Казахстана, Литвы и Молдовы, Польской и Болгарской Академий наук, Академии наук «Forty» (Италия), Академии наук Китая.

В 1972 году Жорес Иванович Алфёров был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1979 году — академиком Академии наук СССР. В 1990-1991 годах он был вице-президентом АН СССР, с 1991 по 2017 год — вице-президентом Российской академии наук.

От Академии наук СССР Ж.И. Алфёров активно занимался отечественной электронной промышленностью на этапе ее становления и развития в 1970-80 гг. Он плотно общался не только со всеми советскими министрами электронной промышленности, но и с видными иностранными учеными в этой области. С американским физиком Джоном Бардиным, лауреатом Нобелевской премии за изобретение транзистора совместно с Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном, с изобретателем первого полупроводникового светодиода Ником Холоньяком и многими другими.

В 1960 году Жорес Иванович организовал передачу на саранский завод «Электровыпрямитель» технологии производства силовых приборов и в Саранске очень тепло о нем вспоминают. Он работал с белорусскими предприятиями — с «Планаром», который разрабатывает оборудование для микроэлектронного производства и другими.

В 2000 году Шведская королевская академия наук удостоила Жореса Ивановича Алфёрова совместно с немецким физиком Гербертом Кремером Нобелевской премией «За разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике».

На рубеже тысячелетий стало очевидно, что будущее информационных систем за компактными и быстрыми устройствами, которые позволяет передавать огромное количество информации за короткий промежуток времени. Созданные на базе исследований Алфёрова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Благодаря открытию стало возможным создание волоконно-оптической связи и высокоскоростного доступа в Интернет, а значит, и формирование целых промышленных отраслей и всей нашей современной жизни. Благодаря исследованиям Ж.И. Алфёрова фактически создано новое направление: гетеропереходы в полупроводниках.

Жорес Иванович был очень многогранной личностью и помимо научной работы вел активную общественно-политическую деятельность. С 1989 по 1992 год он был депутатом Верховного совета СССР от Академии наук СССР. C 1995 года — депутат Государственной думы Федерального собрания РФ, член комитета по образованию и науке. В своей политической деятельности неизменно отстаивал интересы российской науки и Академии.

Любимым «детищем» Жореса Ивановича был Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ректором-основателем которого он стал в 2002 году. Ранее он был известен как Научно-образовательный центр ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. В 2009 году университет был реорганизован путём присоединения к нему Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, лицея «Физико-техническая школа» при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН и получил современное название. Сегодня университет носит имя своего основателя — Жореса Ивановича Алфёрова. В 2004 году он основал и возглавил кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологии и телекоммуникаций (ИФНиТ) университета. Был научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ.

В 2010 году Жорес Иванович был назначен научным руководителем инновационного центра в Сколково. Тогда же, в 2010 году он стал сопредседателем Консультативного научного Совета Фонда «Сколково». Как сопредседатель Консультативного научного совета Фонда он был инициатором выездных заседаний в Америке, в Германии, в Израиле, почти во всех странах СНГ.

«Успех «Сколково», как не территории, а идеологии, будет связан, на самом деле, с очень непростым, в том числе и для российских ученых, симбиозом нашей научной общественности, научных работников с бизнесом, с научным бизнесом. Большой успех будет связан только с тем, что мы найдем такие проекты, которые дают возможность выйти на совершенно новые рубежи. Здесь важно сегодня сосредоточиться на медико-биологических исследованиях, в которые очень активно идут информационные, полупроводниковые технологии, наноструктуры».

Жорес Иванович Алфёров имеет множество правительственных и международных наград и премий: он был лауреатом государственных премий, полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством», был награжден орденом Ленина, высокими наградами Белоруссии, премиями мировых научных сообществ: премией Киото, Карпинского, Холоньяка и многими другими.

В 2019 году Президент РФ В.В. Путин подписал Указ «Об увековечении памяти Ж.И. Алфёрова». Отмечая выдающийся вклад Ж.И. Алфёрова в развитие отечественной и мировой науки, Президент поручил учредить 10 персональных стипендий имени Ж.И. Алфёрова для молодых ученых в области физики и нанотехнологий, присвоить имя Ж.И. Алфёрова «Санкт-Петербургскому национальному исследовательскому Академическому университету» РАН, установить мемориальную доску, посвященную Ж.И. Алфёрову, а также назвать его именем одну из улиц Санкт-Петербурга.

Уход из жизни Жореса Ивановича стал невосполнимой утратой не только в России, но в масштабах всего мира. Благодаря энергии и таланту Жореса Ивановича свершились важные открытия и прорывы в научном знании, создавшие основу современного высокотехнологичного мира. Он был не только выдающимся ученым, но и настоящим гражданином нашей страны, гражданином «с большой буквы». Он всегда твердо отстаивал свои взгляды на всех уровнях. Нам сегодня таких людей очень не хватает. Хотелось бы, чтобы память о нем навсегда осталась в наших сердцах и в истории России.

х х х

«Жорес Алферов и его школа физики и технологии полупроводниковой гетероструктурной фотоники». Д.ф.-м.н. С.В. Иванов — директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Роль Жореса Ивановича Алферова в создании нового направления в физике полупроводников — физики и технологии полупроводниковых гетероструктур — трудно переоценить. Его открытие и экспериментальные доказательства преимуществ контролируемого управления профилем энергетических зон в полупроводниках с использованием идеальных гетеропереходов привели к созданию широкого спектра новых полупроводниковых электронных и оптоэлектронных устройств с характеристиками, радикально превосходящими таковые у приборов на основе объемных полупроводниковых материалов. Эта новая гетероструктурная элементная база очень быстро изменила лицо современного мира и открыла эпоху телекоммуникационных технологий. Награждение его вместе с Гербертом Крёмером и Джеком Килби Нобелевской премией по физике в 2000 году за «фундаментальную работу, заложившую основы современных информационных технологий, особенно в области разработки полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокоскоростной и оптической электронике», продемонстрировало высокую оценку человечеством его научного вклада.

Помимо области полупроводниковых гетеролазеров, где группой Ж.И. Алферова, работавшей в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, в конце 60-х — начале 70-х годов прошлого века были получены основные приоритетные на мировом уровне результаты по непрерывным лазерам на основе двойных гетероструктур AlGaAs, работающим при комнатной температуре. Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 стали основой современной микро- и оптоэлектроники, солнечной энергетики, фотосенсорики, силовой электроники, оптических коммуникаций и информационных технологий. Благодаря научно-техническим усилиям и активной просветительской деятельности Ж.И. Алферова и его коллег, эти научные разработки ФТИ в течение 3-5 лет были доведены до промышленного внедрения в отраслевых институтах и на предприятиях в СССР, а параллельно и в передовых компаниях США и некоторых европейских стран. В 1986 году первая советская орбитальная космическая станция была оснащена энергоблоком на основе гетероструктурных солнечных преобразователей GaAs/AlGaAs, прослуживших исправно 15 лет.

С открытием в США новых эпитаксиальных технологий, таких как МОС-гидридная и молекулярно-пучковая (МПЭ) эпитаксии, которые оказались в состоянии создавать совершенные гетероструктуры с контролем химического состава и легирования на уровне 1 атомного слоя, Ж.И. Алферов инициировал в ФТИ им. А.Ф. Иоффе активные работы в этом направлении в начале 80-х годов, в которые наряду со своими опытными коллегами направил своих учеников — выпускников базовой кафедры оптоэлектроники ФТИ, созданной им в его родном университете — ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина). В дальнейшем, в постперестроечное время, эти исследовательские группы пополнились физиками и технологами нового поколения, получившими образование в Политехническом и Академическом университетах. Наступила эра квантовых нанотехнологий, одним из первых продуктов которой стали лазерные диоды (ЛД) с раздельным ограничением области генерации (квантовой ямы) и области распространения излучения (волновод на основе полупроводниковой сверхрешетки), разработанные в ФТИ в 1987 г. и продемонстрировавшие сверхнизкие недостижимые ранее пороговые токи.

Изготовление на этой базе в ФТИ методом МПЭ первых в мире ЛД с самоорганизующимися квантовыми точками (КТ), первоначально реализованных с помощью КТ InAs для ИК и телекоммуникационного спектрального диапазона, а затем с КТ CdSe/ZnSe для видимого сине-зеленого диапазона, позволили достичь более длинных волн по сравнению с лазерами на квантовых ямах, более высокой термостабильности и более низкого порогового тока.

В течение последних нескольких десятилетий учениками «Алферовской школы» в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, а затем и в Академическом университете, был существенно расширен спектр создаваемых приборов гетероструктурной фотоники и оптоэлектроники, использующих низкоразмерные гетероструктуры, также был расширен и ряд используемых полупроводниковых материалов и, соответственно, перекрываемый спектральный диапазон — от среднего ИК до глубокого УФ (на основе AlGaN).

В докладе кратко представлены новые разработки ФТИ им. А.Ф. Иоффе в области высокоэффективных трехкаскадных солнечных элементов А3В5/Ge для космического и наземного применения, мощных полупроводниковых лазеров и приемо-передающих модулей для оптоволоконных фотонных энергоинформационных трактов, вертикально-излучающих лазеров для компактных стандартов частоты и ядерных магнитных гироскопов на 890-895 нм, элементов полупроводниковой фотоники среднего УФ диапазона 230-300 нм на основе наногетероструктур AlGaN: фотокатодов, фотодиоды, источников мощного спонтанного и стимулированного излучений и, наконец, первых в России высокоэффективных источников одиночных фотонов с наноантеннами, излучающих в диапазоне 0.48-1.3мкм, на основе разреженных массивов КТ InAs и А2В6 – CdTe и CdSe. Результаты данных передовых НИР будут активно использоваться в рамках реализации ОКР и опытно-промышленных разработок с использованием современного полупромышленного оборудования в создаваемом ФТИ им. А.Ф. Иоффе НИОКР-центре, завершение строительства и технического перевооружения которого намечено на конец 2020 г.

х х х

 «Он был среди нас запевалой. Жорес и его команда». Академик РАН Ю.В. Гуляев, научный руководитель Института радиотехники и электроники, директор-организатор Института нанотехнологий микроэлектроники (ИНМЭ РАН), дважды лауреат Государственной премии СССР.

Так вышло, что в 1970 году к нам на отзыв поступила докторская диссертация Жореса Алфёрова, как в ведущую организацию — в Институт радиотехники и электроники Академии наук СССР, этот отзыв поручили готовить мне. А оппонент на то и оппонент, чтобы даже на Солнце найти пятна. Но, увы: масштаб и глубина его работы произвели впечатление и на меня, и на моих коллег. Жорес Алфёров уже тогда предложил к реализации полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре из арсенида галлия с алюминием. И буквально вскоре это произвело переворот в способах передачи, приёма и обработки огромных массивов информации.

Алфёров блестяще защитился и стал доктором физико-математических наук. А в 1972-м вместе со своей физтеховской командой был отмечен Ленинской премией. Благодаря, как теперь говорят, харизме, и глубоким фундаментальным знаниям он смог собрать вместе плеяду замечательных учёных: Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис, Е.Н. Портной, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков. Его находчивость органично сочеталась с лидерскими качествами — и в повседневной жизни, и в той области науки, которую Жорес для себя избрал. Заводила в компании друзей, он был запевалой и на работе. Исследовательский коллектив под его руководством задал, по сути, новое глобальное направление в электронике — гетероструктурную электронику.

Напомню для примера, как был создан миниатюрный усилитель сверхвысокочастотных сигналов СВЧ, который играет решающую роль в сотовых телефонах. Не секрет, что принцип сотовой телефонной связи был предложен фирмой Бэлл в США ещё в 1943 году. Но долгое время приёмно-передающие устройства такой подвижной радиосвязи (то, что теперь именуют сотовыми телефонами) были очень громоздкими — главным образом, из-за тяжёлых усилителей сигналов в диапазоне СВЧ и других элементов обработки информации — они едва помещались в багажнике автомобиля и должны были специальным защитным экраном отделяться от людей (абонентов).

И лишь после того, как в 1969 году Жоресом Алфёровым и его командой был создан миниатюрный СВЧ-усилитель, а в моей лаборатории и, параллельно, в нескольких лабораториях за рубежом удалось получить миниатюрные СВЧ-фильтры на так называемых поверхностных акустических волнах, стало возможным разместить сотовый телефон в дамской сумочке или просто в кармане. Однако пройдет еще почти двадцать лет прежде, чем в Москве зазвонит первый сотовый телефон — уже в привычном для нас понимании, а мы с Жоресом в один день почувствуем себя именинниками.

В 1989 году состоялись выборы на Съезд народных депутатов СССР. Наши пути, уже как народных депутатов, сошлись в подкомитете Верховного Совета СССР по вопросам связи и информатики: меня избрали передседателем, Жорес Иванович активно включился в работу.

Нам поручили создать в Кремлёвском Дворце съездов, как он тогда назывался, электронную машину для голосования на 6 тысяч мест. Мы разработали и создали такую машину, которая и сегодня, по моим данным, является одной из самых больших систем для электронного голосования в мире. По ходу дела она совершенствовалась, и в день открытия очередного съезда Михаил Сергеевич Горбачев вызвал меня на трибуну, чтобы я объяснил депутатам — как этим пользоваться.

Вторая по срочности, но куда более глобальная задача, которую поставили перед нашим подкомитетом, объединялась общим термином «информатизация» — Советского Союза в целом, а также важнейших сфер в приоритетном порядке. Среди приоритетов — развитие современных систем телекоммуникаций. Что мы тогда имели? На сто жителей СССР приходилось в среднем девять стационарных телефонов, в то время как даже в Республике Зимбабве на то же число населения было 13 телефонных аппаратов, не говоря уже о европейских странах, США, Японии с их 100%-й телефонизацией. А что уж говорить о сотовых телефонах! В разработку технологий их создания большой вклад внесли, как я уже говорил, советские учёные, но в самом СССР про них ничего не было известно.

Так или иначе, мы работали, не считаясь с выходными и летними отпусками — и в нашем подкомитете, с участием ведущих экспертов в области информатики и связи, была подготовлена такая программа. Участие Жореса было очень продуктивным — на пользу дела шли его научный авторитет и широчайшие контакты со специалистами в области радиоэлектроники, информатики, связи. Никто, как Алферов, не умел наводить мосты — и в нашей стране, и за рубежом.

Первым пунктом программы — в 1989 году! — значилась цифровизация. То есть переход на цифровые методы обработки информации — в частности, цифровые радио и телевидение, цифровые телекоммуникации, в том числе цифровые телефоны. Тридцать лет назад мы предлагали ровно то, что по-настоящему начинается только сейчас.

Вторым по важности направлением считали развитие и максимально широкое использование световолоконных систем телекоммуникаций, особенно на магистральных линиях связи. И тут, конечно, нельзя не упомянуть (потому что без него не обойтись) полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре — изобретение Жореса и его команды.

Говоря о световолоконных линиях связи, мы понимали: на огромных пространствах СССР с очень контрастной плотностью населения их прокладка и содержание не всегда оправданы с экономической точки зрения. Отсюда третье важнейшее направление как альтернатива — использование искусственных спутников Земли для телекоммуникаций, радио, телевидения, систем навигации — с учетом наших достижений в космосе.

Четвертое направление — упомянутая мной сотовая телефонная связь. Уже в 1989 году мы имели обоснование, что с экономической точки зрения в СССР более выгодно сразу внедрять сотовую связь (которая была ещё дорогой), вместо того, чтобы тянуть медные провода, ставить столбы и долбить стены промышленных зданий, госучреждений и жилых домов. Такие расчеты были проведены для Москвы и Московской области, а также для ряда других регионов СССР, в том числе и с малой плотностью населения.

Но, увы, не было тогда в СССР производства сотовых телефонов, волоконных линий связи и оборудования для них. Оптимальным для тех лет решением в Минсвязи СССР сочли международный тендер на создание сотовой телефонной связи в Москве. Его выиграла финская компания Nokia и 10 октября 1989 года в столице СССР зазвонил первый сотовый телефон.

И для меня, и для Жореса этот день был праздничным…

Сегодня в России на 140 миллионов населения более 300 миллионов сотовых телефонов — «мобильников», как теперь говорят. Правда, все они — зарубежного производства. Почему в России так и не смогли наладить конкурентное производство своих сотовых телефонов, рассуждений было много, повторять не хочется. Сошлюсь лишь на сказанное с кремлевской трибуны Жоресом Алфёровым на втором съезде народных депутатов СССР 14 декабря 1989 года (уже после того, как в Москве зазвонил первый сотовый телефон от фирмы Nokia): мы построили «на основе самой материалистической в мире философии самую идеалистическую, в худшем смысле слова, в мире экономику».

В депутаты российской Думы я уже не пошел, а Жорес Алфёров рассудил по-своему. Он не переставал верить, что в новой России можно что-то серьезное сделать по-новому. Например, создать такой научно-образовательный комплекс, в котором была бы на современном уровне реализована известная еще с петровских времен связка: «лицей, университет, наука и промышленность». И ради этого поддался на уговоры тогдашнего главы правительства Виктора Черномырдина пойти в Госдуму от партии «Наш дом — Россия»

Надо отдать должное — Черномырдин слово сдержал, и Жорес получил стартовые средства на строительство Научно-образовательного центра ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН, как он с 1997 по 2002 год назывался. Наиболее активно и последовательно деятельность Алфёрова в этом направлении поддерживали в думской фракции КПРФ, включая Ивана Мельникова и Геннадия Зюганова. Депутаты именно этой фракции, находясь в меньшинстве, не переставали поддерживать науку в России и выступали против попыток её непродуманного «реформирования». Думаю, это и определило выбор Жореса Алфёрова в 1999 году, когда он — еще не Нобелевский лауреат! — решил баллотировался в Госдуму по списку КПРФ. И был, разумеется, избран. Тем самым дал прямой и публичный повод зачислить его в оппозицию действующей власти.

При всем том, что Жорес искренне придерживался коммунистической идеологии, считая её (так, это представлено в «Коммунистическом манифесте», то есть в идеале) более справедливой и правильной — он сам ни романтиком, ни догматиком не был: поступал как реалист и даже прагматик, когда требовали интересы дела. Больше всего Алфёрова мучил вопрос: почему в России с её огромными природными ресурсами и человеческим потенциалом нет желаемого роста ни в экономике, ни в социальной сфере.

Новый тип образовательного комплекса — Академический университет с лицеем — это, безусловно, рукотворный памятник, который он себе воздвиг, несмотря на возникавшие барьеры, непонимание и формальные ограничения со стороны чиновников от образования и науки.

При высоких должностях в науке и большом количестве почетных званий Жорес при жизни сам не был памятником, не «бронзовел» и величием не кичился — до последних дней оставался живым в общении, любил хорошую компанию. Для меня Жорес был близким другом. И теперь, когда нет возможности его увидеть, обнять или хотя бы позвонить, это сознаешь особенно остро.

В обсуждении докладов выступили:

д.филос.н. Г.А. Зюганов — председатель КПРФ, руководитель фракции КПРФ в Государственной Думе; д.ф.-м-.н. С.В. Иванов — директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН; чл.-корр. В.М. Устинов, ак. Ю.В. Гуляев, ак. Р.А. Сурис, ак. А.Г. Забродский.

х х х

Члены Президиума заслушали научное сообщение «О реализации государственной научно-технической политики в Российской Федерации».

Сообщение члена-корреспондента РАН Владимира Викторовича Иванова.

х х х

На заседании рассмотрен вопрос о присуждении ученой степени доктора honoris causa иностранному ученому Лю Чженья (представление Отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления).

Лю Чженья родился 2 августа 1952 года. Профессор Шаньдунского университета, почетный профессор Северо-Китайского университета электроэнергетики, действительный член Шведской королевской академии наук. В 1976 году окончил факультет электроэнергетики Шаньдунского политехнического института и преподавал в нем, был президентом государственной электросетевой корпорации Китая, крупнейшей в мире. В настоящее время является председателем Организации по развитию и кооперации в области глобального энергообъединения (GEIDCO), председателем китайского комитета Комиссии международной глобальной электросети.

Лю Чженья — всемирно известный специалист в области электротехники. Наиболее важные его научные исследования лежат в области электрофизических процессов в протяженных проводниках, преобразовательных и коммутационных устройствах при ультравысоком напряжении — УВН (постоянный ток +/- 800 кВ и выше и переменный ток 1000 кВ и выше). Им лично и под его руководством были получены базовые научно-технические знания, необходимые для проектирования линий электропередачи (ЛЭП) УВН на переменном и постоянном токе, в том числе, по таким важнейшим вопросам, как предельные значения параметров электромагнитной среды, уровни перенапряжений, компенсация реактивной мощности, конфигурация электроизоляции, грозозащита и др., созданы демонстрационные установки и испытательные полигоны, разработана признанная во всем мире методика стандартизации УВН.

Научные результаты и разработки Лю Чженья позволили Китаю создать мощную электротехническую промышленность и стать мировым лидером в области электротехники УВН. При непосредственном руководстве Лю Чженья в Китае было разработано и освоено производство всех основных элементов ЛЭП УВН, включая преобразовательные вентили на основе мощных высоковольтных тиристоров и системы управления ими, преобразовательные трансформаторы, сглаживающие реакторы и фильтры постоянного и переменного тока, устройства компенсации реактивной мощности, системы автоматического регулирования и защиты на базе высокопроизводительной микропроцессорной техники и др., и в итоге сформирована крупнейшая в мире электрическая сеть УВН на переменном и постоянном токе. Это вывело китайскую электротехнику на передовые позиции в мире и открыло в мировой электроэнергетике новую эру — эру УВН.

Написанные Лю Чженья монографии по основам электротехники УВН, передаче электроэнергии постоянным током на УВН, созданию глобальной электроэнергетической системы были переведены на английский и русский языки. Он руководил подготовкой более 20 научных диссертаций, имеет 6 ключевых патентов в области электротехники УВН, является главным редактором ряда научных журналов.

Усилиями Лю Чженья активно развивается российско-китайское научно-техническое сотрудничество в области электротехники УВН и создания электрических систем УВН.

х х х

Члены президиума обсудили и приняли решения по ряду других научно-организационных вопросов.