На торжественном заседании учёного совета, посвящённом шестидесятилетию Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, ведущие российские учёные, представители власти и промышленности рассказали о взаимодействии с НИИ, обозначили важнейшие достижения, отметили основополагающую роль основателя Института академика Анатолия Ржанова в развитии научного центра.

Директор ИФП СО РАН академик Александр Васильевич Латышев подчеркнул, что результаты Института всегда были востребованы промышленностью, и в особенности сегодня, когда полупроводниковые инновации определяют развитие современного цифрового мира.

О том, что прогресс в области физики полупроводников важен для всех существующих индустрий, говорил и старейший сотрудник ИФП СО РАН член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный. Он сказал, что юбилей — это и повод вспомнить лидеров, заложивших научный фундамент института, и мотив настроиться на дальнейший рост: «Хочу поздравить вас, пожелать новых успехов в развитии нашей любимой полупроводниковой науки и техники! Ура Институту!».

Главный научный сотрудник лаборатории теоретической физики ИФП СО РАН академик Александр Владимирович Чаплик провёл параллель с живыми системами, заметив: «Как и большинство высших организмов (эукариот), Институт произошёл в 1964 году в результате объединения двух начал — Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники (ИФТТиПЭ СО АН), который возглавлял Анатолий Васильевич Ржанов, и Института радиофизики и электроники (ИРЭ СО АН), директором его был Юрий Борисович Румер. Объединённый коллектив сначала был сконцентрирован на исследовании поверхности полупроводников, а затем, в один прекрасный день (считаю, что день был именно прекрасный) А.В. Ржанов привёз в институт новую тематику — предстояло заняться получением и исследованием тонких полупроводниковых плёнок. Решение оказалось провидческим, и коренным образом изменило как судьбу Института, так и его положение в мировой науке.

Постепенно плёнки становились настолько совершенными в структурном отношении, такими тонкими, что в них стали проявляться квантовые эффекты: возникла новая область, получившая название “физика низкоразмерных систем”. Сначала двумерных, затем одномерных — квантовых проволок, нульмерных – квантовых точек. Для этих объектов появилось и название — наноструктуры. Оно быстро стало популярным, Институт развивался и занял прочную позицию в научном сообществе, публикации наших сотрудников начали всё чаще цитироваться, специалисты стали известны во всем мире.

Фундаментальные результаты в этой области важны не только для физики твердого тела, но и для физики в целом: открылся ряд новых, необычных явлений, связанных с пониженной размерностью, “посыпались” и Нобелевские премии. Поэтому я могу сказать: мы на правильном пути, двигаемся в правильном направлении и можем с оптимизмом смотреть в будущее, несмотря ни на что».

Победитель от рождения

Александр Латышев акцентировал внимание на том, что Институт физики полупроводников, как и Сибирское отделение Академии наук, и Новосибирский научный центр, создавался поколением победителей в Великой Отечественной войне.

Основатель и первый директор Института академик Анатолий Васильевич Ржанов был одним из представителей героического поколения. Он попал на фронт студентом пятого курса, проявив немалую настойчивость (ему отказывали из-за «белого билета» по состоянию здоровья), служил в разведроте, участвовал в наступлении, направленном на полную ликвидацию блокады Ленинграда в 1943 году. За этот бой А. В. Ржанов награждён Орденом Отечественной войны. В бою молодой офицер получил контузию и был демобилизован.

Затем, несмотря на сложный период выздоровления, Анатолий Васильевич поступил в аспирантуру Физического института Академии наук СССР и приступил к работе над кандидатской диссертацией, связанной с исследованием сегнетоэлектриков. После защиты по предложению президента Академии наук академика С.И. Вавилова Анатолий Ржанов начал заниматься полупроводниками, а в 1951 году возглавил одну из четырёх исследовательских групп, создавших первый в стране германиевый транзистор.

Так складывался путь будущего академика, и в 1962 году он приехал в Новосибирск и приступил к «выращиванию» НИИ (тогда он назывался «Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники»), которому предстояло работать в весьма молодой на тот момент научной области.

«Анатолий Ржанов определил направления и задачи НИИ: работы с поверхностью и границами раздела полупроводников, исследование тонких полупроводниковых плёнок и разработка физических основ полупроводниковых приборов, что в точности соответствует тому, чем занимаются сегодня, и то, в чём институт преуспел. Поэтому можно только удивляться, как человек мог понять, какие технологические, научные тренды будут через много лет, и правильно направить институт.

Среди ключевых задач Анатолий Васильевич сформулировал, во-первых, достижение мирового уровня работ в области полупроводниковых низкоразмерных систем. Во-вторых, создание кафедры физики полупроводников в Новосибирском госуниверситете и кафедры микроэлектроники в Новосибирском электротехническом институте (сегодня — НГТУ НЭТИ). В-третьих, организацию взаимодействия с предприятиями электронной промышленности. В-четвёртых, за короткий срок предстояло сформировать мощный творческий коллектив учёных, инженеров, способных выполнять фундаментальные, а на их основе и прикладные исследования», — подчеркнул Александр Латышев.

По истечению шести десятилетий, полученные наработки Института физики полупроводников позволяют оценить гениальную проницательность академика Ржанова — отметила заместитель губернатора Новосибирской области Ирина Викторовна Мануйлова: «Для того, чтобы сделать большое стоящее дело, нужен коллектив, его нужно собрать, поставить задачи, определить векторы развития — в этом величие основателей многих институтов, в том числе и Анатолия Васильевича Ржанова. Бесспорно, предвидение важных направлений играет ключевую роль в деятельности ИФП СО РАН на протяжении уже нескольких десятилетий, и не случайно институт — ведущий центр развития микроэлектроники России».

Директор ИФП СО РАН напомнил, что важным этапом было создание специализированного термостатированного корпуса: строительство чистых помещений — критически необходимых для полупроводниковых исследований. Руководителем работ по проектированию и возведению был Игорь Георгиевич Неизвестный, и сейчас в корпусе выполняется очень много работ, специализированное здание не единожды оправдало свое существование.

Выдающихся учёных, сформировавших облик Института, как ведущего научного центра, очень много — вот лишь некоторые из них:
- член-корреспондент РАН Сергей Васильевич Богданов, приехавший в 1963 году из ФИАНа, занимавшийся направлением акустооптики и акустоэлектроники, по этой тематике были получены первые государственные премии в ИФП СО РАН;
- член-корреспондент РАН Константин Константинович Свиташев, второй директор ИФП СО РАН, инициировавший работы по эллипсометрии, фотонике, фотоэффекту, созданием фотоприёмных, тепловизионных устройств;
- доктор физико-математических наук Сергей Иванович Стенин — вдохновитель и создатель направления молекулярно-лучевой эпитаксии,
- доктор физико-математических наук Виктор Николаевич Овсюк, который занимался исследованием атомных и электронных процессов на поверхности твёрдых тел, получивший в составе коллектива авторов за этот цикл работ Государственную премию,
- член-корреспондент РАН Виктор Яковлевич Принц, талантливый ученый. Ему принадлежит множество блестящих идей, одна из них: принц-технология ― способ формирования трёхмерных наноструктур, основанного на отделении тонких напряжённых полупроводниковых плёнок от подложки,
- доктор физико-математических наук Борис Зейликович Ольшанецкий, проводивший экспериментальные исследования методом дифракции медленных электронов и обнаруживший, что на поверхностях кремния и германия при изменении температуры возникают обратимые фазовые переходы — меняется поверхность кристалла при отсутствии изменений в объёме.

Свет будущего: новые технологии в области фотоники

Значительная часть современных разработок ИФП СО РАН связана с фотоникой, Институт не уступает мировым научным центрам, некоторые достижения находятся на границе теоретического предела.

«В нашем Институте сделаны мощные широкополосные сверхвысокочастотные фотодиоды, востребованные в телекоммуникационных системах нового поколения; миниатюрные лазеры с вертикальным резонатором, нужные в стандартах частоты атомных часов; источник и детектор одиночных фотонов для систем защищённой квантовой связи. Создание источника одиночных фотонов — “лампочки”, испускающей один фотон, а затем и приёмника, способного его зафиксировать — задачи на границе теоретического предела нанофотоники, и они были решены», — констатировал Александр Латышев.

«Сегодня в ИФП СО РАН подготовленный, высокопрофессиональный коллектив: академики, члены-корреспонденты, 85 докторов наук, 148 кандидатов и очень большая команда молодых сотрудников. Поэтому серьёзные научные школы, сложившиеся в институте, получают продолжение, поддержку — молодые ребята набираются опыта, и у них появляется возможность реализовать свои идеи», — продолжила Ирина Мануйлова.

Председатель Сибирского отделения РАН академик Валентин Николаевич Пармон заметил, что Институт физики полупроводников полностью выполняет цикл, необходимый для развития науки и технологий: фундаментальные и прикладные исследования, выпуск наукоёмкой продукции: «Очевидно, что академик Анатолий Васильевич Ржанов был именно тем человеком, который смог объединить всё хорошее от двух институтов, в результате получился успешный научный центр — один из бриллиантов короны Сибирского отделения Российской академии наук. ИФП СО РАН в полной мере олицетворяет треугольник Лаврентьева — наука, образование, производство — и является наиболее серьезным российским институтом в области современной микроэлектроники, в части фундаментальных исследований.

Как бывший сотрудник и руководитель Института катализа СО РАН, могу сказать, что ИФП СО РАН дает задачи и для многих других НИИ, прежде всего химических. Центр коллективного пользования ИФП СО РАН “Наноструктуры”, созданный при участии ИК СО РАН — единственный в России ЦКП по электронной микроскопии».

Анатолий Ржанов обладал не только даром научного предвидения, но и был хорошим бизнес-стратегом, как сказали бы сегодня. Название «Институт физики полупроводников» придумал именно он, и вот что написано в его воспоминаниях: «…Я использовал это объединение [двух институтов: ИРЭ СО АН и ИФТТиПЭ СО АН — прим. авт.] для решения ещё одной задачи. Дело в том, что название “Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники”, было предложено не мной, это название ещё до моего появления в Сибирском отделении принял Президиум Сибирского отделения, кажется, по предложению Будкера. Мне название не нравилось, хотя бы уже потому, что есть такая примета, — институты с длинными названиями долго не живут, а здесь оно было чрезмерно длинным. Поэтому я использовал фактор объединения, чтобы институт объединённый был назван короче: “Институтом физики полупроводников”. Пришлось посражаться немножко, в частности, с академиком Котельниковым, но, в конце концов, мне удалось настоять, и, по-моему, с 1964 года институт стал так называться».

Сейчас мы можем оценить способность академика Ржанова «увидеть будущее» — верно расставленные им приоритеты дали старт успешному научному центру.

Достижения сотрудников ИФП СО РАН были отмечены на заседании учёного совета Почётными грамотами, благодарностями, благодарственными письмами губернатора Новосибирской области, Сибирского отделения РАН, мэрии Новосибирска, администрации Советского района Новосибирска.

Институт поздравили коллеги и партнёры из Новосибирска и со всей страны.

Источник: ИФП СО РАН.