Получение графена путем графитизации поверхности карбида кремния для высокотехнологичных отраслей промышленности является крайне перспективным направлением исследования.

Подложки с террасно-ступенчатым нанорельефом также представляют интерес как основа для изготовления наноэлектронных устройств. Сочетание методов рентгеновского рассеяния в условиях скользящего падения и атомно-силовой микроскопии позволяет всесторонне охарактеризовать параметры регулярного нанорельефа подложек карбида кремния. Результаты обоих методов свидетельствует о сохранении статистических параметров структуры, наблюдаемой в атомно-силовом микроскопе, по всей поверхности подложки.

С развитием технологий высокотемпературной обработки подложек карбида кремния возникает необходимость учитывать условия и понимать механизмы изменения структуры поверхности, приводящие к образованию террасно-ступенчатого нанорельефа.

Цель совместной работы ученых Института кристаллографии им. А. В. Шубникова (ИК) РАН ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН и коллегами из Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе – оценить применимость методов рентгеновской рефлектометрии и рассеяния в условиях скользящего падения для изучения неоднородностей по глубине и в латеральном направлении подложек карбида кремния, подвергнутых отжигу в вакууме при температуре 1400–1500 ℃. Данными методами определены статистические параметры поверхности: эффективная высота шероховатости, средний период террас и его разброс. Показаны различия функций спектральной плотности мощности, полученных при съемке в различных направлениях по отношению к террасам на поверхности.

Исследование сотрудников ИК РАН опубликовано в журнале Materials.

Источник: ИК РАН.