В настоящее время большое внимание исследователей уделяется перспективам использования амбиполярных материалов в таких устройствах, как фотогальванические элементы, транзисторы, сенсоры и светоизлучающие устройства. Октаэдрические кластерные комплексы молибдена, вольфрама и рения обладают уникальными оптическими свойствами, поглощая свет с длинами волн от УФ до видимого диапазона.

В данной работе показано, что с помощью методики электрофоретического осаждения могут быть получены пленочные фотоэлектроды на основе допированного оксида олова (FTO) с нанесенным на него покрытием из кластерных комплексов с ядрами {Re6Q8} (Q = S, Se). В зависимости от состава кластеров и способа нанесения, полученные фотоэлектроды проявляют амбиполярные свойства или являются полупроводниками p-типа.

Более того, в работе продемонстрировано, что совместное осаждение кластеров с ядрами {Re6S8} и {Re6Se8} приводит к созданию p-n перехода. Это позволяет оптимизировать фотофизические характеристики пленочных материалов на основе кластеров и рассматривать их в качестве компонентов в фотокаталитических и фотогальванических системах.

Публикация: Nanoarchitectonics of Metal Atom Cluster-Based Building Blocks Applied to the Engineering of Photoelectrodes for Solar Cells, Lappi T.I., Cordier S., Gayfulin Y.M., Ababou-Girard S., Grasset F., Uchikoshi T., Naumov N.G., Renaud A. // Solar RRL 2023, 7, P. 2201037. DOI: 10.1002/solr.202201037. Посмотреть статью → 

Источник: Институт неорганической химии имени А. В. Николаева СО РАН.