Рост и характеризация кристаллов пентацена для задач оптоэлектроники
Рост и характеризация кристаллов пентацена для задач оптоэлектроники
Пентацен является одним из наиболее известных органических полупроводниковых веществ, тем не менее, рост крупных монокристаллов данного соединения ещё сравнительно мало изучен.
Учеными из Федерального научно-исследовательского центра (ФНИЦ) «Кристаллография и фотоника» РАН представлены результаты по выращиванию кристаллов пентацена сантиметрового масштаба методом парового физического транспорта в горизонтальной печи с двумя температурными зонами (Рис. 1).
Установлено, что интенсивные процессы роста кристаллов имеют место в переходных областях с резким перепадом температуры, а в области со слабо изменяющейся температурой рост кристаллов практически не наблюдается (Рис. 1a). В процессе роста кристаллов были выделены со-осаждающиеся золотистые игольчатые кристаллы, достигающие в длину более 10 мм (Рис. 1a, 1b).
Методом монокристальной рентгеновской дифракции при 85 K и 293 K для пластинчатых темно-синих кристаллов пентацена (Рис. 1e) уточнена кристаллическая структура в триклинной системе с пр. гр. P 1 ¯ (Рис. 2).
Установлено, что золотистые игольчатые кристаллы состоят из молекул производного пентацена – 5,14-пентацендиона, структура кристаллов которого решена впервые в ромбической системе с пр.гр. Р212121 (Рис. 3).
Были получены и проанализированы спектры поглощения и люминесценции пентацена и 5,14-пентацендиона в растворах толуола (Рис. 4).
Электрические свойства тонких пленок и монокристаллов пентацена, выращенных в условиях физического транспорта паров, были изучены путем изготовления и характеризации полевых транзисторов на их основе (Рис. 5).
Было показано, что присутствие примесей в коммерческом материале пентацена значительно влияет на морфологическое качество тонких поликристаллических пленок и заметно снижает подвижность дырок.
Подробнее в журнале Crystals.
Источник: ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН.