Академия

Создан высоковольтный полупроводниковый источник возбуждения активных сред

Создан высоковольтный полупроводниковый источник возбуждения активных сред

Рубрика Исследования

Молодые учёные Лаборатории квантовой электроники Института оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН разработали и исследовали полупроводниковый источник возбуждения активных сред на самоограниченных перехода атомов металлов с частотой следования импульсов (ЧСИ) до 200 кГц в импульсно-периодическом режиме.

Источник высоковольтных импульсов возбуждения выполнен на основе концепции LTD-генератора (драйвер линейного трансформатора) с одновитковым повышающим трансформатором. Проведен расчёт и обоснован выбор элементов источника питания исходя из типовых режимов возбуждения активной среды в парах бромида меди. Работоспособность источника проверена при возбуждении малогабаритного лазера (длина активной зоны составляла 20 см) на парах бромида меди. Средняя мощность генерации составляла 650 мВт при частоте повторения импульсов 150 кГц, а с учетом объема активной среды удельная энергия импульса генерации составляла 160 мкДж/см3.

Коммутационный узел

Профиль генерации лазера

Исследования выполнены в рамках Государственного задания ИОА СО РАН и поддержаны Российским научным фондом (РНФ), грант № 19-79-10096-П. Результаты работы опубликованы в журнале Optical and Quantum Electronics. 

Источник: ИОА СО РАН.

Новости Российской академии наук в Telegram →