Академик Ивченко Еугениюс Левович

Еугениюс Левович Ивченко родился 2 февраля 1946 года в Литве.

В 1970 году окончил с отличием факультет радиоэлектроники (кафедра физики полупроводников и диэлектриков) Ленинградского политехнического института. Далее — в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург: аспирант, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, в 1996–2014 гг. — заведующий Сектором теории квантовых когерентных явлений в твёрдом теле, главный научный сотрудник.

В 1989–2016 гг. — профессор физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, с 2012 года — профессор кафедры физики конденсированного состояния Санкт-Петербургского Академического университета им. Ж.И. Алферова РАН. Профессор физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета.

В 1974 году защитил кандидатскую диссертацию «Оптическая ориентация и нелинейное поглощение света в полупроводниках», в 1982 году защитил докторскую диссертацию «Новые оптические явления в полупроводниках со сложной зонной структурой», профессор.

Член-корреспондент РАН с 2011 года, академик РАН с 2022 года — Отделение физических наук.

Академик Е.Л. Ивченко — известный физик-теоретик, внёсший значительный вклад в развитие современной физики полупроводников и становление физики полупроводниковых наноструктур. Область его научных интересов: теория твёрдого тела, оптическая спектроскопия, физика экситонов и фотонных кристаллов, спиновая физика, теория резонансного возбуждения, управления и детектирования спиновой когерентности в наноструктурах, нелинейные оптические эффекты, фотогальванические эффекты, спиновый шум, физика гетероинтерфейсов. Многие результаты, полученные Е.Л. Ивченко, стали классическими и вошли в учебники и монографии; он является автором трёх признанных в мире монографий по физике полупроводниковых наноструктур. Его тесное сотрудничество с экспериментаторами ФТИ и других российских и международных научных центров внесло значительный вклад в развитие оптической спектроскопии полупроводниковых систем.

Основные работы и научные достижения Е.Л. Ивченко:

• заложены основы теории слабой локализации в физике твёрдого тела (ЖЭТФ 1977);

• создано новое направление в нанофотонике — резонансные фотонные кристаллы и квазикристаллы, предсказана гигантская сила осциллятора экситона в резонансной брэгговской структуре с квантовыми ямами (ФТТ 1994, Phys. Rev. B 2009);

• один из основоположников физики фотогальванических эффектов в средах без центра инверсии, предсказаны и исследованы циркулярный фотогальванический эффект (Письма в ЖЭТФ 1978, 1979), прямой и обратный спин-гальванические эффекты в гиротропных материалах (ЖЭТФ 1990, Nature 2002) и полуметаллах Вейля (Письма в ЖЭТФ 2017), орбитально-долинные фототоки (Письма в ЖЭТФ 2005), построена теория сдвигового фототока (ЖЭТФ 1982);

• разработана теория тонкой структуры нульмерных экситонов, локализованных в квантовых ямах, сверхрешётках и квантовых точках (Письма в ЖЭТФ 1992, ЖЭТФ 1998, Internat. J. Nanoscience 2007);

• исследованы эффекты, обусловленные анизотропией химических связей на интерфейсах, в том числе на гетерогранице между бинарными полупроводниками без общего катиона и аниона (Phys. Rev. Lett. 1999);

• решена задача об эффекте Зеемана в низкоразмерных структурах с квантовыми ямами (ФТП 1992) и квантовыми точками (Phys. Rev. B 1998);

• впервые исследовано влияние магнитного поля (ФТТ 1973) и электрон-электронного взаимодействия (Письма в ЖЭТФ 2002) на механизм спиновой релаксации Дьяконова-Переля;

• выполнена пионерская работа по электронному спиновому шуму в полупроводниках (ФТТ 1973);

• построена теория естественной оптической активности в полупроводниках (ФТТ 1974), резонансной слабой гиротропии (Solid State Commun. 1978) и магнитоиндуцированной дисперсии диэлектрических осей (Письма в ЖЭТФ 1983);

• разработана теория спин-зависимой рекомбинации Шокли-Рида-Холла в полупроводниках (Письма в ЖЭТФ 2005), изучено сверхтонкое взаимодействие спина электрона, захваченного на глубокий центр, со спином ядра этого центра (Phys. Rev. B 2017);

• исследованы эффекты электронного храповика в системах с двумерным электронным газом и асимметричным металлическим затвором (Phys. Rev. Lett. 2017).

В настоящее время Е.Л. Ивченко руководит масштабными работами по изучению оптических и фотогальванических эффектов в новых полупроводниковых материалах, включая полупроводниковые перовскиты и дихалькогениды переходных металлов экстремальной двумерности, а также полуметаллы Вейля и Рариты-Швингера-Вейля.

Его активно приглашают выступать с обзорными докладами или читать лекции на российских и международных конференциях или научных школах. В частности, Е.Л. Ивченко выступил с пленарными докладами на ХХIV Международной школе-конференции «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений» (Казань, 2024) и Международной конференции по теоретическим исследованиям и новым технологиям (Куба, 2025).

Широкое признание получила созданная Е.Л. Ивченко научная школа. Его ученики успели приобрести международную известность, стали ведущими экспертами в области теории конденсированных сред. Под его научным руководством защищены 12 кандидатских диссертаций, пятеро кандидатов наук далее защитили докторские диссертации, четверо избраны профессорами РАН, двое — член-корреспондентами РАН и один был руководителем мегагранта.

Главный редактор журнала «Физика твёрдого тела», в течение ряда лет был редактором международных журналов Solid State Communications и Semiconductor Science and Technology.

С 2014 года возглавляет Научный совет РАН по физике полупроводников, руководитель Секции физических наук Объединённого научного совета по естественным наукам СПбО РАН, член учёного совета ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, член диссертационных советов при ФТИ РАН и СПбГПУ Петра Великого. Член Попечительского совета «Базис», созданного для поддержки фундаментальной физики и математики в России.

Лауреат премии имени А.Ф. Иоффе в области физики и астрономии Правительства Санкт-Петербурга — за создание теории оптических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных системах, многократный лауреат премии ФТИ РАН за лучшую работу. Приглашённый профессор в рамках программы «Меркатор» Немецкого научного фонда (2007–2009).

Награждён медалями ордена «За заслуги перед Отечеством» I и II степени, юбилейной медалью «300 лет Российской академии наук», медалью «В память 300-летия Санкт-Петербурга», нагрудным знаком «Почётный наставник» Министерства науки и образования РФ.