Академия
Академик Кведер Виталий Владимирович

03 октября

Академик Кведер Виталий Владимирович

75 лет

Персональная страница

Виталий Владимирович Кведер родился 3 октября 1949 года в городе Чкалове (до 1938 года и после 1957 года – Оренбург).

В 1972 году окончил Факультет общей и прикладной физики Московского физико-технического института. Начиная с третьего курса Физтеха В. В. Кведер трудился в лаборатории академика П. Л. Капицы в Институте физических проблем – занимался исследованием спиновых волн в антиферромагнетиках при их параметрическом возбуждении, опубликовал свои первые две работы в «Письмах в ЖЭТФ», там же выполнил дипломную работу. В этих работах были найдены первые экспериментальные аргументы в пользу Бозе-конденсации магнонов в антиферромагнетиках.

После окончания Физтеха в 1972 году ему предложили поехать в Черноголовку – в Институт физики твёрдого тела АН СССР, в лабораторию к академику Ю. А. Осипьяну. С тех пор его жизнь, в основном, была связана с этим Институтом: стажёр-исследователь, научный сотрудник, старший научный сотрудник, ведущий научный сотрудник, с 1989 года – зав. Лабораторией спектроскопии дефектных структур, в 1992–2002 гг. – зам. директора по научной работе, в 2002–2017 гг. – директор, с 2017 – научный руководитель ИФТТ РАН и главный научный сотрудник.

При этом В. В. Кведер неоднократно работал во многих научных центрах за границей: 1980 г. – Goettingen University (prof. W. Schroeter), 1982 г. – Clausthal University (prof. R. Labusch); 1991 г. – Lund University (prof. H. Grimmeiss), 1992–1993 гг. Visiting professor in Tohoku University (Sendai, Japan); 1993–1994 гг. – продолжение сотрудничества с Lund University (prof. H. Grimmeiss, prof. P. Omling). В период с 1995 по 2019 гг. – тесно сотрудничал с 4-ым физическим институтом Goettingen University (Germany).

В 1977 году В. В. Кведер защитил кандидатскую диссертацию «Исследование дислокаций в кремнии методом ЭПР и высокочастотной проводимости», в 1987 году защитил докторскую диссертацию «Спинозависимые электронные свойства дислокаций в кремнии», в 1997 году получил звание «профессор». Член-корреспондент РАН c 2006 года, академик РАН c 2019 года – Отделение физических наук РАН.

Несколько раз избирался заместителем академика-секретаря, с 2022 года – академик-секретарь Отделения физических наук РАН.

Академик В. В. Кведер – физик-экспериментатор, специалист мирового класса в области «инженерии дефектов» в полупроводниках, внёс большой вклад в изучение электронных свойств дислокаций и других протяжённых дефектов решётки в полупроводниках, реакций дефектов и процессов самоорганизации в системах дефектов, процессов диффузии и гетерирования примесей в полупроводниках, электронных, магнитных и оптических свойств дислокаций в кремнии. В. В. Кведером обнаружены и исследованы различные спин-зависящие транспортные эффекты в одномерных электронных зонах на дислокациях, исследованы особенности оптического поглощения и люминисценции дислокаций. Он исследовал электрон-дырочную рекомбинацию в кремнии с дислокациями и разработал количественную модель, имеющую большую практическую важность для создания технологий солнечных элементов на основе поликристаллического кремния. Его вклад в развитие «инженерии дефектов» в кремнии имеет большое практическое значение для современной солнечной энергетики. Он является одним из признанных в мире лидеров в этой области. Кроме того, В. В. Кведер сыграл существенную роль в исследовании фуллеренов, где им был получен ряд пионерских результатов в области электронных, оптических и магнитных свойств фуллеренов, таких как особенности фазового перехода в кристаллах С60, связанного с замораживанием вращения молекул и обнаружение суперпарамагнетизма в кристаллах комплекса С60 с БТХ.

Много лет В. В. Кведер был координатором программы РАН «Физика новых материалов и структур», координатором секции физики и наук о космосе Экспертного совета Российского научного фонда (РНФ), Вице-президентом Международного союза чистой и прикладной физики (Vice-President Elected at Large, International Union of Pure and Applied Physics (IUPAP)).

В 2010 году В. В. Кведер входил в Комиссию РАН по борьбе с лженаукой по проведению экспертизы работ предпринимателя В. И. Петрика, предложившего ряд технологий (в том числе для широкого использования населением для очистки воды). В целом ряде случаев Комиссия не подтвердила утверждения В. И. Петрика, указав на грубые ошибки в их научном объяснении и обосновании, в других (как предложение об использовании наноматериалов для фильтров воды) указала не только на бесполезность, но и на заметную опасность применения этой технологии для здоровья населения.

15 лет В. В. Кведер возглавлял Институт физики твёрдого тела РАН (ИФТТ РАН). Физика твёрдого тела – это очень широкая область физики, включающая в себя и физику полупроводников, и разработку новых функциональных материалов, и изучение взаимосвязи структуры кристаллов и их физических свойств и технологии роста монокристаллов для самых разных применений. ИФТТ РАН сегодня занимает верхнюю планку в этой области физики. Результаты работы Института высоко оценены и в России, и за рубежом, это один из лучших Институтов РАН, где работает около 200 квалифицированных научных сотрудников, среди которых 56 докторов наук и 6 членов РАН.

При Институте действуют Кафедра физики твёрдого тела МФТИ, кафедра физики ВШЭ, работает собственная магистратура и аспирантура. Выстроена знаменитая «система Физтеха» – когда учёные готовят учёных.

В настоящее время В. В. Кведер – научный руководитель ИФТТ РАН, академик-секретарь Отделения физических наук РАН, член Президиума РАН, член Совета директоров НЦЧ РАН, председатель Научного совета по физике конденсированных сред, член бюро Комиссии РАН по золотым медалям и премиям имени выдающихся учёных, присуждаемым Российской академией наук, и т. д.

Награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.

Отмечен юбилейной медалью «300 лет Российской академии наук».