Искать
Поздравления с 300-летием РАН
Академия
Структура РАН
Отделения по областям и направлениям науки Представительства РАН Региональные отделения РАН
Руководство РАН
Общее собрание членов РАН
Президиум РАН
Аппарат президиума РАН
Аппарат руководства РАН Отделы по направлениям науки РАН Управления РАН
Цели и задачи
Устав и нормативные документы
I. Общие положения II. Предмет, цели и виды деятельности, основные задачи и функции Академии III. Члены Академии и иностранные члены Академии IV. Порядок и условия избрания членов Академии и иностранных членов Академии IX. Переходные положения V. Органы управления Академии и порядок их деятельности VI. Структура Академии VII. Имущество и финансовое обеспечение Академии VIII. Взаимодействие Академии с органами государственной власти, организациями и гражданами Приложение № 1 Приложение № 1(1) Приложение № 2
Государственное задание
Государственное задание РАН Государственное задание региональных отделений РАН Отчеты о выполнении госзадания РАН Отчеты о выполнении государственного задания региональными отделениями РАН
Научные комитеты, советы и комиссии
Научные комиссии Научные комитеты Научные комитеты, советы и комиссии при президиуме РАН Научные комитеты, советы, комиссии региональных отделений РАН Научные советы Национальные комитеты
Документы
Об академии
300 лет РАН Архивы академиков Президенты РАН с 1724 года
Состав академии
Персональный состав академии
Академики Члены-корреспонденты Иностранные члены
Почетные звания
Почетные профессора Профессора РАН
Поздравления
Юбилеи
Деятельность
Научно-методическое руководство и экспертная деятельность
Научное и научно-методическое руководство Цифровой сервис Экспертная деятельность
Координация Программы фундаментальных научных исследований в Российской Федерации на долгосрочный период (2021–2030 годы)
Координационный совет Программы Общие сведения о Программе
Редакционно-издательская деятельность
Журналы Монографии Статьи Авторы Предметно-тематические рейтинги Аналитические материалы
Популяризация науки
Взаимодействие с научно-образовательным сообществом
Базовые школы РАН Консорциум химических институтов Стратегия развития образования Экспертиза ФГОС и учебников
Международная деятельность
Участие в нормотворческой деятельности
Противодействие коррупции
Отчёты о результатах деятельности РАН
Доклады РАН о важнейших научных достижениях российских учёных
Новости
Новости
Мероприятия
СМИ об Академии
Научное сообщество
Корпус профессоров РАН
Научные общества
Научная политика и госрегулирование
Конкурсы, премии и награды
Всероссийский профсоюз работников РАН

Академик Шпак Валерий Григорьевич

Академик Шпак Валерий Григорьевич

10 августа

Академик Шпак Валерий Григорьевич

80 лет

Персональная страница

Валерий Григорьевич Шпак родился 10 августа 1944 года в поселке Суетиха (ныне – г. Бирюсинск) Тайшетского района Иркутской области.

В 1967 году окончил Томский институт радиоэлектроники и электронной техники по специальности «электронные приборы». В 1967–1970 гг. – инженер, старший инженер НИИ ядерной физики электроники и автоматики при Томском политехническом институте, с 1970 года – в Институте оптики атмосферы, в 1977–1982 гг. – научный сотрудник в Институте сильноточной электроники СО АН СССР (г. Томск). В 1982–1986 гг. – заведующий лабораторией в СКБ научного приборостроения «Оптика» СО АН СССР (г. Томск). C 1986 года включен в состав группы ученых для организации Института электрофизики УрО РАН (г. Екатеринбург), с основания Института – заведующий Лабораторией электронных ускорителей. С 1998 года – заместитель директора по научной работе, в 2004–2015 гг. – директор Института электрофизики УрО РАН, в настоящее время – главный научный сотрудник, заведующий Лабораторией электронных ускорителей Института.

В 1980 году защитил кандидатскую диссертацию «Генерирование мощных субнаносекундных электронных пучков», в 1990 году защитил докторскую диссертацию «Миниатюризация импульсных сильноточных ускорителей электронов».

Член-корреспондент РАН c 1997 года, академик РАН c 2019 года – Отделение энергетики, машиностроения, механики и процессов управления, Уральское отделение РАН.

Академик В. Г. Шпак – выдающийся ученый, специалист в области электрофизики и мощной импульсной энергетики, создания и применения малогабаритных сильноточных импульсных систем, организатор науки. Его научные интересы: быстропротекающие процессы при генерировании, передаче и преобразовании высоковольтных импульсов нано- и пикосекундного диапазона длительностей, создание сильноточных импульсных генераторов, ускорителей заряженных частиц и мощных генераторов электромагнитного излучения. Внес существенный вклад в разработку высоковольтной аппаратуры, исследования быстропротекающих эмиссионных и электроразрядных процессов в газе и вакууме, генерации электромагнитного излучения, инициированного короткими сильноточными электронными пучками.

В. Г. Шпак принял участие в разработке первых отечественных импульсных сильноточных ускорителей, одно из его наиболее выдающихся научных достижений – создание уникальных малогабаритных высоковольтных ускорителей электронов импульсно-периодического действия для фундаментальных исследований и практических приложений. В настоящее время такие компактные приборы под широко известной торговой маркой «РАДАН» уже около 40 лет успешно работают в организациях и университетах 15 стран – Австралии, Сингапуре, Китае, Бельгии, США и др. Это наглядный пример того, какой может быть на самом деле инновационная деятельность академического института физико-технического профиля – разработка оказалась настолько удачной, что стала важной составляющей имиджа и Лаборатории электронных ускорителей, и всего Института электрофизики. В. Г. Шпак изначально был с самого начала движущей силой разработки «РАДАН».

Вот один из примеров того, как под руководством В. Г. Шпака был получен инструмент для изучения воздействия коротких мощных электрических импульсов. Если первые ЭВМ – это были стены из шкафов с вращающимися бобинами, то сейчас можно сделать очень маленький мобильный телефон, величиной с перстень, но пользователю будет трудно набирать цифры и буквы, и видеть их на маленьком экране. Еще в 80-е годы исследователи Института под руководством В. Г. Шпака поставили задачу уменьшить размеры солидных устройств – электронных и ионных ускорителей – чтобы можно было работать на обычном столе. Это не сразу, но получилось, что удивило коллег за рубежом. Так с помощью этих ускорителей был получен хороший инструмент для изучения воздействия коротких мощных электрических импульсов. Причем, обычные параметры – ток в тысячи ампер и напряжения в сотни киловольт: всё это на столе, и подключается к обычной розетке на стене. Правда, когда происходит разряд импульса из такого ускорителя, сотрудники Лаборатории прячутся в специальной кабине. Далее решали другую проблему – учёные перешли в пикосекундный диапазон длительностей, что уже короче наносекунды, т. е. миллиардной доли секунды! Для сравнения: свет проходит за 1 наносекунду всего лишь 30 сантиметров. Справились и с созданием соответствующей измерительной аппаратуры. Часть деталей делается на заводах и в опытном производстве Института, при этом наиболее ответственные узлы на токарных и фрезерных станках делают научные сотрудники лаборатории, в том числе и сам В. Г. Шпак. Не в каждой организации можно увидеть академика за токарным станком!

Многие научные результаты лаборатории, возглавляемой В. Г. Шпаком, входили в перечень важнейших достижений, отмеченных в ежегодных отчетах РАН. За последние три года на созданных в лаборатории электронных ускорителей уникальных приборах:

• Реализовано высокоградиентное ускорение электронов импульсом черенковского сверхизлучения. Получено пятикратное увеличение энергии электронной фракции, что значительно превышает рекордные значения, достигнутые при использовании длинноволновых клистронов.

• Получен пикосекундный плотный параксиальный пучок субрелятивистских убегающих электронов. Достигнута наибольшая на сегодняшний день пиковая плотность тока 0,65 кА/см2 убегающих электронов в протяженных воздушных промежутках с резко неоднородным электрическим полем.

• Продемонстрирован плазменный мазер, управляемый сильноточным электронным пучком длительностью 2 нс с энергией частиц ≈270 кэВ. Короткий импульс тока пучка обеспечил работу устройства в режиме однопроходного усиления шумов с энергоэффективностью ≈ 26 %.

В. Г. Шпак – автор около 300 научных работ, в т. ч. 12 авторских свидетельств и патентов. Специалистам известны его работы, написанные индивидуально или в соавторстве: «Compact High-Power Subnanosecond Repetitive-Pulse Generators (Review)», «О динамике формирования субнаносекундного электронного пучка в газовом и вакуумном диоде», «Пикосекундные пучки убегающих электронов в воздухе» и др.

В. Г. Шпак был в числе главных организаторов и далее 11 лет – директором Института электрофизики. Важно отметить: период строительства Института пришёлся на 90-е годы – тогда во всей Академии наук страны это был единственный строящийся объект. Далее в кризисные 1990-е он, как директор, сделал все возможное для сохранения творческого коллектива, для становления эффективной внутренней структуры Института, вложил огромные усилия в строительство и ввод в эксплуатацию комплекса зданий ИЭФ. И в целом, становление ИЭФ УрО РАН, его успехи, широкое признание в российской науке и международном научном сообществе во многом являются результатом его выдающегося вклада в общее дело.

Работы ИЭФ УрО РАН получили широкую известность среди физического сообщества в нашей стране и за рубежом. Коллектив Института включает в себя более 200 человек, в том числе, здесь работают 3 действительных члена Российской академии наук, 6 член-корреспондентов РАН, 20 докторов наук и более 50 кандидатов наук.

Член Бюро Отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН, член президиума Уральского отделения РАН, долгие годы был Председателем Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам УрО РАН и Председателем Диссертационного и Учёного советов ИЭФ УрО РАН.

С самого основания Института на его базе действует Кафедра электрофизики при УрФУ, поддерживаемая всеми директорами. В. Г. Шпак участвует в подготовке научных кадров: руководит аспирантами (им подготовлено 2 кандидата наук), входит в состав комиссии ГЭК аспирантов.

За разработку малогабаритных рентгеновских аппаратов для дефектоскопии магистральных нефте- и газопроводов в 1982–1984 гг. В. Г. Шпак был награжден Золотой, Серебряной и Бронзовой медалями ВДНХ СССР. В. Г. Шпак – лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники за разработку малогабаритных мощных импульсных систем (1998 г.), премии РАН имени П. Н. Яблочкова (2012 г.); удостоен медали ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2013 г.), Золотой медали им. С. В. Вонсовского (2021 г.), отмечен юбилейной медалью «300 лет Российской академии наук».



Сообщить об ошибке

Текст сообщения*

Ошибка
Примите пользовательское соглашение
*Поля обязательны для заполнения

Форма успешно отправлена!