XVII Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-2026)

Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Отделение физических наук РАН, Научный совет РАН по физике полупроводников и Российская академия наук организуют очередную всероссийскую конференцию по физике полупроводников.

Разделы конференции:

• Объёмные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение твердых растворов. Перовскиты, органические полупроводники.
• Поверхность, плёнки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция, процессы формирования нанокластеров, фотоэмиссионная спектроскопия, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
• Двумерные и одномерные системы, гетероструктуры, гибридные структуры, сверхрешётки: структурные, электронные, магнитные и оптические свойства, электронный транспорт, туннелирование, локализация, плазмоны, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
• Нульмерные системы (квантовые точки, нанокристаллы, наноплателеты): энергетический спектр, оптические свойства, туннельный транспорт.
• Спин-зависимые явления, спинтроника, наномагнетизм, спиновый шум, квантовые технологии.
• Примеси и дефекты (объёмные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники, одиночные примеси, вакансии и центры окраски.
• Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
• Атомарно-тонкие полупроводники: графеноподобные наноматериалы, ван-дер-ваальсовы монослои и гетероструктуры. Наномеханика.
• Фотонные кристаллы, микрорезонаторы и метаматериалы. Нанофотоника, квантовая оптика. Оптомеханика.
• Полупроводниковые приборы и устройства, сенсоры: технология, методы исследования, наноприборы, архитектура транзисторов.
• Топология в полупроводниках. Топологические изоляторы, бесщелевые материалы.

Даты: 5—9 октября 2026 года.
Приём тезисов до 10 апреля.
Оплата до 1 августа.
Регистрация до 31 августа.

Место: Москва, Ленинский проспект, дом 53, ФИАН.

Подробности: официальный сайт.

Регистрация: личный кабинет.