Новости

Десятого декабря 2025 года в здании Российской академии наук председатель научного совета Научного Демидовского фонда академик Геннадий Месяц объявил лауреатов Демидовской премии – 2025.

Сотрудники Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН совместно с коллегами из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Новосибирского государственного университета разработали новый способ получения сверхтонких прозрачных и электропроводящих золотых покрытий.

Всероссийская конференция и Школа молодых учёных «Фотоника–2025» прошла 8—12 сентября 2025 года в Новосибирске. Научные темы касались разработки и совершенствования полупроводниковых фотонных устройств, работающих в разных диапазонах (ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом), создания интегральной фотоники и материалов для новых оптоэлектронных приложений.

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе.

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) совместно с коллегами разработали модель медицинского сенсора для анализа дыхания на основе цианобактерий Arthrospira platensis, известных как спирулина.

Сотрудники Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) вместе с коллегами из других организаций сделали детектор спина электронов, используя своеобразный фильтр, в качестве которого выступает ферромагнитная плёнка нанометровой толщины — наномембрана. Это первое в мире устройство, где детектирование спина электронов происходит с помощью их фильтрации через наномембрану с передачей изображения в поляризованных электронах.

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали низкотемпературную технологию получения нестехиометрических плёнок оксида и оксинитрида кремния в качестве активного слоя элементов энергонезависимой резистивной памяти и предложили новый подход в определении оптимального состава, основанного на установлении ближнего порядка в расположении атомов полученных аморфных плёнок. В будущем этот подход может использоваться при производстве мемристоров — устройств резистивной энергонезависимой памяти, предлагаемых в качестве альтернативы флеш-памяти.

Научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Университета Лотарингии (Нанси, Франция) изучили механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они первыми в мире обнаружили в этих материалах мемристорный эффект или «эффект памяти», изучили их опто-электрические свойства, а сейчас исследуют процессы, происходящие в них в процессе протекания тока.

Патент на полезную модель «Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура на основе германо-силикатного стекла для оптоэлектроники» получен Новосибирским государственным университетом. Авторами разработки являются сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ. Полезная модель относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использована для систем регистрации оптической информации.