Новости

Сотрудники Института физики твёрдого тела им. Ю.А. Осипьяна Российской академии наук совместно с зарубежными коллегами продемонстрировали возможность управления коллективными колебаниями электронов — плазмонами — в полупроводниковых структурах, работающих в терагерцовом диапазоне частот.

В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы» форума «Микроэлектроника 2025» директор Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН член-корреспондент РАН Сергей Иванов подробно рассказал о текущих разработках института в области широкозонной фотоники и электроники.

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе.

В ФИЦ «Южный научный центр Российской академии наук» (Ростов-на-Дону) разрабатывают перспективные полупроводниковые материалы, способные повысить эффективность современных электронных устройств

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали низкотемпературную технологию получения нестехиометрических плёнок оксида и оксинитрида кремния в качестве активного слоя элементов энергонезависимой резистивной памяти и предложили новый подход в определении оптимального состава, основанного на установлении ближнего порядка в расположении атомов полученных аморфных плёнок. В будущем этот подход может использоваться при производстве мемристоров — устройств резистивной энергонезависимой памяти, предлагаемых в качестве альтернативы флеш-памяти.

Стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счёт замены собственных дефектов в кристаллической структуре оксидов металлов на примесные. Данная концепция расширяет возможности создания сенсорных материалов с длительным временем устойчивой работы.

Научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Университета Лотарингии (Нанси, Франция) изучили механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они первыми в мире обнаружили в этих материалах мемристорный эффект или «эффект памяти», изучили их опто-электрические свойства, а сейчас исследуют процессы, происходящие в них в процессе протекания тока.

Патент на полезную модель «Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура на основе германо-силикатного стекла для оптоэлектроники» получен Новосибирским государственным университетом. Авторами разработки являются сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ. Полезная модель относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использована для систем регистрации оптической информации.

Сотрудники лаборатории новых материалов для солнечной энергетики ФНМ МГУ и химического факультета МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института впервые применили «допинг» для перовскитных солнечных батарей.