Новости

Группе сотрудников Института сильноточной электроники СО РАН удалось в несколько раз увеличить коэффициент полезного действия лазеров на NV-центрах алмазов.

Электрофизики Института сильноточной электроники СО РАН с помощью тлеющего разряда атмосферного давления получили ультрадисперсные порошки оксидов магния, индия, цинка и молибдена, востребованные в биомедицине, а также при производстве полупроводников и литий-ионных аккумуляторов.

Исследователи из Института химической кинетики и горения им В. В. Воеводского СО РАН при участии коллег из Международного томографического центра СО РАН и Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН определили механизм фотолиза (трансформация химического соединения под действием света) антибиотика ципрофлоксацина в водных растворах.

В Институте сильноточной электроники СО РАН (Томск) в смоделированных на лабораторной установке условиях для изучения свойств красных спрайтов зафиксировали пучок убегающих электронов, процесс генерации которых длится лишь миллиардную долю секунды.