Поиск
... возможность для развития углеродной электроники нового поколения, в которой электрический сигнал будет подаваться по графеновым дорожкам к полупроводниковым алмазным элементам. Однако переносить готовый графен на поверхность алмаза не всегда эффективно, поскольку между материалами ...
.... В очередной раз Школа молодых учёных стала местом обсуждения современного состояния и перспектив исследований в области физики новых полупроводниковых и металлических материалов. Значительное внимание было уделено вопросам, связанным с разработкой физических принципов ...
Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (Новосибирск) совместно с коллегами из Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН (Нижний Новгород) разрабатывают концепцию создания яркого стабильного источника экстремального вакуумного ультрафиолетового излучения/ Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) совместно с коллегами из Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики им...
... давления получили ультрадисперсные порошки оксидов магния, индия, цинка и молибдена, востребованные в биомедицине, а также при производстве полупроводников и литий-ионных аккумуляторов. Электрофизики Института сильноточной электроники СО РАН с помощью тлеющего разряда атмосферного ...
член секции советник президента РАН член бюро совета член бюро отделения член бюро президиума член регионального отделения член президиума регионального отделения
член комиссии член совета отделение почётного звания
член отделения член секции член бюро совета член совета
... проблем машиноведения РАН — лауреат премии им. А.Ф. Иоффе по физике и астрономии за цикл работ «Фазовые переходы первого рода на поверхности полупроводников и зарождение тонких пленок и наноструктур». Осипов Василий Юрьевич , д-р техн. наук, директор Санкт-Петербургского института ...
член отделения председатель совета член секции член совета член регионального отделения
... материалах и выполнена в ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН. В работе развита оригинальная стратегия развития перовскитных полупроводниковых материалов, демонстрирующих высокую эффективность и длительный срок службы в экстремальных условиях воздействия космической ...
член совета отделение почётного звания
... класс соединений нашёл своё применение в более высокотехнологичных отраслях, таких как современная молекулярная электроника, сенсорика, полупроводники, солнечные элементы. Одним из актуальных направлений нашей группы является разработка новых фотоактивных соединений, которые ...
В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) создали фотокатоды на основе соединения цезий-йод — ключевые элементы для «глаз» нового ...
член секции член бюро отделения председатель комиссии заместитель председателя регионального отделения
... получения животных с заданным типом поведения. С докладом «Академик Ржанов: путь от солдата до академика» выступил директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН академик Александр Васильевич Латышев . Академик Анатолий Васильевич Ржанов — основатель и первый ...
... ряды неорганических веществ в Периодической системе элементов Д.И. Менделеева, доказал существование связей структуры при переходах от полупроводниковых к металлическим свойствам и таким образом открыл закономерности переходов «диэлектрик-металл» (Открытие СССР № 196). В ...
член отделения член секции член бюро совета член президиума регионального отделения член бюро комиссии
Сотрудники Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) вместе с коллегами из других организаций сделали детектор спина электронов, используя ...
... устройство, позволяющее быстро распознавать вирусы в биологических жидкостях человека. В качестве основы авторы использовали органические полупроводниковые транзисторы, на которые поместили сменную полимерную мембрану, обработанную аптамером, — молекулой ДНК, специфично связывающей ...
... различных объектов, в частности ценных бумаг и банкнот. Первое поколение люминофоров — кристаллофосфоры — представляют собой широкозонный полупроводник с введенными люминесцирующими ионами. Полупроводник выступает в роли фотопоглощающей матрицы, а примесные ионы — центрами ...
Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали низкотемпературную технологию получения нестехиометрических плёнок оксида и оксинитрида ...
член отделения член секции
... гамма-лучах в поле зрения 30×30 ° с разрешением минуты дуги. Позиционно-чувствительный регистрирующий слой телескопа состоял из 16 384 независимых полупроводниковых (CdTe) детекторов, каждый размером 4×4 мм. Были и вспомогательные приборы: два монитора JEM-X для картографирования неба в стандартном ...
Стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счёт замены собственных дефектов в кристаллической структуре оксидов металлов на ...
... суверенитета, — оптический метод локального спектрального анализа для нанодиагностики элементной базы микроэлектроники (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН); разработка и создание научных основ бесконтактной технологии контроля качества ядерного топлива ...
... технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Университета Лотарингии (Нанси, Франция) изучили механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник» ...
член отделения член секции член совета член регионального отделения
... представление о научной, общественной деятельности учёного на протяжении более шестидесяти лет. Центральное место занимают труды по физике полупроводников, опубликованные в ведущих российских академических изданиях. Ж.И. Алфёров сотрудничал с физиками из стран Европы, Азии, США....
... исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ. Полезная модель относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использована для систем регистрации оптической информации. Патент на полезную модель «Фоточувствительная ...
Сотрудники лаборатории новых материалов для солнечной энергетики ФНМ МГУ и химического факультета МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института впервые применили «допинг» для перовскитных солнечных батарей. Сотрудники лаборатории новых материалов для солнечной энергетики ФНМ МГУ и химического факультета МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института впервые применили «допинг» для перовскитных солнечных батарей. Результаты исследования опубликованы в журнале Американского химического...
... руководством Юрия Лупоносова в рамках проектов прикладных исследований ищет подходы к получению более эффективных и стабильных органических полупроводниковых материалов для производства OLED-структур для дисплеев и микродисплеев. Локализация такого производства в России во многом ...
... воздействием радиации, — в нашем случае это быстрые нейтроны, — происходит разрушение материала. Фактически нейтроны разрушают структуру связей в полупроводнике (как правило это кремний), из которого сделаны ТФЭУ. С другой стороны, внутри какого-либо детектора, работающего на своём коллайдере,...
председатель совета член секции член комиссии член бюро совета член совета член бюро отделения отделение почётного звания эксперт
Исследователи из Курчатовского института вместе с коллегами из НИЯУ МИФИ разработали технологию, которая усовершенствует полупроводниковые платформы для электроники нового поколения и приблизит создание энергоэффективных систем. Учёные предложили новый подход ...
... поляризации, то есть смог «отличать» поляризованный свет от неполяризованного. Для этого с ограниченным успехом используют либо дорогие полупроводниковые материалы, либо дорогие методы литографии — избирательного создания на поверхности кремния чувствительных областей ...
член отделения член секции член совета
... ИЯФ СО РАН имеет большой опыт в создании различных ионных источников, которые в своё время разрабатывались и создавались в Институте для полупроводниковой промышленности, а также для экспериментов в области физики плазмы, и для развития методов ускорительной масс-спектрометрии....
Что такое органические полупроводники? В чём их преимущества? Какие тут имеются отечественные разработки? Есть ли среди них уникальные? Почему дирижабли вновь могут ...
... способностью преобразовывать тепловую энергию в электрическую и наоборот, и высокой проводимостью. Он также является сильно легированным полупроводником p-типа. Такие полупроводники обладают большим количеством носителей положительного заряда в кристаллической решётке, используются ...
член отделения член секции член комиссии член совета отделение почётного звания член регионального отделения
... результатах и наиболее актуальных областях современной фундаментальной и прикладной квантовой физики. В Школе, организованой Институтом физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН при поддержке Российского научного фонда, приняло участие более 70 человек из вузов и НИИ Томска, Красноярска ...
... наноструктурированных и конденсированных сред, физики процессов в конденсированных средах с неравновесным электронным возбуждением, физики полупроводниковых и металлоорганических наноструктур различной размерности, методов и способов нанесения многослойных покрытий и другие....
... развитие молекулярной микроэлектроники требует всё новых материалов, что открывает большие перспективы для использования КПЗ, обладающих полупроводниковыми свойствами. Сотрудники ИМХ РАН в ходе исследований в области металлоорганических КПЗ, построенных на основе катехолатных ...
... И появился новый кумир — «Глобальное информационное общество». А подоплёка была какая? Массовое расширение объёмов рынка компьютеров и полупроводников. Триллионы долларов в новую экономическую деятельность по всему миру — это лозунг США. В 2015 году по решению сената была разработана ...
... из нескольких сотен полевых транзисторов и работающих одновременно. Это открывает перспективы создания сложных микросхем с уникальными полупроводниковыми свойствами. Учеными Института химии и технологии редких элементов и минерального сырья Кольского научного центра ...
....Гурьянов, В.В.Двойрин, В.М.Машинский, А.А.Умников, М.В.Яшков) В Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе создана и развита концепция мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения, излучающих в диапазоне длин волн 0,8-1,8 мкм. ...
... нашего оборудования к Марсу, – отмечает Сергеев. – Поэтому это достижение имеет большое значение». 12:27 Ученые из Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова и МГУ имени М. В. Ломоносова открыли новый метод локального спектрального анализа полупроводниковых наноструктур....
... фотодетекторов в этом диапазоне — это технически сложная задача из-за малости энергии фотона в сравнении с энергией ионизации типичных полупроводников. Получается, что инфракрасное излучение проходит через большинство полупроводниковых материалов насквозь, не замечая их....
Глава Российской академии наук Геннадий Красников принял участие в работе крупнейшей научной конференции по физике полупроводников (РКФП-XVI) в Алфёровском университете и Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, прочитав завершающий доклад «Микроэлектроника ...
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец