Поиск
... наноструктурированные материалы» Физического факультета Новосибирского государственного университета совместно с коллегами из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. В её основе лежит использование терагерцового излучения для бесконтактной диагностики покрытий....
... углепластиковых материалах, автомобильной промышленности и медицине. Результаты исследования опубликованы в журнале « Физика и техника полупроводников ». Наноматериалы находят широкое применение практически во всех областях науки техники и обыденной жизни. Это и нанопровода ...
... собственными локализованными электронными возбуждениями внутри наночастиц. Если массив таких наночастиц сформировать в диэлектрической или полупроводниковой среде, его диэлектрические и оптические свойства существенно изменяются. В таком композитном метаматериале металл-полупроводник ...
... удостоен премии Совета министров СССР. Разработанная с его участием «Автоматизированная система для исследования электрофизических свойств полупроводников» в 1972 году получила золотую медаль на Лейпцигской ярмарке. А. Я. Олейников продолжает активно трудиться, занимаясь исследованиями ...
... применении нитрида индия является высокая концентрация дефектов и примесей в формируемых кристаллах. Поэтому долгое время считалось, что этот полупроводник обладает шириной запрещённой зоны (физический параметр материала) порядка 1,8–2,1 эВ. Ширина запрещённой зоны определяет основные ...
Сотрудники Национального исследовательского технологического университета «МИСиС», Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) и Объединённого института ядерных исследований (Дубна) получили стабильный материал,...
В День российской науки девятиклассники Новосибирска и Краснообска побывали в лабораториях Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Школьники узнали о возможных героях электроники будущего – графене и диоксиде ванадия, а также послушали ...
... развития Китая. Страна встала на путь обретения технологического суверенитета и полного набора производственных компетенций, включая полупроводники, искусственный интеллект, биотехнологии. Осуществление этих планов превратит Китай в мирового экономического лидера, к которому ...
... кинетически-согласованные разностные схемы. На его счету выдающиеся достижения в области математического моделирования субмикронных полупроводниковых приборов, важный вклад в создание квазигидродинамической модели, позволившей корректно описывать электронно-дырочную ...
... сказать – я являюсь по традиции членом совета директоров международного совета, который объединяет всех разработчиков и производителей в полупроводниковой промышленности. И мы активно и продуктивно работаем уже на протяжении многих десятилетий. – Вернемся к российской повестке....
... членах остались. О себе скажу, по личному опыту. Я вхожу в GSA, эта организация объединяет разработчиков и производителей в области электроники, полупроводниковой промышленности со всего мира. Я – в европейском совете директоров. Несмотря на то что НИИМЭ, институт, в котором работаю,...
Специалисты Института физики микроструктур РАН, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали микродисковый лазер с термоэлектрическим охлаждением для среднего инфракрасного (ИК) диапазона ...
Коллектив исследователей из ФИАН и МФТИ разрабатывает подход, который в перспективе позволит без прямого контакта с полупроводником вылечивать в нем некоторые типы дефектов. Ученые демонстрируют возможность «выгонять» дефект из полупроводниковой структуры ...
... второй важнейший прибор в технологиях микроэлектроники помимо литографа, позволяющий вводить примеси в поверхностный слой каких-либо полупроводниковых пластин. Работа ведётся совместно с НИИ точного машиностроения (Зеленоград), разрабатывающим систему подготовки и перемещения ...
... об изменении этой системы с начала 2024 года. Нейросети ждут закона – Ядерный и космический проекты, освоение Севморпути, радиолокация и полупроводниковая «революция» обеспечили СССР место супердержавы, а решающую роль в них сыграла отечественная наука. Могут ли сегодня таким ...
На тридцатом новогоднем семинаре учёные Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Института цитологии и генетики СО РАН, Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, Института химической ...
... разрушением комплексов для многоразового использования сенсоров , — рассказал один из авторов работы, Олег Снигирёв , заведующий кафедрой физики полупроводников физического факультета МГУ. — Д ля решения этой проблемы был разработан биосенсор со встроенным терморегулятором, который ...
Работа большинства специалистов Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН связана с тонкими кристаллическими пленками ― их созданием, диагностикой, постростовыми процедурами....
... современную оптику и физические основы электроники, физику газового и вакуумного разряда, теплофизику плавления сверхтугоплавких веществ, физику полупроводниковых наноструктур, физику и оптику плазмы, люминесценцию конденсированных сред, медицинские приложения физических процессов,...
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) при поддержке Российского научного фонда провел Школу молодых ученых «Актуальные проблемы ...
... по 1 декабря 2023 года в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН прошел IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (КОИПСС), который был посвящен памяти выдающегося физика и организатора Симпозиума академика Олега ...
... нового поколения, обеспечивающих повышенную скорость передачи данных. Соответственно, перед учёными стоит задача разработки новых типов полупроводниковых материалов, перспективных для внедрения в массовое производство оптоэлектронных компонентов. Совместное исследование ...
Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН обнаружили новые свойства тонких плёнок селенида висмута, проводя исследования в рамках крупного ...
... синтеза карбида кремния на кремнии. Кремния сегодня применяется в большинстве различных гаджетов и приборов, в частности, светодиодах и полупроводниковые лазерах, солнечных батареях, мобильных телефонах, радарах, холодильниках и видеоаппаратуре. Одним словом, кремний — базовый ...
... физического, химического факультетов и НИИЯФ МГУ уже несколько лет проводят работы по созданию наноразмерной мультисенсорной системы на основе полупроводниковых наноструктур для изучения фундаментальных принципов взаимодействия различных биологических объектов со специфичными ...
... электрометрии СО РАН продолжается исследование формирования упорядоченных периодических структур на поверхности металлов (титан, хром, гафний) и полупроводников (кремний, германий). Титан, хром, гафний и их оксиды относятся к важным тугоплавким материалам, широко используемым в различных ...
... промышленного синтеза этиленоксида» , — рассказал начальник научно-исследовательской лаборатории атомной модификации и анализа поверхности полупроводников МИЭТ Борис Логинов . Сотрудники МИЭТ и Центра естественно-научных исследований ИОФ РАН впервые обнаружили серию двумерных ...
Сотрудники кафедр неорганической химии и радиохимии химического факультета МГУ изучили механизм работы нетоксичных термоэлектриков на основе соединений меди и халькогенов (серы и селена). Полученные данные помогут улучшить термоэлектрические свойства минералов, а их нетоксичность открывает путь к промышленному использованию изученных соединений. Работа выполнена в рамках национального проекта «Наука и университеты», который призван поддерживать и развивать научную деятельность и образование в России...
... ФИЦ РАН Анастасия Егорова . Квантовые точки — это наноразмерные (нанометр это миллионная часть миллиметра) частицы, состоящие из особых полупроводниковых материалов. Преимущество таких объектов — высокая яркость и фотостабильность, поэтому они светят долго и не «выгорают» ...
... университета, Сибирского федерального университета, Национального исследовательского центра «Курчатовский Институт», Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Института катализа имени Г. К. Борескова СО РАН. Источник: КНЦ СО РАН .
На Школе молодых ученых « Оптика и фотоэлектрика квантовых систем» , прошедшей в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, заведующий лабораторией нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики ИФП СО РАН член-корреспондент ...
Учёные Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН обнаружили новые квантовые явления в транспорте электронов. Эффекты связаны с наблюдением и исследованием ...
... сотрудничестве с Новосибирским институтом органической химии им. Н. Н. Ворожцова, Международным томографическим центром, Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова и Институтом автоматики и электрометрии СО РАН Текст: Полина Щербакова. Источник: «Наука в Сибири» .
... прорывной технологии выращивания буферного слоя карбида кремния на кремнии, на основе которого и будут формироваться слои других широкозонных полупроводников на кремнии. Получаемые подложки отличаются тем, что имеют лучшую согласованность параметров кристаллических решеток и ...
Учёные определили, что повысить мощность полупроводниковых лазеров можно с помощью барьерных слоев, препятствующих «утечке» электронов из активной зоны лазера, в которой генерируется ...
... активность получаемых на их основе композитов. Исследование опубликовано в Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. Термоэлектрические материалы — это полупроводниковые вещества, которые способны конвертировать тепло в электричество и наоборот. Они применяются в составе термоэлектрических ...
... Президента РФ в научно-технологической сфере» по направлению «Микроэлектроника». Среди десяти победителей — проект Института физики полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН «Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) ...
... и разработки в пяти важнейших на тот момент направлениях развития радиоэлектроники: процессы в электронных приборах на радиочастотах; полупроводниковые материалы и структуры; излучение и распространение радиоволн в пространстве; новые методы измерений на сверхвысоких ...
... обработки, высокая продуктивность биомассы и высокая биосорбционная способность к металлам. Оксид индия, широко применяемый в качестве полупроводника для фотокаталитического разложения, солнечных батарей и газовых сенсоров, также хорошо показал себя в качестве адсорбента....
... фонда. Результаты исследования опубликованы в журнале Королевского химического общества Dalton Transactions. Фуллерены — важный класс углеродных полупроводниковых материалов. Они активно применяются в молекулярной электронике, входят в состав полевых транзисторов, полимерных и перовскитных ...
..., Троицка и других. В рамках Конференции работали тематические секции: Экстремальный свет Сверхбыстрые явления в ионизированных газах, полупроводниках и металлах Сверхбыстрые лазерные технологии и структурированный свет в микрооптике и нанофотонике Алмазная фотоника Сверхбыстрые ...
..., в текущем ожидаем прирост более 20%. Реализуются якорные проекты по созданию перспективного технологического оборудования для выпуска полупроводников, строятся новые производственные площадки. Крупнейшие торговые компании трансформируются в торгово-промышленные холдинги....
Молодой ученый Института физики полупроводников РАН в процессе исследования квантовых точек на основе нитрида галлия (GaN) вместе с коллегами впервые обнаружил необычный ...
... транзисторов в интегральных схемах. Традиционные технологии также трансформировались в нанотехнологии – прецизионные методы создания полупроводниковых топологически упорядоченных структур. Промышленность за быстро меняющимися трендами уследить не может. Прежде, чем попасть ...
... свойства. «Алексей Екимов первым пришел к выводу, что органические молекулы, которые придают окраску различным объектам, можно заменить полупроводниками, и цвет от этого будет более ярким и долговечным. Мы очень рады, что Нобелевская премия присуждена нашему соотечественнику,...
... Мунги Бавенди (Moungi G. Bawendi), Луис Брюс (Louis E. Brus) и Алексей Екимов (Alexei I. Ekimov). Квантовая точка — её еще называют искусственным атомом — фрагмент полупроводника, в котором электроны находятся в потенциальной яме — «заперты» и не могут свободно двигаться по всему кристаллу. Свойства ...
Сотрудники Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН разработали новую методику осаждения частиц оксида платины (PtO–PtO 2 ) на полупроводник TiO 2 путём контролируемого гидролиза сернокислого раствора гидроксида платины(IV). Разработанная методика представляет собой ...
Молодые учёные Лаборатории квантовой электроники Института оптики атмосферы им. В.Е.Зуева СО РАН разработали и исследовали полупроводниковый источник возбуждения активных сред на самоограниченных перехода атомов металлов с частотой следования импульсов (ЧСИ) ...
... отличающейся от квалификации коллег. Поэтому лаборатория стала уникальной структурой, состоящей из специалистов в таких областях науки, как физика полупроводников, сверхпроводимость, свойства магнитных наноструктур, а также многослойная оптика мягкого рентгеновского и экстремального ...
... использованы для генерации света с ненулевым орбитальным угловым моментом (ОУМ) или для обнаружения хиральных молекул. В случае металлов и полупроводников хиральность образующихся спиралевидных микроструктуры зависит от топологического заряда (ТЗ) освещающего оптического ...
Начало | Пред. | 2 3 4 5 6 | След. | Конец