Поиск
член секции член комиссии член бюро отделения
Сотрудники Института проблем машиноведения РАН создали абсолютно новую технологию получения карбида кремния на кремнии — кристаллического материала для микроэлектроники, по характеристикам превосходящего использующиеся в настоящее время кремний. Разработанная технология проста и многократно дешевле существующих зарубежных технологий роста карбида кремния на кремнии. Технология позволяет выращивать карбид кремния на кремнии более высокого кристаллического совершенства по сравнению сосуществующими...