Поиск

Разработка ученых Института физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) – апробированные кремниевые ... ... эшелонирования атомных ступеней под действием постоянного тока. После скола или отжига в вакууме поверхность любого кристалла не является идеально ровной ...

Получение графена путем графитизации поверхности карбида кремния для высокотехнологичных отраслей промышленности ... ... и в латеральном направлении подложек карбида кремния, подвергнутых отжигу в вакууме при температуре 1400–1500 ℃. Данными методами определены ...

Сотрудниками лаборатории физики наноструктурных биокомпозитов ИФПМ СО РАН в коллаборации с сотрудниками Томского политехнического ... ... полученных методом ВЧ магнетронного распыления на Zr-Nb подложках в условиях отжига в вакууме. Осаждение покрытий из замещенных гидроксиапатитов ...