Поиск

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок,...

Сотрудники Института физики твёрдого тела им. Ю.А. Осипьяна Российской академии наук совместно с зарубежными коллегами продемонстрировали возможность управления коллективными колебаниями электронов — плазмонами — в полупроводниковых структурах, работающих в терагерцовом диапазоне частот. Сотрудники Института физики твёрдого тела им. Ю.А. Осипьяна Российской академии наук совместно с зарубежными коллегами продемонстрировали возможность управления коллективными колебаниями электронов — плазмонами...

член секции член совета член бюро отделения

... сегодняшний день достаточно широко изучено множество простых материалов, обладающих фотокаталитической активностью (преимущественно полупроводники и оксиды металлов). Ключевым вопросом в настоящее время является повышение их эффективности. В лаборатории «Химия гибридных ...

В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы» форума «Микроэлектроника 2025» директор Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН член-корреспондент РАН Сергей Иванов подробно рассказал о текущих разработках института в области широкозонной фотоники и электроники. В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы» форума «Микроэлектроника 2025» директор Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) член-корреспондент...

Всероссийская конференция и Школа молодых учёных «Фотоника–2025» прошла 8—12 сентября 2025 года в Новосибирске. Научные темы касались разработки и совершенствования полупроводниковых фотонных устройств, работающих в разных диапазонах (ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом), создания интегральной фотоники и материалов для новых оптоэлектронных приложений. Всероссийская конференция и Школа молодых учёных «Фотоника–2025» прошла 8—12 сентября 2025 года в Новосибирске. Научные темы касались...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе. Учёные из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе. Проект «Экран-М» призван использовать преимущества космического вакуума для создания высокочистых полупроводников...

... инфракрасное и видимое лазерное излучение в терагерцовое. Этот инструмент позволяет изучать оптические свойства различных сред, включая металлы, полупроводники, диэлектрики и даже биологические объекты. Терагерцовый спектр находится между инфракрасным и микроволновым диапазонами....

В ФИЦ «Южный научный центр Российской академии наук» (Ростов-на-Дону) разрабатывают перспективные полупроводниковые материалы, способные повысить эффективность современных электронных устройств ФИЦ «Южный научный центр Российской академии наук» (Ростов-на-Дону) совместно с Северо-Кавказским федеральным университетом разрабатывает перспективные полупроводниковые материалы, способные повысить эффективность современных электронных устройств. Заведующий лабораторией физики и технологии полупроводниковых...

... фотокаталитические и фотоэлектрохимические методы, которые протекают при комнатных температурах, и «стартовать» с 1 % платины. Исследователи взяли полупроводники — диоксид титана, оксид вольфрама, оксид цинка, фосфат серебра. Системы, состоящие из полупроводника с нанесённым металлом,...

... класс соединений нашёл своё применение в более высокотехнологичных отраслях, таких как современная молекулярная электроника, сенсорика, полупроводники, солнечные элементы. Одним из актуальных направлений нашей группы является разработка новых фотоактивных соединений, которые ...

член секции член бюро отделения председатель комиссии заместитель председателя регионального отделения

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали низкотемпературную технологию получения нестехиометрических плёнок оксида и оксинитрида кремния в качестве активного слоя элементов энергонезависимой резистивной памяти и предложили новый подход в определении оптимального состава, основанного на установлении ближнего порядка в расположении атомов полученных аморфных плёнок. В будущем этот подход может использоваться при производстве мемристоров — устройств резистивной...

Стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счёт замены собственных дефектов в кристаллической структуре оксидов металлов на примесные. Данная концепция расширяет возможности создания сенсорных материалов с длительным временем устойчивой работы. Сотрудники химического и физического факультетов Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова вместе с коллегами показали, что стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счёт замены собственных...

Научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Университета Лотарингии (Нанси, Франция) изучили механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они первыми в мире обнаружили в этих материалах мемристорный эффект или «эффект памяти», изучили их опто-электрические свойства...

Патент на полезную модель «Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура на основе германо-силикатного стекла для оптоэлектроники» получен Новосибирским государственным университетом. Авторами разработки являются сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ. Полезная модель относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использована для систем регистрации оптической...

Сотрудники лаборатории новых материалов для солнечной энергетики ФНМ МГУ и химического факультета МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института впервые применили «допинг» для перовскитных солнечных батарей. Сотрудники лаборатории новых материалов для солнечной энергетики ФНМ МГУ и химического факультета МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института впервые применили «допинг» для перовскитных солнечных батарей. Результаты исследования опубликованы в журнале Американского химического...

Что такое органические полупроводники? В чём их преимущества? Какие тут имеются отечественные разработки? Есть ли среди них уникальные? Почему дирижабли вновь могут ...

... тепловую энергию в электрическую и наоборот, и высокой проводимостью. Он также является сильно легированным полупроводником p-типа. Такие полупроводники обладают большим количеством носителей положительного заряда в кристаллической решётке, используются для преобразования ...

Сотрудники Института металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева РАН (Нижний Новгород) разработали принципиально новый подход, позволяющий получать переключаемые спиновые системы, не содержащие ионов переходных металлов. Предложенные системы представляют собой комплексы с переносом заряда на основе диоксоленовых производных германия с бис-иминопиридиновыми лигандами. Комплексы с переносом заряда (КПЗ) — это молекулярные образования, в которые входят два типа компонентов: акцепторы, обладающие высоким...

Глава Российской академии наук Геннадий Красников принял участие в работе крупнейшей научной конференции по физике полупроводников (РКФП-XVI) в Алфёровском университете и Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, прочитав завершающий доклад «Микроэлектроника и квантовые технологии» на пленарной сессии. Академик Геннадий Красников рассказал об особенностях работы полупроводниковых устройств, микроэлектронике и перспективах данной отрасли. Он отметил стремительный прогресс в области вычислений...

... разных городов России и стран СНГ. Основные разделы программы посвящены наиболее актуальным проблемам физики полупроводников: объёмные полупроводники; эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности; оптическая микроскопия; двумерные и одномерные системы, гетероструктуры ...

Новый материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряжённые со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы. Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в высокорейтинговом журнале Small . Традиционная электроника на основе кремниевой платформы подошла к своему технологическому пределу. Для обеспечения компактности и функциональности элементной базы электроники необходимы новые...

Сотрудники Института проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербургского государственного университета, Академического университета им. Ж.И. Алфёрова РАН, Института аналитического приборостроения РАН и Высшей школы экономики изучили механизм формирования трёхмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галлий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи. Результаты исследования опубликованы в ACS Applied...

Новая методика позволяет получить наноструктурные материалы на основе диоксида циркония с большим количеством кислородных вакансий — участков, вовлечённых в проведение тока. Обычно при комнатной температуре диоксид циркония содержит мало кислородных вакансий, но авторам удалось управлять их числом благодаря синтезу в вакуумной камере в плазме аргона и кислорода при очень низком давлении — в десятки тысяч раз меньше атмосферного. Синтезированные материалы перспективны в электронике как элементы запоминающих...

Новый материал из разряда органических 2D-полимеров на основе особых молекул разработали сотрудники МФТИ и Института биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН. Наноразмерные поры в этом материале-монослое можно легко контролировать с помощью дизайна молекул, обеспечивая уникальное сочетание стабильности, упругости и ширины запрещённой зоны полупроводника. Потенциальное применение 2D-полимеров — изготовление элементов гибкой и управляемой оптоэлектроники. Результаты проекта опубликованы в международном...

Сотрудники НИУ Московский физико-технический институт и Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН исследовали поведение полностью экранированных двумерных плазмонов — локализованных электромагнитных волн, распространяющихся по поверхности металлов. Оказалось, что они ведут себя подобно тому, как колеблется вода в неглубоком бассейне. Статья опубликована в журнале Physical Review B . Уникальные электромагнитные волны, именуемые поверхностными плазмонными поляритонами или просто...

На основе арсенида галлия созданы компактные фотоэлектрические преобразователи — устройства, способные вырабатывать электричество под действием лазерных лучей. Авторы выяснили, что минимальный размер таких преобразователей, при котором они не теряют эффективности, составляет 0,2 миллиметра. Полученные приборы позволят развивать технологию беспроводной передачи энергии на большие расстояния — она упростит электроснабжение космических аппаратов, а также будет востребована в наземных условиях. Результаты...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН моделируют электронную и атомную структуру, а также дефекты в диэлектриках, используемых в работе приборов резистивной и сегнетоэлектрической памяти. Это позволяет сохранять информацию на вычислительном устройстве длительное время при его отключении от питания, что делает память энергонезависимой. В будущем результаты работы новосибирских учёных могут быть использованы для создания новых универсальных видов памяти. Статья об этом...

член отделения член секции член регионального отделения

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН прошел традиционный конкурс научных работ. Специалисты Института представили доклады по двум направлениям: «Фундаментальные исследования» и «Научно-прикладные исследования и технологические работы». Директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Васильевич Латышев напомнил, что в 2024 году конкурс посвящён 60-летию Института, и отметил: «В конкурсе участвуют и молодые, и более опытные специалисты Института, представляя лучшие результаты научных...

... нанокристаллов: от магнитного полярона до оптического выстраивания». А также профессора Р.Б. Васильев «Хиральные 2D органо-неорганические полупроводники на основе соединений AIIBVI для фотоники», М.А. Грин «Макрогетероциклы порфириновой природы и их металлокомплексы для флуоресцентной ...

член отделения член секции член президиума регионального отделения член президиума

Исследования электронных эффектов в системах с пониженной размерностью стали передовым направлением науки из-за экзотического и легко настраиваемого характера квантовых явлений. Недавно был открыт новый класс 2D-ультратонких металлоксенов LnX 2 , состоящий из треугольной решётки ионов лантаноидов (Ln) в сочетании с 2D-ксенами — силиценом или германеном. До настоящего времени исследования этих материалов ограничивались изучением их магнитных и транспортных свойств, тогда как электронные свойства и...

Что представляет собой физика полупроводников? Почему полупроводники всегда будут сохранять свою актуальность, несмотря на развитие квантовых технологий? Можно ли сравнить путешествие в микромир ...

Двадцать четвёртого апреля 1964 года вышло постановление президиума АН СССР об организации Института физики полупроводников. Институт известен во всем мире, как одна из ведущих организаций в области исследования поверхностных свойств тонких кристаллических плё нок, полупроводниковых материалов, их границ раздела и создания новых полупроводниковых приборов. Тонкие полупроводниковые плёнки и явления, возникающие на границе раздела полупроводников, лежат в основе современных цифровых приборов. Когда...

... покрытий, из которых делаются интегральные схемы. И тут встает задача — а какие материалы использовать? Многие стандартные материалы: металлы, полупроводники хорошо исследованы (даже в терагерцевом диапазоне), но только сделано это с помощью классических спектроскопических методов ...

Сотрудники Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) разработали прототипы мемристоров (элементов памяти) для матриц энергонезависимой памяти большого объёма, определили каким должен быть состав активных слоёв, чтобы получать мемристоры с лучшими характеристиками и предложили неразрушающий метод контроля состава слоев во время их синтеза. Компьютерная память нового типа — универсальная, она может совмещать в себе энергонезависимость как флэш-память или жёсткий диск, высокую...

Взаимодействие света с металлическими наночастицами может обеспечить локализацию и усиление оптических полей на субволновых масштабах. Эти явления вызваны взаимодействием световой волны с собственными локализованными электронными возбуждениями внутри наночастиц. Если массив таких наночастиц сформировать в диэлектрической или полупроводниковой среде, его диэлектрические и оптические свойства существенно изменяются. В таком композитном метаматериале металл-полупроводник возникают локализованные поверхностные...

... развития Китая. Страна встала на путь обретения технологического суверенитета и полного набора производственных компетенций, включая полупроводники, искусственный интеллект, биотехнологии. Осуществление этих планов превратит Китай в мирового экономического лидера, к которому ...

Специалисты Института физики микроструктур РАН, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали микродисковый лазер с термоэлектрическим охлаждением для среднего инфракрасного (ИК) диапазона на основе полупроводниковых наноструктур теллурида кадмия и ртути. Новый ИК лазер способен работать на разных длинах волн. Полупроводниковый материал для лазера выращен в ИФП СО РАН: сегодня это единственный в мире научный центр, обладающий технологией синтеза требуемых волноводных структур —...

... группы исследовательских и образовательных учреждений Японии, США, России, Южной Кореи и Бельгии» , ― добавил исследователь. Взрывоопасные полупроводники О новых полупроводниковых материалах 2023 года слушатели узнали от заведующего лабораторией физических основ материаловедения ...

Группа сотрудников физического, химического факультетов и Научно-исследовательского институту ядерной физики МГУ представили систему для детектирования специфичных биообъектов (антитела, аптамеры, олигонуклеотиды), которую можно использовать многократно. Исследования проводились в рамках Междисциплинарной научно-образовательной школы МГУ «Фотонные и квантовые технологии. Цифровая медицина». Результаты работы опубликованы в журнале «Вестник Московского университета». Сам сенсор представляет собой...

Работа большинства специалистов Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН связана с тонкими кристаллическими пленками ― их созданием, диагностикой, постростовыми процедурами. От поверхностных свойств таких объектов зависят параметры перспективной квантовой электроники, область ее применения. Например, учёные ИФП СО РАН исследуют свойства пироэлектриков ― соединений ниобата бария-стронция, перспективных для создания инфракрасных фотоприёмников, а также ферромагнетиков, на основе которых...

Развитие современных систем скоростной оптической связи и вычислительных систем направлено на снижение размера и энергопотребления оптических интегральных схем. Успешное решение задачи миниатюризации электроники требует разработки новых конкурентоспособных и экономически оправданных технологий их производства. Сегодня существенная проблема, ограничивающая развитие таких систем — несовместимость материалов и технологий, применяемых для создания источников светового излучения, передающего информацию...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН обнаружили новые свойства тонких плёнок селенида висмута, проводя исследования в рамках крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники». В ИФП СО РАН при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-72-30023) прошла Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» . Молодые учёные, аспиранты и студенты прослушали курс из тринадцати лекций, касающихся разных методов исследования...

В рамках гранта РНФ (21-72-20162) в Институте автоматики и электрометрии СО РАН продолжается исследование формирования упорядоченных периодических структур на поверхности металлов (титан, хром, гафний) и полупроводников (кремний, германий). Титан, хром, гафний и их оксиды относятся к важным тугоплавким материалам, широко используемым в различных областях промышленности. Температура их плавления попадает в диапазон 1700–2800 °C, также они обладают высокой прочностью, устойчивы к коррозии, способны...

Сотрудники кафедр неорганической химии и радиохимии химического факультета МГУ изучили механизм работы нетоксичных термоэлектриков на основе соединений меди и халькогенов (серы и селена). Полученные данные помогут улучшить термоэлектрические свойства минералов, а их нетоксичность открывает путь к промышленному использованию изученных соединений. Работа выполнена в рамках национального проекта «Наука и университеты», который призван поддерживать и развивать научную деятельность и образование в России...

Института проблем машиностроения РАН (Санкт-Петербург) получил грант РНФ по теме, предложенной компанией АО «Эпиэл». Грант направлен на разработку технологии создания нового типа подложек для будущего производства гетероструктур нитрида галлия для эффективных транзисторов со сверхбыстрыми электронами. Учё ные ИПМаш РАН работают над созданием подложек, на которых будут получать такие структуры. «Мы начали крупный проект, который был поддержан грантом Российского научного фонда. Его суть состоит в...

... приоритет в области полупроводниковых лазеров. Или тоже нобелевские лауреаты Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн, когда исследовали полупроводники, ненароком обнаружили транзисторный эфир. Поэтому, да, должен обязательно присутствовать некий элемент везения в этом вопросе....