Поиск
... эпитаксии нитридов алюминия-галлия (AlGaN) для создания полупроводниковых устройств, работающих в среднем... ... далее углубление в различные типы конструкций наногетероструктур: сверхрешёток, сверхтонких... ... ФТИ РАН в исследованиях карбида кремния (SiC) и технологии силовых диодов Шоттки на его основе...
... перспективные полупроводниковые материалы, способные повысить эффективность современных электронных устройств. Заведующий лабораторией физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур для СВЧ-электроники и фотоники ЮНЦ РАН Александр Пащенко : «Наша лаборатория выполняет государственное задание по разработке ...
... член-корреспондент Российской академии наук, член Президиума СПбО РАН, учё ный с мировым именем, выдающийся специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур. Главные направления научной деятельности известного физика — исследования полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ...
член отделения член секции заместитель председателя член президиума регионального отделения
... конструкций мощных многомодовых и одномодовых полупроводниковых лазеров. По словам директора... ... ведутся по двум направления. Первое — развитие технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей... ... молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией наногетероструктур. Созданы образцы солнечно-слепые...
... выдвинутые на премию, посвящены изучению закономерностей формирования наногетероструктур на основе материалов IV группы (германий-кремний-олово) ... ... исследованиями в области оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниковых структурах, развивал метод оптической эллипсометрии, разрабатывал технологии создания новых классов полупроводниковых широкоформатных ...
... быть организация на ВЗПП-Микрон их опытного производства. Физика и технологии наногетероструктур. Полупроводниковая оптоэлектроника и нанофотоника. Нобелевская премия по физике 2000 г. «За разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и ...
... этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприёмников в ИК-области... ... разработана новая конструкция лазеров с использованием технологии гетероструктур с предельным размерным... ... фотоники среднего УФ диапазона 230-300 нм на основе наногетероструктур AlGaN: фотокатодов, фотодиоды...