Программа мероприятий, посвящённых Дню российской науки — 2026

... только в один из них. Маршрут в термостатированном корпусе ИФП СО РАН (ул. Пирогова, 30). Станция «Атомный конструктор»: молекулярно-лучевая эпитаксия, МЛЭ). Покажем вакуумные установки с «иллюминаторами» — внутри установок идет процесс роста тонких кристаллических плёнок. Установки ...

02.02.2026
Физика и техника полупроводников

... техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения ...

16.12.2025
Член-корреспондент РАН Сергей Иванов рассказал о достижениях в области широкозонных полупроводниковых материалов

... технология роста объёмных кристаллов оксида галлия с использованием отечественного оборудования АО «ЭЗАН» и уникальная для РФ капельная (mist) CVD эпитаксия, позволяющая выращивать как плёнки Ga₂O₃, так и их комплиментарных твёрдых растворов оксида галлия-хрома (CrGa)₂O₃, восприимчивых ...

26.09.2025
Первая российская установка для выращивания полупроводников в космосе прошла испытания и отправлена на МКС

... конструктора проекта, научный сотрудник ИФП СО РАН Константин Фрицлер . В космосе будет тестироваться пока наиболее простой процесс — гомоэпитаксия, то есть рост кристаллической плёнки на подложке того же состава. В данном случае синтезируется арсенид галлия на подложке из арсенида ...

12.09.2025
Иванов Сергей Викторович

член секции член бюро отделения председатель комиссии заместитель председателя регионального отделения

22.05.2025
Латышев Александр Васильевич

член отделения член секции член бюро совета член президиума регионального отделения член бюро комиссии

05.05.2025
XVI Российская конференция по физике полупроводников пройдёт в Санкт-Петербурге

... России и стран СНГ. Основные разделы программы посвящены наиболее актуальным проблемам физики полупроводников: объёмные полупроводники; эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности; оптическая микроскопия; двумерные и одномерные системы, гетероструктуры и сверхрешётки; ...

04.10.2024
Леденцов Николай Николаевич

член отделения член секции член регионального отделения

09.06.2024
Жуков Алексей Евгеньевич

член отделения член секции член регионального отделения член президиума

08.06.2024
В Курчатовском институте создают материалы для электроники будущего

... взаимной диффузии, химических реакциях на интерфейсе, термическом и решеточном несоответствии интегрируемых систем. Неудивительно, что прямая эпитаксия с Si или Ge известна только для нескольких оксидов. Для подавляющего большинства оксидов синтез приводит к поликристаллическим ...

27.04.2023
«ТЕХНОПРОМ – 2022»: участники конгресса «Наука будущего – наука молодых» побывали в Институте физики полупроводников СО РАН

... их них участникам экскурсии показал Тимур Малин , ведущий инженер-технолог лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А 3 В 5 : «Эпитаксия – формирование полупроводниковых пленок на поверхности подложки. Молекулярно-лучевую эпитаксию можно сравнить с напылением....

26.08.2022
25 сентября 2012 года состоялось очередное заседание Президиума Российской академии наук

... состоялось очередное заседание Президиума Российской академии наук Члены Президиума заслушали научное сообщение « Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида галлия и кремния: результаты и перспективные раз работки ». (doc, 34 Kб) Докладчик ...

11.03.2022