Поиск
Сотрудники Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова РАН, входящего в состав НИЦ «Курчатовский институт», экспериментально подтвердили новый метод увеличения эффективности фотопроводящих ...
Сотрудники Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Института физики твёрдого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, МГТУ им. Н.Э. Баумана и университета Тохоку ...
... сверхмощных дорогих лазеров для генерации терагерцовых волн, что также будет существенным преимуществом», – пояснил заместитель директора Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (Москва) Дмитрий Пономарев . Последующие опыты показали, что подобная форма электродов примерно в 50 раз повысила эффективность работы ...
... многом другом рассказывает директор Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской ... ... «Исток», сейчас – Национальный центр сверхвысокочастотной электроники ... ... здесь электроника в твердотельной, полупроводниковой области, то во Фрязине ... ... средства от первого научного мегагранта, вами выигранного. Это неслучайно,...
... консорциум по развитию отечественного научного приборостроения. Создание элементной базы – важная часть этой работы. Группа ученых из МФТИ, Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, МГТУ им. Н. Э. Баумана и Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН разрабатывает оптоэлектронную составляющую для отечественного ...
... организаций, состоящих при Президиуме РАН" № 584 "О назначении исполняющего обязанности директора Учреждения Российской академии наук Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (представление Отделения нанотехнологий и информационных технологий)" № 585 "О делегировании полномочии вице-президенту РАН академику ...
В Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова РАН (ИСВЧПЭ РАН) разработаны и изготовлены монолитные интегральные схемы (МИС) на основе нитрида галлия, способные работать в экстремальных ...
... учредителей журнала «Теория вероятностей и ее применения» РАН (представление Отделения математических наук)" № 3 Постановление Президиума РАН 'Об утверждении директора Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (представление Отделения нанотехнологий и информационных технологий)" № 4 Постановление Президиума ...
... В обсуждении научного сообщения приняли участие: Академик Алдошин Сергей Михайлович, академик Алферов Жорес Иванович, д. т. н., директор Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН Мальцев П.П., к.т.н., зам. директора Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, д. ф-м. н., зав. лабораторией Института ...
... вычислительных центрах России. На заседании рассмотрен вопрос о присуждении премии имени А.А. Расплетина 2015года д.т.н. Петру Павловичу Мальцеву (Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН) за серию работ«Теоретические и практические основы создания монолитных интегральных схем со встроенными антеннами для миллиметрового ...