Поиск
... Достижением ученых ФТИ РАН в этой сфере стал ряд технологических решений, которые позволили создавать источники одиночных фотонов на платформе арсенида галлия (GaAs) — дешёвой и хорошо освоенной отечественными компаниями технологии изготовления компонентов СВЧ-электроники. Это открывает путь ...
... отметил, что параллельно будут развиваться и гибридные системы, включающие фотонные и квантовые технологии, 2D-материалы (например, графен), арсенид галлия и нитрид галлия, которые уже обсуждаются как части будущих архитектур. Геннадий Красников сообщил, что наиболее реалистичный сценарий ...
... наиболее простой процесс — гомоэпитаксия, то есть рост кристаллической плёнки на подложке того же состава. В данном случае синтезируется арсенид галлия на подложке из арсенида галлия. Это один из самых популярных полупроводников, он используется в силовой электронике, для изготовления ...
... обеспечивающих технологическую и оборонную безопасность России. Коллектив лаборатории разрабатывает технологии СВЧ-схем на основе нитрида галлия и арсенида галлия, мощные схемы на основе нитрида галлия для силовой электроники, элементную базу для квантовых схем, например, как ионных ...
... Обнаруженные недавно в оксиде европия магнитные квазичастицы позволяют управлять свойствами материала с помощью малых магнитных полей и света. Арсенид галлия выступает естественным кандидатом для интеграции с EuO, однако учёным пока не удавалось объединить их напрямую в одной системе без ...
... излучением более высокой энергии, на которой у кремния низкая эффективность. Поэтому в качестве материала для таких сенсоров был выбран арсенид галлия, компенсированный хромом. Материал обладает повышенной радиационной стойкостью и чувствительностью к рентгеновскому излучению....
... направлялся на фотоактивную часть преобразователя, которая, в свою очередь, была сделана из арсенида галлия. Когда частицы света попадали на арсенид галлия, имеющий области с электронной и дырочной проводимостью, они превращались в носители заряда. В результате энергия света преобразовывалась ...
... информационные технологии требуют все большей частоты, большей скорости. Можно искать другие полупроводниковые материалы, например использовать арсенид галлия. У него подвижность носителей заряда много выше. Но его очень мало на Земле, где мы его возьмём? А кремния у нас очень много. Это песок,...
... материал. На поверхности подложки учеными ФТИ им. А. Ф. Иоффе выращиваются квантовые точки – миниатюрные «островки» арсенида индия, окруженные арсенидом галлия. Разработки исследователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе проводятся в рамках Дорожной карты «Квантовые вычисления», разработанной ГК «Росатом»,...
... обнаруживать деформации и структурные дефекты. В частности, исследователи зафиксировали непрямозонную фотолюминисценцию нанокристаллов арсенида галлия на поверхности арсенида галлия, с пространственным разрешением десять нанометров. Также ученые предложили и развили метод нанокомбинационного ...
... индустриальные партнеры делают продукцию и запускают ее в производство. В частности, мы изготавливаем многослойные гетероэпитаксиальные структуры арсенида галлия с двумерным электронным газом, с высокой подвижностью, для СВЧ-электроники; подложки кремний-на-изоляторе, изготовленные по запатентованной ...
... Предложенные Г. Я. Красниковым принципы формирования кремниевых транзисторных структур, были также впервые использованы для создания ИС КМОП на арсениде галлия (GaAs).Эти интегральные микросхемы отличаются высоким быстродействием и широко применяются в аппаратуре связи, системах передачи информации ...
... нескольких странах мира, уточнил исследователь. Однако потребность в изготовлении больших многопиксельных матриц из дорогого материала арсенида галлия делает их дорогими в производстве. Авторы решили заменить этот элемент на кремний. «Кремний – гораздо более дешевый материал, не уступающий ...
... источник спин-поляризованных электронов. Степень поляризации электронов у него может быть выше, чем у сложных гетероструктур на основе арсенида галлия (GaAs) , которые обычно используются для таких целей . К тому же, у нашего источника дольше время жизни и больше квантовый выход — с ...
... впечатление и на меня, и на моих коллег. Жорес Алфёров уже тогда предложил к реализации полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре из арсенида галлия с алюминием. И буквально вскоре это произвело переворот в способах передачи, приёма и обработки огромных массивов информации. Алфёров ...
... Общая мировая тенденция показывает, что для создания следующего поколения радиолокационной аппаратуры и ее компонентов вместо кремния и арсенида галлия в качестве основного материала используется нитрид галлия. Благодаря более высокому пробивному напряжению электронные устройства ...
... академии наук Члены Президиума заслушали научное сообщение « Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида галлия и кремния: результаты и перспективные раз работки ». (doc, 34 Kб) Докладчик - член-корреспондент РАН Егоров Антон Юрьевич. В обсуждении ...
... интеграции антенн с монолитными интегральными схемами лег в основу создания ряда разработок в диапазоне частот от 5 до 65 ГГц, изготавливаемых на арсениде галлия и нитриде галлия по заказу Минобрнауки России и Минпромторга России. На заседании рассмотрен вопрос о присуждении премии имени Л....
... совместно с РАН. В первую очередь — использование на телекоммуникационных спутниках высокоэффективных фотопреобразователей из трёхкаскадного арсенида галлия, разработанных на базе работ академика Ж.И.Алфёрова. В настоящее время в космических аппаратах используются фотопреобразователи ...