Академик РАН Владимир Иванов: редкоземельные металлы — «витамины» для промышленности

... главное их применение? С редкоземельными элементами связано создание чипов. Иванов: Дело в том, что для компьютеров в первую очередь нужны полупроводники. Для создания чипов, конечно, нужны и редкоземельные металлы, но в очень ограниченном объёме. Об этом чуть позже, но главное ...

Изменен: 16.03.2026
Путь: Главная / Пресс-центр
«Плазмонные кристаллы» в полупроводниках открывают путь к новым терагерцовым технологиям

Сотрудники Института физики твёрдого тела им. Ю.А. Осипьяна Российской академии наук совместно с зарубежными коллегами продемонстрировали возможность управления коллективными колебаниями электронов — плазмонами — в полупроводниковых структурах, работающих в терагерцовом диапазоне частот. Сотрудники Института физики твёрдого тела им. Ю.А. Осипьяна Российской академии наук совместно с зарубежными коллегами продемонстрировали возможность управления коллективными колебаниями электронов — плазмонами...

Изменен: 03.12.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Новый композит разлагает вредные вещества под действием света на воздухе и в воде

... сегодняшний день достаточно широко изучено множество простых материалов, обладающих фотокаталитической активностью (преимущественно полупроводники и оксиды металлов). Ключевым вопросом в настоящее время является повышение их эффективности. В лаборатории «Химия гибридных ...

Изменен: 10.10.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Член-корреспондент РАН Сергей Иванов рассказал о достижениях в области широкозонных полупроводниковых материалов

В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы» форума «Микроэлектроника 2025» директор Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН член-корреспондент РАН Сергей Иванов подробно рассказал о текущих разработках института в области широкозонной фотоники и электроники. В рамках круглого стола «Широкозонные полупроводниковые и родственные материалы» форума «Микроэлектроника 2025» директор Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) член-корреспондент...

Изменен: 26.09.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
На «Фотонике-2025» обсудили ключевые тренды фотоэлектроники: от фотонных чипов до детекторов спина электронов

Всероссийская конференция и Школа молодых учёных «Фотоника–2025» прошла 8—12 сентября 2025 года в Новосибирске. Научные темы касались разработки и совершенствования полупроводниковых фотонных устройств, работающих в разных диапазонах (ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом), создания интегральной фотоники и материалов для новых оптоэлектронных приложений. Всероссийская конференция и Школа молодых учёных «Фотоника–2025» прошла 8—12 сентября 2025 года в Новосибирске. Научные темы касались...

Изменен: 18.09.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Первая российская установка для выращивания полупроводников в космосе прошла испытания и отправлена на МКС

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе. Учёные из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе. Проект «Экран-М» призван использовать преимущества космического вакуума для создания высокочистых полупроводников...

Изменен: 12.09.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Модернизирована установка для оптической терагерцовой спектроскопии

... инфракрасное и видимое лазерное излучение в терагерцовое. Этот инструмент позволяет изучать оптические свойства различных сред, включая металлы, полупроводники, диэлектрики и даже биологические объекты. Терагерцовый спектр находится между инфракрасным и микроволновым диапазонами....

Изменен: 02.09.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Подготовлена «дорожная карта» для преодоления ограничений в производстве солнечных элементов

В ФИЦ «Южный научный центр Российской академии наук» (Ростов-на-Дону) разрабатывают перспективные полупроводниковые материалы, способные повысить эффективность современных электронных устройств ФИЦ «Южный научный центр Российской академии наук» (Ростов-на-Дону) совместно с Северо-Кавказским федеральным университетом разрабатывает перспективные полупроводниковые материалы, способные повысить эффективность современных электронных устройств. Заведующий лабораторией физики и технологии полупроводниковых...

Изменен: 21.07.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Энергоэффективный метод получения зелёного водорода из аммиака разрабатывают в Сибири

... фотокаталитические и фотоэлектрохимические методы, которые протекают при комнатных температурах, и «стартовать» с 1 % платины. Исследователи взяли полупроводники — диоксид титана, оксид вольфрама, оксид цинка, фосфат серебра. Системы, состоящие из полупроводника с нанесённым металлом,...

Изменен: 01.07.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Юлия Горбунова в День химика: «Профессия химика сегодня более чем востребована»

... класс соединений нашёл своё применение в более высокотехнологичных отраслях, таких как современная молекулярная электроника, сенсорика, полупроводники, солнечные элементы. Одним из актуальных направлений нашей группы является разработка новых фотоактивных соединений, которые ...

Изменен: 25.05.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Разработан новый подход в определении оптимального состава плёнок для мемристоров

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали низкотемпературную технологию получения нестехиометрических плёнок оксида и оксинитрида кремния в качестве активного слоя элементов энергонезависимой резистивной памяти и предложили новый подход в определении оптимального состава, основанного на установлении ближнего порядка в расположении атомов полученных аморфных плёнок. В будущем этот подход может использоваться при производстве мемристоров — устройств резистивной...

Изменен: 15.04.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Повышение стабильности полупроводниковых газовых сенсоров улучшает работу «электронного носа»

Стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счёт замены собственных дефектов в кристаллической структуре оксидов металлов на примесные. Данная концепция расширяет возможности создания сенсорных материалов с длительным временем устойчивой работы. Сотрудники химического и физического факультетов Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова вместе с коллегами показали, что стабильность полупроводниковых газовых сенсоров можно увеличить за счёт замены собственных...

Изменен: 21.03.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Впервые в мире в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стёкол обнаружен мемристорный эффект

Научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Университета Лотарингии (Нанси, Франция) изучили механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стёкол. Они первыми в мире обнаружили в этих материалах мемристорный эффект или «эффект памяти», изучили их опто-электрические свойства...

Изменен: 19.03.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Создана фоточувствительная структура на основе германо-силикатного стекла

Патент на полезную модель «Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура на основе германо-силикатного стекла для оптоэлектроники» получен Новосибирским государственным университетом. Авторами разработки являются сотрудники аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ. Полезная модель относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использована для систем регистрации оптической...

Изменен: 04.03.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
«Допинг» для перовскитных солнечных батарей

Сотрудники лаборатории новых материалов для солнечной энергетики ФНМ МГУ и химического факультета МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института впервые применили «допинг» для перовскитных солнечных батарей. Сотрудники лаборатории новых материалов для солнечной энергетики ФНМ МГУ и химического факультета МГУ совместно с коллегами из Курчатовского института впервые применили «допинг» для перовскитных солнечных батарей. Результаты исследования опубликованы в журнале Американского химического...

Изменен: 21.02.2025
Путь: Главная / Пресс-центр
Член-корреспондент РАН Сергей Пономаренко: «Стоимость хорошего органического полупроводника соизмерима со стоимостью золота»

Что такое органические полупроводники? В чём их преимущества? Какие тут имеются отечественные разработки? Есть ли среди них уникальные? Почему дирижабли вновь могут ...

Изменен: 19.12.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Открыт новый двумерный материал из семейства валлериита

... тепловую энергию в электрическую и наоборот, и высокой проводимостью. Он также является сильно легированным полупроводником p-типа. Такие полупроводники обладают большим количеством носителей положительного заряда в кристаллической решётке, используются для преобразования ...

Изменен: 13.12.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Новый подход для получения переключаемых спиновых систем

Сотрудники Института металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева РАН (Нижний Новгород) разработали принципиально новый подход, позволяющий получать переключаемые спиновые системы, не содержащие ионов переходных металлов. Предложенные системы представляют собой комплексы с переносом заряда на основе диоксоленовых производных германия с бис-иминопиридиновыми лигандами. Комплексы с переносом заряда (КПЗ) — это молекулярные образования, в которые входят два типа компонентов: акцепторы, обладающие высоким...

Изменен: 13.11.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Президент РАН рассказал о развитии микроэлектроники на конференции по физике полупроводников в СПбАУ

Глава Российской академии наук Геннадий Красников принял участие в работе крупнейшей научной конференции по физике полупроводников (РКФП-XVI) в Алфёровском университете и Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, прочитав завершающий доклад «Микроэлектроника и квантовые технологии» на пленарной сессии. Академик Геннадий Красников рассказал об особенностях работы полупроводниковых устройств, микроэлектронике и перспективах данной отрасли. Он отметил стремительный прогресс в области вычислений...

Изменен: 11.10.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
XVI Российская конференция по физике полупроводников пройдёт в Санкт-Петербурге

... разных городов России и стран СНГ. Основные разделы программы посвящены наиболее актуальным проблемам физики полупроводников: объёмные полупроводники; эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности; оптическая микроскопия; двумерные и одномерные системы, гетероструктуры ...

Изменен: 04.10.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Создан новый двумерный магнит, интегрированный в кремниевую электронику

Новый материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряжённые со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы. Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в высокорейтинговом журнале Small . Традиционная электроника на основе кремниевой платформы подошла к своему технологическому пределу. Для обеспечения компактности и функциональности элементной базы электроники необходимы новые...

Изменен: 27.08.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Физики объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств

Сотрудники Института проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербургского государственного университета, Академического университета им. Ж.И. Алфёрова РАН, Института аналитического приборостроения РАН и Высшей школы экономики изучили механизм формирования трёхмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галлий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи. Результаты исследования опубликованы в ACS Applied...

Изменен: 26.08.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Усовершенствована технология производства материала для запоминающих устройств нового поколения

Новая методика позволяет получить наноструктурные материалы на основе диоксида циркония с большим количеством кислородных вакансий — участков, вовлечённых в проведение тока. Обычно при комнатной температуре диоксид циркония содержит мало кислородных вакансий, но авторам удалось управлять их числом благодаря синтезу в вакуумной камере в плазме аргона и кислорода при очень низком давлении — в десятки тысяч раз меньше атмосферного. Синтезированные материалы перспективны в электронике как элементы запоминающих...

Изменен: 06.08.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Создан 2D-материал для гибкой оптоэлектроники

Новый материал из разряда органических 2D-полимеров на основе особых молекул разработали сотрудники МФТИ и Института биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН. Наноразмерные поры в этом материале-монослое можно легко контролировать с помощью дизайна молекул, обеспечивая уникальное сочетание стабильности, упругости и ширины запрещённой зоны полупроводника. Потенциальное применение 2D-полимеров — изготовление элементов гибкой и управляемой оптоэлектроники. Результаты проекта опубликованы в международном...

Изменен: 26.07.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Плазмоны в экранированном прямоугольнике оказались похожи на волны в бассейне

Сотрудники НИУ Московский физико-технический институт и Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН исследовали поведение полностью экранированных двумерных плазмонов — локализованных электромагнитных волн, распространяющихся по поверхности металлов. Оказалось, что они ведут себя подобно тому, как колеблется вода в неглубоком бассейне. Статья опубликована в журнале Physical Review B . Уникальные электромагнитные волны, именуемые поверхностными плазмонными поляритонами или просто...

Изменен: 22.07.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Миниатюрные фотопреобразователи помогут бесконтактно передавать энергию между космическими аппаратами и наземными объектами

На основе арсенида галлия созданы компактные фотоэлектрические преобразователи — устройства, способные вырабатывать электричество под действием лазерных лучей. Авторы выяснили, что минимальный размер таких преобразователей, при котором они не теряют эффективности, составляет 0,2 миллиметра. Полученные приборы позволят развивать технологию беспроводной передачи энергии на большие расстояния — она упростит электроснабжение космических аппаратов, а также будет востребована в наземных условиях. Результаты...

Изменен: 16.07.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Моделирование свойств диэлектриков для приборов памяти

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН моделируют электронную и атомную структуру, а также дефекты в диэлектриках, используемых в работе приборов резистивной и сегнетоэлектрической памяти. Это позволяет сохранять информацию на вычислительном устройстве длительное время при его отключении от питания, что делает память энергонезависимой. В будущем результаты работы новосибирских учёных могут быть использованы для создания новых универсальных видов памяти. Статья об этом...

Изменен: 05.07.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Конкурс научных работ прошёл в Институте физики полупроводников

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН прошел традиционный конкурс научных работ. Специалисты Института представили доклады по двум направлениям: «Фундаментальные исследования» и «Научно-прикладные исследования и технологические работы». Директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Васильевич Латышев напомнил, что в 2024 году конкурс посвящён 60-летию Института, и отметил: «В конкурсе участвуют и молодые, и более опытные специалисты Института, представляя лучшие результаты научных...

Изменен: 31.05.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Физический институт РАН на конференции LUMOS-2024

... нанокристаллов: от магнитного полярона до оптического выстраивания». А также профессора Р.Б. Васильев «Хиральные 2D органо-неорганические полупроводники на основе соединений AIIBVI для фотоники», М.А. Грин «Макрогетероциклы порфириновой природы и их металлокомплексы для флуоресцентной ...

Изменен: 17.05.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Выявление зависимости электронных свойств двумерных магнитных металлоксенов от атомной структуры интерфейса Ln / силицен (германен)

Исследования электронных эффектов в системах с пониженной размерностью стали передовым направлением науки из-за экзотического и легко настраиваемого характера квантовых явлений. Недавно был открыт новый класс 2D-ультратонких металлоксенов LnX 2 , состоящий из треугольной решётки ионов лантаноидов (Ln) в сочетании с 2D-ксенами — силиценом или германеном. До настоящего времени исследования этих материалов ограничивались изучением их магнитных и транспортных свойств, тогда как электронные свойства и...

Изменен: 27.04.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Академик РАН Александр Латышев: «Физика полупроводников будет нужна всегда»

Что представляет собой физика полупроводников? Почему полупроводники всегда будут сохранять свою актуальность, несмотря на развитие квантовых технологий? Можно ли сравнить путешествие в микромир ...

Изменен: 26.04.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Институт полупроводников РАН отмечает 60-летие

Двадцать четвёртого апреля 1964 года вышло постановление президиума АН СССР об организации Института физики полупроводников. Институт известен во всем мире, как одна из ведущих организаций в области исследования поверхностных свойств тонких кристаллических плё нок, полупроводниковых материалов, их границ раздела и создания новых полупроводниковых приборов. Тонкие полупроводниковые плёнки и явления, возникающие на границе раздела полупроводников, лежат в основе современных цифровых приборов. Когда...

Изменен: 24.04.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Готовится база для возможного перехода на терагерцевый диапазон в области телекоммуникаций

... покрытий, из которых делаются интегральные схемы. И тут встает задача — а какие материалы использовать? Многие стандартные материалы: металлы, полупроводники хорошо исследованы (даже в терагерцевом диапазоне), но только сделано это с помощью классических спектроскопических методов ...

Изменен: 19.04.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Новые способы создания элементов для универсальной компьютерной памяти ReRAM

Сотрудники Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) разработали прототипы мемристоров (элементов памяти) для матриц энергонезависимой памяти большого объёма, определили каким должен быть состав активных слоёв, чтобы получать мемристоры с лучшими характеристиками и предложили неразрушающий метод контроля состава слоев во время их синтеза. Компьютерная память нового типа — универсальная, она может совмещать в себе энергонезависимость как флэш-память или жёсткий диск, высокую...

Изменен: 02.04.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Предсказание оптоэлектронных метаматериалов на основе наночастиц внедренных в (Al,Ga)As матрицу

Взаимодействие света с металлическими наночастицами может обеспечить локализацию и усиление оптических полей на субволновых масштабах. Эти явления вызваны взаимодействием световой волны с собственными локализованными электронными возбуждениями внутри наночастиц. Если массив таких наночастиц сформировать в диэлектрической или полупроводниковой среде, его диэлектрические и оптические свойства существенно изменяются. В таком композитном метаматериале металл-полупроводник возникают локализованные поверхностные...

Изменен: 12.03.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Профессор РАН Александр Ломанов: Китай готов стать «партнёром одного окна»

... развития Китая. Страна встала на путь обретения технологического суверенитета и полного набора производственных компетенций, включая полупроводники, искусственный интеллект, биотехнологии. Осуществление этих планов превратит Китай в мирового экономического лидера, к которому ...

Изменен: 19.02.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Разработан перестраиваемый полупроводниковый лазер для среднего инфракрасного диапазона

Специалисты Института физики микроструктур РАН, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали микродисковый лазер с термоэлектрическим охлаждением для среднего инфракрасного (ИК) диапазона на основе полупроводниковых наноструктур теллурида кадмия и ртути. Новый ИК лазер способен работать на разных длинах волн. Полупроводниковый материал для лазера выращен в ИФП СО РАН: сегодня это единственный в мире научный центр, обладающий технологией синтеза требуемых волноводных структур —...

Изменен: 26.01.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Научные прорывы 2023 года глазами сибирских ученых

... группы исследовательских и образовательных учреждений Японии, США, России, Южной Кореи и Бельгии» , ― добавил исследователь. Взрывоопасные полупроводники О новых полупроводниковых материалах 2023 года слушатели узнали от заведующего лабораторией физических основ материаловедения ...

Изменен: 09.01.2024
Путь: Главная / Пресс-центр
Разработаны биосенсоры на основе полевых транзисторов

Группа сотрудников физического, химического факультетов и Научно-исследовательского институту ядерной физики МГУ представили систему для детектирования специфичных биообъектов (антитела, аптамеры, олигонуклеотиды), которую можно использовать многократно. Исследования проводились в рамках Междисциплинарной научно-образовательной школы МГУ «Фотонные и квантовые технологии. Цифровая медицина». Результаты работы опубликованы в журнале «Вестник Московского университета». Сам сенсор представляет собой...

Изменен: 29.12.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Применение атомно-силового микроскопа для исследование скирмионов, пироэлектриков и поверхностных свойств кристаллических плёнок

Работа большинства специалистов Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН связана с тонкими кристаллическими пленками ― их созданием, диагностикой, постростовыми процедурами. От поверхностных свойств таких объектов зависят параметры перспективной квантовой электроники, область ее применения. Например, учёные ИФП СО РАН исследуют свойства пироэлектриков ― соединений ниобата бария-стронция, перспективных для создания инфракрасных фотоприёмников, а также ферромагнетиков, на основе которых...

Изменен: 28.12.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Новый материал, совместимый с кремниевой технологией, для создания эффективных устройств нанофотоники

Развитие современных систем скоростной оптической связи и вычислительных систем направлено на снижение размера и энергопотребления оптических интегральных схем. Успешное решение задачи миниатюризации электроники требует разработки новых конкурентоспособных и экономически оправданных технологий их производства. Сегодня существенная проблема, ограничивающая развитие таких систем — несовместимость материалов и технологий, применяемых для создания источников светового излучения, передающего информацию...

Изменен: 08.12.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Выращенный на графене селенид висмута имеет перспективы для гибкой электроники

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН обнаружили новые свойства тонких плёнок селенида висмута, проводя исследования в рамках крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники». В ИФП СО РАН при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-72-30023) прошла Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» . Молодые учёные, аспиранты и студенты прослушали курс из тринадцати лекций, касающихся разных методов исследования...

Изменен: 07.12.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Исследование формирования упорядоченных периодических структур на поверхности металлов и полупроводников

В рамках гранта РНФ (21-72-20162) в Институте автоматики и электрометрии СО РАН продолжается исследование формирования упорядоченных периодических структур на поверхности металлов (титан, хром, гафний) и полупроводников (кремний, германий). Титан, хром, гафний и их оксиды относятся к важным тугоплавким материалам, широко используемым в различных областях промышленности. Температура их плавления попадает в диапазон 1700–2800 °C, также они обладают высокой прочностью, устойчивы к коррозии, способны...

Изменен: 05.12.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Изучен механизм работы нетоксичных термоэлектриков на основе соединений меди и халькогенов

Сотрудники кафедр неорганической химии и радиохимии химического факультета МГУ изучили механизм работы нетоксичных термоэлектриков на основе соединений меди и халькогенов (серы и селена). Полученные данные помогут улучшить термоэлектрические свойства минералов, а их нетоксичность открывает путь к промышленному использованию изученных соединений. Работа выполнена в рамках национального проекта «Наука и университеты», который призван поддерживать и развивать научную деятельность и образование в России...

Изменен: 28.11.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Создан макет подложек для производства российских транзисторов нового поколения

Института проблем машиностроения РАН (Санкт-Петербург) получил грант РНФ по теме, предложенной компанией АО «Эпиэл». Грант направлен на разработку технологии создания нового типа подложек для будущего производства гетероструктур нитрида галлия для эффективных транзисторов со сверхбыстрыми электронами. Учё ные ИПМаш РАН работают над созданием подложек, на которых будут получать такие структуры. «Мы начали крупный проект, который был поддержан грантом Российского научного фонда. Его суть состоит в...

Изменен: 08.11.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Президент РАН Геннадий Красников: «Сначала конкурентный продукт, а потом уже шедевр»

... приоритет в области полупроводниковых лазеров. Или тоже нобелевские лауреаты Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн, когда исследовали полупроводники, ненароком обнаружили транзисторный эфир. Поэтому, да, должен обязательно присутствовать некий элемент везения в этом вопросе....

Изменен: 14.09.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Атомы примесей в полупроводниках можно использовать в качестве кубитов

... широкого применения. Ученые ищут физические системы, в которых можно реализовать кубиты, более устойчивые к шумам. Например, если в некоторые полупроводники добавить примеси, электроны примесных атомов будут долго (по квантовым меркам это несколько наносекунд) сохранять направление ...

Изменен: 25.07.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
О проекте «Квантовые структуры для посткремниевой электроники»

... физических принципах. Ученые работали с разными твердотельными материалами, созданными искусственно, специально под задачи проекта. Это разные полупроводники, изоляторы и сверхизоляторы, многослойные сложные полупроводниковые наноструктуры, гибридные структуры, высокочувствительные ...

Изменен: 23.06.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Синтез фундаментального и прикладного. Интервью с В. В. Кведером к 60-летию Института физики твердого тела РАН

... физику твердого тела. И это не обязательно что-то твердое в механическом смысле. Это все, что нас окружает, – тела, которые сохраняют форму: и полупроводники, и конструкционные материалы, и магнетизм. Скажем, физика полупроводников – это тоже физика твердого тела. Г. В. Курдюмов и ...

Изменен: 16.02.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Президент РАН Геннадий Красников принял участие в круглом столе по истории российского лидерства в области физики

... эксимерных, химических и других лазеров. Н.Г. Басов с О.Н. Крохиным и Ю.М. Поповым были первыми учёными в мире, которые предложили использовать полупроводники в качестве активной среды для лазеров, возбуждаемых различными методами, включая инжекцию носителей через р-п-переход. Этот ...

Изменен: 20.01.2023
Путь: Главная / Пресс-центр
Ученые смогли в 10 раз улучшить свойства уникального полупроводника

Они нашли способ применения материала в электронике. Новые данные о свойствах титаната кальция-меди – полупроводника, способного накапливать много энергии под действием электрического поля – получили ученые Уральского федерального университета совместно с коллегами из Института химии твердого тела УрО РАН. По их словам, результаты исследования позволят разработать целый ряд новых элементов для микроэлектроники, а также создать концепцию, объясняющую уникальные свойства материала. Статья опубликована...

Изменен: 13.10.2022
Путь: Главная / Пресс-центр
«ТЕХНОПРОМ – 2022»: участники конгресса «Наука будущего – наука молодых» побывали в Институте физики полупроводников СО РАН

... охарактеризовал деятельность ИФП СО РАН заместитель директора по научной работе доктор физико-математических наук Александр Милёхин . «Полупроводники применяются во всех типах электроники – это, например, светодиоды, фотодиоды, транзисторы, фотоприемники и так далее. В частности,...

Изменен: 26.08.2022
Путь: Главная / Пресс-центр

Отсортировано по релевантности | Сортировать по дате

Академик РАН Владимир Иванов: редкоземельные металлы — «витамины» для промышленности

16 марта 2026

«Плазмонные кристаллы» в полупроводниках открывают путь к новым терагерцовым технологиям

03 декабря 2025

Новый композит разлагает вредные вещества под действием света на воздухе и в воде

10 октября 2025

Член-корреспондент РАН Сергей Иванов рассказал о достижениях в области широкозонных полупроводниковых материалов

26 сентября 2025

На «Фотонике-2025» обсудили ключевые тренды фотоэлектроники: от фотонных чипов до детекторов спина электронов

18 сентября 2025

Первая российская установка для выращивания полупроводников в космосе прошла испытания и отправлена на МКС

12 сентября 2025

Модернизирована установка для оптической терагерцовой спектроскопии

02 сентября 2025

Подготовлена «дорожная карта» для преодоления ограничений в производстве солнечных элементов

21 июля 2025

Энергоэффективный метод получения зелёного водорода из аммиака разрабатывают в Сибири

01 июля 2025

Юлия Горбунова в День химика: «Профессия химика сегодня более чем востребована»

25 мая 2025

Разработан новый подход в определении оптимального состава плёнок для мемристоров

15 апреля 2025

Повышение стабильности полупроводниковых газовых сенсоров улучшает работу «электронного носа»

21 марта 2025

Впервые в мире в структурах «металл-диэлектрик-проводник» на основе германо-силикатных стёкол обнаружен мемристорный эффект

19 марта 2025

Создана фоточувствительная структура на основе германо-силикатного стекла

04 марта 2025

«Допинг» для перовскитных солнечных батарей

21 февраля 2025

Член-корреспондент РАН Сергей Пономаренко: «Стоимость хорошего органического полупроводника соизмерима со стоимостью золота»

19 декабря 2024

Открыт новый двумерный материал из семейства валлериита

13 декабря 2024

Новый подход для получения переключаемых спиновых систем

13 ноября 2024

Президент РАН рассказал о развитии микроэлектроники на конференции по физике полупроводников в СПбАУ

11 октября 2024

XVI Российская конференция по физике полупроводников пройдёт в Санкт-Петербурге

04 октября 2024

Создан новый двумерный магнит, интегрированный в кремниевую электронику

27 августа 2024

Физики объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств

26 августа 2024

Усовершенствована технология производства материала для запоминающих устройств нового поколения

06 августа 2024

Создан 2D-материал для гибкой оптоэлектроники

26 июля 2024

Плазмоны в экранированном прямоугольнике оказались похожи на волны в бассейне

22 июля 2024

Миниатюрные фотопреобразователи помогут бесконтактно передавать энергию между космическими аппаратами и наземными объектами

16 июля 2024

Моделирование свойств диэлектриков для приборов памяти

05 июля 2024

Конкурс научных работ прошёл в Институте физики полупроводников

31 мая 2024

Физический институт РАН на конференции LUMOS-2024

17 мая 2024

Выявление зависимости электронных свойств двумерных магнитных металлоксенов от атомной структуры интерфейса Ln / силицен (германен)

27 апреля 2024

Академик РАН Александр Латышев: «Физика полупроводников будет нужна всегда»

26 апреля 2024

Институт полупроводников РАН отмечает 60-летие

24 апреля 2024

Готовится база для возможного перехода на терагерцевый диапазон в области телекоммуникаций

19 апреля 2024

Новые способы создания элементов для универсальной компьютерной памяти ReRAM

02 апреля 2024

Предсказание оптоэлектронных метаматериалов на основе наночастиц внедренных в (Al,Ga)As матрицу

12 марта 2024

Профессор РАН Александр Ломанов: Китай готов стать «партнёром одного окна»

19 февраля 2024

Разработан перестраиваемый полупроводниковый лазер для среднего инфракрасного диапазона

26 января 2024

Научные прорывы 2023 года глазами сибирских ученых

09 января 2024

Разработаны биосенсоры на основе полевых транзисторов

29 декабря 2023

Применение атомно-силового микроскопа для исследование скирмионов, пироэлектриков и поверхностных свойств кристаллических плёнок

28 декабря 2023

Новый материал, совместимый с кремниевой технологией, для создания эффективных устройств нанофотоники

08 декабря 2023

Выращенный на графене селенид висмута имеет перспективы для гибкой электроники

07 декабря 2023

Исследование формирования упорядоченных периодических структур на поверхности металлов и полупроводников

05 декабря 2023

Изучен механизм работы нетоксичных термоэлектриков на основе соединений меди и халькогенов

28 ноября 2023

Создан макет подложек для производства российских транзисторов нового поколения

08 ноября 2023

Президент РАН Геннадий Красников: «Сначала конкурентный продукт, а потом уже шедевр»

14 сентября 2023

Атомы примесей в полупроводниках можно использовать в качестве кубитов

25 июля 2023

О проекте «Квантовые структуры для посткремниевой электроники»

23 июня 2023

Синтез фундаментального и прикладного. Интервью с В. В. Кведером к 60-летию Института физики твердого тела РАН

16 февраля 2023

Президент РАН Геннадий Красников принял участие в круглом столе по истории российского лидерства в области физики

20 января 2023
1 - 50 из 52
Начало | Пред. | 1 2 | След. | Конец