Асеев Александр Леонидович
Асеев Александр Леонидович
Телефоны
Адрес электронной почты
Академические должности
Должность
Организационная структура
Дата активности
Должность
член бюро отделения
Организационная структура
Телефон
Должность
член бюро отделения
Организационная структура
Телефон
Факс
+7 (383) 363-4280
Должность
член секции
Должность
член регионального отделения
Организационная структура
Телефон
Факс
+7 (383) 333-2766
Должность
советник президента РАН
Организационная структура
Телефон
Дата активности
22 марта 2023 — настоящее время
Должность
член бюро совета
Организационная структура
Телефон
Профиль
Научные интересы
Изучение атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.
Изучены атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния.
Под руководством и при его непосредственном участии разработана технология получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии и технология формирования полупроводниковых структур с квантовыми ямами, использующихся при изготовлении матричных и линейчатых фотоприёмных устройств для нового поколения инфракрасной техники.
При его активном участии разрабатываются нанотранзисторы в структурах кремний-на-изоляторе, новые типы элементов памяти и элементов силовой электроники.
Являлся вице-президентом РАН, председателем Сибирского отделения РАН, директором Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.
Член Научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя Научного совета «Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем» РАН, председатель докторского диссертационного совета, член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов. Материалы электронной техники», «Crystal Research and Technology», «Микро- и наносистемная техника», «Российские нанотехнологии», электронного журнала «Surface Science and Nanotechnology».
Профессор филиала Кафедры физики полупроводников Томского государственного университета. Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.
Автор и соавтор 200 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.
Награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, грамотами и благодарностями Государственной Думы РФ, Федерального агентства по атомной энергии.
Место работы и должность
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, главный научный сотрудник аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» ФФ.