Академия

Грехов Игорь Всеволодович

академик РАН профессор доктор физико-математических наук

Телефоны

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

член отделения

Должность

член секции

Организационная структура

Должность

член регионального отделения

Организационная структура

Дата активности

19 сентября 2023 — настоящее время

Профиль

Известный учёный в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники.

Родился в 1934 году.

В 1960–1975 гг. он был одним из создателей в СССР новой отрасли промышленности – силового полупроводникового приборостроения и был удостоен за эту работу Ленинской премии (1966 г.).

Проведённый им затем цикл исследований привел к открытию нескольких физических явлений, позволивших разработать новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами, увеличившие на порядки величины их импульсную мощность. На основе этих исследований было создано новое научно-техническое направление – силовая полупроводниковая импульсная энергетика, в которой Россия сейчас занимает лидирующие позиции в мире. За этот цикл работ ему в 1987 г. была присуждена Государственная премия СССР как руководителю работы, а в 2002 г. – Государственная премия России за новые исследования в этом направлении.

За разработку и организацию производства нового поколения силовых диодов и тиристоров, конкурентоспособных на мировом уровне в 2006 г. ему была присуждена премия Правительства РФ, как руководителю работы.

В это же время во ФТИ им. А. Ф. Иоффе им был проведен цикл исследований, в результате которого был предложен и совместно с ЗАО ВЗПП-Микрон разработан новый прибор силовой микроэлектроники – интегральный тиристор с полевым управлением, а также ультрабыстрый диод.
Организация промышленного производства этих приборов позволит резко уменьшить зависимость Российской силовой электроники и преобразовательной техники от импорта элементной базы. 

Была также разработана конструкция и технология первых в России силовых приборов на основе карбида кремния – диодов Шоттки и интегральной структуры биполярного диода с диодом Шоттки, создан первый в мире карбидкремниевый прибор импульсной техники – наносекундный размыкатель тока.

Под его руководством защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников – 10 докторов наук. Является членом ряда научных советов, в том числе научного совета по мощной импульсной энергетике РАН, Совета по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника» РАН, Научно-Координационного совета Федеральной Целевой Программы 2008–2012 гг.

Им опубликованы 4 монографии, более 500 научных работ, он является автором свыше 150 изобретений и патентов, ему присвоено почётное звание «Заслуженный изобретатель РСФСР» (1975 г.). 

Премии и награды

•‎ Орден Дружбы народов (1981).
•‎ Орден Почета (1999).
•‎ Орден Дружбы (2010).


Место работы и должность

194021 г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д. 26.
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, главный научный сотрудник.