Состав Академии

Известный учёный в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники.

Родился в 1934 году.

В 1960–1975 гг. он был одним из создателей в СССР новой отрасли промышленности — силового полупроводникового приборостроения и был удостоен за эту работу Ленинской премии.

Проведённый им затем цикл исследований привел к открытию нескольких физических явлений, позволивших разработать новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами, увеличившие на порядки величины их импульсной мощности.

На основе этих исследований было создано новое научно-техническое направление — силовая полупроводниковая импульсная энергетика, в которой Россия сейчас занимает лидирующие позиции в мире.

В это же время во ФТИ им. А. Ф. Иоффе им был проведён цикл исследований, в результате которого был предложен и совместно с ЗАО ВЗПП-Микрон разработан новый прибор силовой микроэлектроники — интегральный тиристор с полевым управлением, а также ультрабыстрый диод.

Организация промышленного производства этих приборов позволит резко уменьшить зависимость российской силовой электроники и преобразовательной техники от импорта элементной базы. 

Была также разработана конструкция и технология первых в России силовых приборов на основе карбида кремния — диодов Шоттки и интегральной структуры биполярного диода с диодом Шоттки, создан первый в мире карбидкремниевый прибор импульсной техники — наносекундный размыкатель тока.

Под его руководством защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников — 10 докторов наук. 

Является членом ряда научных советов, в том числе научного совета по мощной импульсной энергетике РАН, Совета по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника» РАН, Научно-координационного совета Федеральной целевой программы 2008–2012 гг.

Им опубликованы 4 монографии, более 500 научных работ, он является автором свыше 150 изобретений и патентов.

Премии и награды

• Почётное звание «Заслуженный изобретатель РСФСР», 1975 г. 
• Ленинская премия, 1966 г. 
• Премия Правительства РФ (как руководителю работы). За разработку и организацию производства нового поколения силовых диодов и тиристоров, конкурентоспособных на мировом уровне. 2006 г. 
• Государственная премия СССР (как руководителю работы), 1987 г. 
• Государственная премия Российской Федерации. За исследования в научно-техническое направлении «силовая полупроводниковая импульсная энергетика», 2002 г.
• Орден Дружбы народов, 1981 г.
• Орден Почёта, 1999 г.
• Орден Дружбы, 2010 г.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук, главный научный сотрудник.