Известный учёный в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники.

Им опубликованы 4 монографии, более 500 научных работ. Автор свыше 150 изобретений и патентов.

Родился 10 сентября 1934 г.
Скончался 30 августа 2026 г.

Академик Российской академии наук с 29.05.2008. Являлся членом секции энергетики Отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления, а также Санкт-Петербургского отделения Российской академии наук.

В 1960–1975 гг. был одним из создателей в СССР новой отрасли промышленности — силового полупроводникового приборостроения и был удостоен за эту работу Ленинской премии.

Проведённый им затем цикл исследований привёл к открытию нескольких физических явлений, позволивших разработать новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами, увеличившие на порядки величины их импульсной мощности.

На основе этих исследований было создано новое научно-техническое направление — силовая полупроводниковая импульсная энергетика, в которой Россия сейчас занимает лидирующие позиции в мире.

В это же время в ФТИ им. А. Ф. Иоффе им был проведён цикл исследований, в результате которого был предложен и совместно с ЗАО «ВЗПП-Микрон» разработан новый прибор силовой микроэлектроники — интегральный тиристор с полевым управлением, а также ультрабыстрый диод.

Организация промышленного производства этих приборов предназначена для значительного уменьшения зависимости российской силовой электроники и преобразовательной техники от импорта элементной базы.

Была также разработана конструкция и технология первых в России силовых приборов на основе карбида кремния — диодов Шоттки и интегральной структуры биполярного диода с диодом Шоттки, создан первый в мире карбидкремниевый прибор импульсной техники — наносекундный размыкатель тока.

Под его руководством защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников — 10 докторов наук.

Являлся главным научным сотрудником Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук».

Являлся членом ряда научных советов, в том числе Научного совета по мощной импульсной энергетике РАН, Совета по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника» РАН.

Премии и награды

  • Орден Почёта, 1999 г.
  • Орден Дружбы народов, 1981 г.
  • Орден Дружбы, 2010 г.
  • Ленинская премия, 1966 г.
  • Государственная премия Российской Федерации. За исследования в научно-техническое направлении «силовая полупроводниковая импульсная энергетика», 2002 г.
  • Государственная премия Союза Советских Социалистических Республик (как руководителю работы), 1987 г.
  • Премия Правительства Российской Федерации (как руководителю работы). За разработку и организацию производства нового поколения силовых диодов и тиристоров, конкурентоспособных на мировом уровне, 2006 г.
  • Почётное звание «Заслуженный изобретатель Российской Советской Федеративной Социалистической Республики», 1975 г.
Грехов Игорь Всеволодович
Грехов Игорь Всеволодович
академик РАН
доктор физико-математических наук
профессор