Красильник Захарий Фишелевич

Красильник Захарий Фишелевич
академик РАН профессор доктор физико-математических наук

Телефоны

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

член отделения

Организационная структура

Телефон

Должность

член секции

Организационная структура

Телефон

Должность

член бюро совета

Профиль

Специалист в области физики полупроводниковых наноструктур и наноэлектроники, кремниевой нанофотоники.

Родился 2 ноября 1947 года.

Академик РАН c 30.05.2025 — Отделение физических наук (по специальности «физика и астрономия»). 

Член-корреспондент РАН c 28.10.2016 — Отделение физических наук (секция общей физики и астрономии).

Автор 288 статей (WoS) и 5 авторских свидетельств, в том числе после избрания членом-корреспондентом РАН — 38 статей.

Научные интересы

Предложен и реализован мазер на циклотронном резонансе горячих дырок германия с отрицательными эффективными массами — полупроводниковый аналог вакуумного гиротрона.

Впервые изучены процессы КР и ВРМБ в пьезоэлектрических полупроводниках с дрейфом носителей заряда, выявлены условия развития взрывной электромагнитной неустойчивости.

Выполнены пионерские работы по самоорганизации и люминесценции квантовых точек Ge/Si, по эпитаксии и люминесценции совершенных монокристаллических пленок Si:Er на длине волны 1,5 мкм, мотивировавшие развитие направления «кремниевая нанофотоника».

Предложены и созданы макеты гибридных мини- и микролазеров в области прозрачности кремния на гетероструктурах InGaAs/GaAs/SiGe/Si(100), продемонстрировано управление излучением SiGe гетероструктур с использованием монолитно интегрированных двумерных фотонных кристаллов на высокодобротных модах связанных состояний в континууме.

Развиты методы формирования спинового кубита на квантовых точках в гетероструктурах Si/SiGe с изотопно обогащенным содержанием 28Si и 72Ge.

Развита эпитаксия монокристаллических гетроструктур на InN и впервые получено стимулированное излучение с оптической накачкой на межзонных переходах в районе 1,6 мкм.

Директор ИФМ РАН в 2009–2020 гг., член Научного совета РАН по физике полупроводников, член редколлегий журналов УФН, ФТП, ЖТФ, член ряда учёных и специализированных советов, организатор симпозиумов «Нанофизика и наноэлектроника» и ряда других конференций, заслуженный профессор, завкафедрой ННГУ.

Премии и награды

• Государственная премия СССР.
• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А. В. Гапонова-Грехова Российской академии наук», руководитель научного направления «Физика микро-⁠ и наноструктур».