Красильник Захарий Фишелевич

Специалист в области физики полупроводниковых наноструктур и наноэлектроники, кремниевой нанофотоники.

Родился 2 ноября 1947 года.

Академик РАН c 30.05.2025 — Отделение физических наук (по специальности «физика и астрономия»). 

Член-корреспондент РАН c 28.10.2016 — Отделение физических наук (секция общей физики и астрономии).

Автор 288 статей (WoS) и 5 авторских свидетельств, в том числе после избрания членом-корреспондентом РАН — 38 статей.

Научные интересы

Предложен и реализован мазер на циклотронном резонансе горячих дырок германия с отрицательными эффективными массами — полупроводниковый аналог вакуумного гиротрона.

Впервые изучены процессы КР и ВРМБ в пьезоэлектрических полупроводниках с дрейфом носителей заряда, выявлены условия развития взрывной электромагнитной неустойчивости.

Выполнены пионерские работы по самоорганизации и люминесценции квантовых точек Ge/Si, по эпитаксии и люминесценции совершенных монокристаллических пленок Si:Er на длине волны 1,5 мкм, мотивировавшие развитие направления «кремниевая нанофотоника».

Предложены и созданы макеты гибридных мини- и микролазеров в области прозрачности кремния на гетероструктурах InGaAs/GaAs/SiGe/Si(100), продемонстрировано управление излучением SiGe гетероструктур с использованием монолитно интегрированных двумерных фотонных кристаллов на высокодобротных модах связанных состояний в континууме.

Развиты методы формирования спинового кубита на квантовых точках в гетероструктурах Si/SiGe с изотопно обогащенным содержанием ²⁸Si и ⁷²Ge.

Развита эпитаксия монокристаллических гетроструктур на InN и впервые получено стимулированное излучение с оптической накачкой на межзонных переходах в районе 1,6 мкм.

Директор ИФМ РАН в 2009–2020 гг., член Научного совета РАН по физике полупроводников, член редколлегий журналов УФН, ФТП, ЖТФ, член ряда учёных и специализированных советов, организатор симпозиумов «Нанофизика и наноэлектроника» и ряда других конференций, заслуженный профессор, завкафедрой ННГУ.

Премии и награды

• Государственная премия СССР.
• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А. В. Гапонова-Грехова Российской академии наук», руководитель научного направления «Физика микро-⁠ и наноструктур».