Научные интересы

•‎ Физик-экспериментатор, специалист в области физики полупроводников.

•‎ Широко известен своими пионерскими работами в области электронных свойств дислокаций и других протяженных дефектов в полупроводниках и внес существенный вклад в развитие «инженерии дефектов» в кремнии с дислокациями, имеющей большое практическое значение для современной солнечной энергетики. 

•‎ Активно занимается исследованиями фуллеренов, где им был сделан ряд пионерских работ.

•‎ В его работах впервые экспериментально обнаружены и исследованы различные эффекты, связанные с существованием одномерных электронных зон на дислокациях в кремнии. 

•‎ Им был обнаружен и исследован одномерный вариант эффекта Рашбы («комбинированный резонанс») в ID зонах и показано, что этот эффект является мощным инструментом для исследования электронных состояний протяженных дефектов и других наноразмерных систем. 

•‎ В его работах были подробно исследованы процессы рекомбинации электронов и дырок на дислокациях, включая различные спин-зависимые процессы, исследовано взаимодействие некоторых примесей с дислокациями в кремнии и влияние этих примесей на электронные свойства дислокаций, обнаружена пассивация глубоких дислокационных дефектов водородом и исследованы процессы гетерирования примесей в кремнии с дислокациями.