Научные интересы

Физика конденсированного состояния; фазовые переходы; физика магнитных явлений; функциональные материалы; активные диэлектрики; композитные материалы; тонкие пленки; гетероструктуры влияние дефектов на физические свойства кристаллов вблизи структурных и магнитных фазовых переходов; твердотельная электроника; физическое материаловедение; физические основы нано-, микроэлектроники; элементная база устройств микроэлектроники на новых физических принципах; спинтроника; радиофотоника; новые идеи в области передачи, обработки и хранения информации.

Премии и награды

• Заслуженный деятель науки РФ.
• Государственная премия РФ, 2004.
•‎ Премия Правительства РФ в области науки и техники, 2001.
•‎ Премия Правительства РФ в области образования, 2008.
•‎ Премия Правительства РФ в области науки и техники, 2012.
•‎ Медаль ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологи», 2010.

Персональные профили исследователя

•‎ Web of Science: U-2545-2019.
•‎ Scopus: 35557510600.
•‎ РИНЦ: 17622.
•‎ ORCID: 0000-0002-1216-3339.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА — Российский технологический университет», президент, заведующий кафедрой «Наноэлектроника».

Сигов Александр Сергеевич
Сигов Александр Сергеевич
академик РАН
доктор физико-математических наук
профессор
Телефоны:
+7 (495) 434-7474
Адрес электронной почты:
assigov@yandex.ru sigov@mirea.ru
Академические должности
Должность
Организационная структура
заместитель академика-секретаря Отделения
руководитель секции Отделения
Телефон
+7 (495) 434-7474
Email
assigov@yandex.ru
председатель совета
Телефон
+7 (495) 434-7474
Email
assigov@yandex.ru
член совета
Телефон
+7 (495) 434-7474
Email
assigov@yandex.ru
член совета
член совета
Телефон
+7 (495) 434-7474
Email
assigov@yandex.ru
член совета
Телефон
+7 (495) 434-7474
Email
assigov@yandex.ru
председатель комиссии