Забродский Андрей Георгиевич

академик РАН доктор физико-математических наук

Телефоны

Адрес электронной почты

Академические должности

Должность

Организационная структура

Дата активности

Должность

член отделения

Организационная структура

Телефон

Должность

член секции

Должность

член регионального отделения

Дата активности

19 сентября 2023 — настоящее время

Должность

член бюро совета

Должность

член совета

Дата активности

09 сентября 2025 — настоящее время

Должности в журналах

Должность

Журнал

Дата активности

Должность

главный редактор

Журнал технической физики

Телефон

+7 (812) 297-2375

Профиль

Специалист в области физики полупроводников.

Известен экспериментальными исследованиями прыжкового электронного транспорта, фазового перехода II-го рода металл-изолятор, электронных и спиновых корреляций в неупорядоченных системах — легированных полупроводниках.

С его именем связано открытие роли электронных и спиновых корреляций в этих системах: кулоновско-щелевой природы низкотемпературного изоляторного состояния, эффектов схлопывания кулоновской щели в точке перехода и её теплового «замытия», обнаружение локально магнитоупорядоченных фаз вблизи перехода металл-изолятор в немагнитных полупроводниках. 

Исходя из особенностей кинетики нейтронного трансмутационного легирования природной смеси изотопов германия, сопровождающейся сканированием уровней Ферми состояний в его запрещённой зоне, поставил серию экспериментов на стыке полупроводниковой и ядерной физики, уточнил ядерно-физические постоянные «легирующих» изотопов германия и разработал не имеющий аналогов метод так называемой «фермиуровневой спектроскопии». 

Выполнил цикл работ по созданию высокочувствительной бесконтактной диагностики на основе техники ЭПР и её использованию для исследования кластеров сверхпроводящих, изоляторных и металлических фаз, слабых (в частности, квантовых) магниторезистивных эффектов, локального антиферромагнитного упорядочения донорных спинов вблизи перехода металл-изолятор и регистрации возникающих при этом напряжений кристаллической решетки.

Развивает исследования и разработки в области полупроводниковых и лазерных технологий для задач альтернативной энергетики.

Почётный профессор Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, руководит основанной им кафедрой в СПб ГЭТУ с 1989 г. заведует лабораторией в ФТИ РАН и руководит научной школой. 

Председатель учёного совета ФТИ РАН, член бюро Совета директоров институтов РАН и ряда научных советов РАН, член Президиума СПбНЦ РАН. Член-корреспондент РАН c 29.05.2008 — Отделение физических наук (физика). 

Премии и награды

• Премия Совета Министров СССР.
• Орден Почёта.
• Премия Правительства РФ.
• Орден Дружбы, 2024 г.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук, главный научный сотрудник.