Специалист в области физики и технологии гетероструктур, элементной базы, микро- и наноэлектроники, устройств микросистемной техники, автор и соавтор более 200 научных работ, из них 5 монографий и 50 авторских свидетельств.

Основные научные результаты

Исследованы характеристики фоточувствительных слоев твердого раствора арсенида галлия, легированного марганцем и разработаны конструкции и технологии их эпитаксиального роста.

Разработана и внедрена в производство технология многоэлементных ИК-фотоприемников спектрального диапазона 8-12 мкм с повышенной рабочей температурой и предварительной обработкой сигнала малошумящих усилителей на арсениде галлия.

Решена проблема создания эффективных автоэмиссионных сред для приборов и устройств силовой СВЧ электроники и интегральной эмиссионной электроники субтерагерцового диапазона частот с использованием разработанной технологии изготовления структуры кремний/алмаз/кремний-углеродный туннельнопрозрачный проводящий слой с массивами микроострий на гетерогранице кремний/алмаз.

Разработаны технологии по изготовлению сложных (с элементами и оптической близости) бинарных и фазосдвигающих фотошаблонов уровня 130 нм.

Разработаны принципы конструирования и технологии семейства тепловых МЭМС датчиков, создано их производство на пластинах диаметром 150 мм.

Организовал и руководит ЦКП МИЭТ по производству изделий микросистемной техники и приборов на сложных полупроводниках.

Основные научные публикации

•‎ Беспалов В.А. Пазл для имплантируемой искусственной почки / В.А. Беспалов, С.В. Селищев // МЕДИЦИНСКАЯ ТЕХНИКА. - М. : Медицина, 2021. - № 1. - С. 1-4.
•‎ Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами / В.А. Беспалов, Э.А. Ильичев, И.П. Казаков [и др.]// ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - СПб. : Наука, 2021. - № 9. - С. 3-6.
•‎ Нормально-закрытый транзистор с затвором -типа на основе гетероструктур AlGaN/GaN / В.И. Егоркин, В.А. Беспалов, А.А. Зайцев [и др.]// ИЗВЕСТИЯ ВУЗОВ. ЭЛЕКТРОНИКА. - М. : МИЭТ, 2020. - № 5. - С. 391-401.
•‎ Patyukov, N. N., Demin, G. D., Filippov, N. A., Djuzhev, N. A., Makhiboroda, M. A., &Bespalov, V. A. (2020, July). A Study of Field Electron Emission in a Nanoscale Air-Channel Silicon Diode.In 2020 33rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) (pp. 1-2).IEEE.
•‎ Evsikov, I. D., Demin, G. D., Glagolev, P. Y., Djuzhev, N. A., Makhiboroda, M. A., Bespalov, V. A., ... & Popov, E. O. (2020, July). Circuit Models of Field Emission Silicon Diode and Transistor with a Nanoscale Vacuum Channel.In 2020 33rd InternationalVacuumNanoelectronicsConference (IVNC) (pp. 1-2). IEEE.
•‎ Коршунов А.В., Булах Д.А., Беспалов В. А. "ПРОЕКТИРОВАНИЕ СЕТИ ПИТАНИЯ ТРЕХМЕРНЫХ ИНТЕГРИРОВАННЫХ СИСТЕМ В КОРПУСЕ " «Инноватика в современном мире: опыт, проблемы и перспективы развития», Национальная конференция с международным участием сб. трудов, 2020
•‎ Дюжев Н.А., Демин Г.Д., Филиппов Н.А., Евсиков И.Д., Глаголев П.Ю., Махиборода М.А., Чхало Н.И., Салащенко Н.Н., Филиппов С.В., Колосько А.Г., Попов Е.О., Беспалов B.A. Разработка технологических принципов создания системы микрофокусных рентгеновских трубок на основе кремниевых автоэмиссионных нанокатодов //Журнал технической физики. – 2019. – Т. 89. – №. 12. – С. 1836-1842.
•‎ N. A. Djuzhev, G. D. Demin, N. A. Filippov, I. D. Evsikov, P. Yu. Glagolev, M. A. Makhiboroda, N. I. Chkhalo, N. N. Salashchenko, S. V. Filippov, A. G. Kolosko, E. O. Popov & V. A. Bespalov. Development of Technological Principles for Creating a System of Microfocus X-Ray Tubes Based on Silicon Field Emission Nanocathodes. Tech. Phys. 64, 1742–1748 (2019).
•‎ Беспалов В. А., Капранов Н. В., Трифунович Л Союз инновационно-технологических центров России - партнер Фонда в части ресурсного обеспечения малого инновационного предпринимательства Российской Федерации. Беспалов В.А. (Автор МИЭТ, ПКИМС, Союз ИТЦ России, Зеленоград). // ИННОВАЦИИ. - СПб. : Трансфер, 2019. - № 2. - С. 124-129.
•‎ Конференция по разработкам в области технологии Minimal FAB, 2019 г.
•‎ Беспалов В.А. Для подготовки специалистов будущего вузу необходима развитая производственная и инновационная инфраструктура// ЭЛЕКТРОНИКА: НАУКА. ТЕХНОЛОГИЯ. БИЗНЕС. М.: Техносфера, 2019. № 7. С. 10-15.

Награды и премии

•‎ Премия Президента РФ в области образования.
•‎ Премия Правительства РФ в области науки и техники.
•‎ Орден Дружбы.