Научные интересы

Исследования и разработки в области физики и технологии получения новых полупроводниковых материалов и наногетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии, и создание, на их основе, полупроводниковых приборов опто- и микроэлектроники.

Премии и награды

•‎ Главная премия МАИК «Наука/Интерпериодика» 2000 года за цикл научных статей, посвящённых исследованию гетероструктур с квантовыми точками.
•‎ Премия ФТИ им. А. Ф. Иоффе в 2003 году за работу «Соединения InGaAsN: синтез, свойства и лазеры ближнего инфракрасного диапазона на их основе».
•‎ Премия ФТИ им. А. Ф. Иоффе в 2008 году за работу «Гигантская спиновая поляризация электронов в полупроводнике, обусловленная спин-зависимой рекомбинацией».
•‎ Почётная грамота (с занесением в трудовую книжку 30.12.2009) Санкт-Петербургского академического университета – научно-образовательного центра нанотехнологий РАН «За успехи в выполнении НИОКР по заказам промышленных предприятий».

Персональные профили исследователя

•‎ Web of Science: b-1267-2014.
•‎ Scopus: 7202362169.
•‎ РИНЦ: 7101-2250.
•‎ ORCID: 0000-0002-0789-4241.