Научные интересы

Теория конденсированных сред, транспортных, оптических и спиновых явлений в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах.

Научные публикации

•‎ M.M. Glazov and E.L. Ivchenko, Precession Spin Relaxation Mechanism Caused by Frequent Electron–Electron Collisions. JETP Lett. 75, 403 (2002).
•‎ A.V. Kavokin, G. Malpuech, M.M. Glazov, Optical Spin Hall Effect, Phys. Rev. Lett. 95, 136601 (2005).
•‎ C. Leyder, M. Romanelli, J. Ph. Karr, E. Giacobino, T. C. H. Liew, M. M. Glazov, A. V. Kavokin, G. Malpuech, and A. Bramati, Observation of the optical spin Hall effect, Nature Physics 3, 628-631 (2007).
•‎ M.M. Glazov, S.D. Ganichev, High frequency electric field induced nonlinear effects in graphene, Physics Reports 535, 101-138 (2014).
•‎ Gang Wang, Alexey Chernikov, Mikhail M. Glazov, Tony F. Heinz, Xavier Marie, Thierry Amand, and Bernhard Urbaszek, Colloquium: Excitons in atomically thin transition metal dichalcogenides, Rev. Mod. Phys. 90, 021001 (2018).
•‎ M.M. Glazov, “Electron & Nuclear Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures,” Series on Semiconductor Science and Technology, Oxford University Press Oxford, 2018.
•‎ М.В. Дурнев, М.М. Глазов, Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов, УФН 188, 913–934 (2018).
•‎ М. М. Глазов, Р. А. Сурис, Коллективные состояния экситонов в полупроводниках, УФН 190 1121–1142 (2020).
•‎ Д. С. Смирнов, В. Н. Манцевич, М. М. Глазов, Теория оптически детектируемых спиновых флуктуаций в наносистемах, УФН 191, 973–998 (2021).
•‎ M.M. Glazov, Optical properties of charged excitons in two-dimensional semiconductors J. Chem. Phys. 153, 034703 (2020).

Премии и награды

•‎ Медаль РАН с премией для молодых ученых, 2014 г.
•‎ Премия им. Л. Эйлера Правительства Санкт-Петербурга и СПбНЦ РАН, 2015 г.

Персональные профили исследователя

•‎ Web of Science: I-7768-2013.
•‎ Scopus: 16229866100.
•‎ РИНЦ: 2423-2072.
•‎ ORCID: 0000-0003-4462-0749.