Среди важнейших достижений ИФП СО РАН последних десяти лет — результаты работ, проведенных под руководством З.Д. Квона: исследования новых низкоразмерных электронных систем в квантовых ямах и пленках на основе теллурида ртути.

Дмитрием Харитоновичем с коллегами, была открыта принципиально новая разновидность двумерных электронных систем — двумерный полуметалл, отличительной особенностью которого является перекрытие зон и, как следствие, одновременное существование двумерных электронов и дырок. Впервые реализован переход двумерный металл — двумерный полуметалл, и показано, как электронно-дырочное рассеяние Ландау приводит к росту сопротивления фермиевской системы.

Также был обнаружен целый ряд особенностей транспортного и фотоэлектрического отклика, отражающих все особенности, связанные с основным свойством топологических изоляторов — наличием поверхностных Дираковских состояний с жесткой топологической связью спина и импульса электрона.

Дмитрий Харитонович — автор и соавтор более 300 статей в ведущих российских и международных физических журналах, таких как «Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики», Physical Review Letters и Nature Communications. Его научные результаты признаны у нас в стране и за рубежом. Их индекс цитируемости превышает несколько тысяч.

Научные интересы

Квантовые свойств конденсированных систем таких как:
1) двумерный полуметалл и топологические изоляторы,
2) квантовые проволоки и интерферометры,
3) решетки антиточек и квантовые точки,
4) двумерный электронный газ с большим числом уровней Ландау,
5) тонкие сверхпроводящие пленки.
В указанных системах изучаются такие квантовые явления как эффект Ааронова-Бома, квантовый эффект Холла, квантовый спиновый эффект Холла, кулоновская блокада, динамический хаос, осцилляции магнитосопротивления, индуцированные микроволновым и терагерцовым излучением, переходы металл - изолятор и сверхпроводник-изолятор.

Научные публикации

1 . З.Д. Квон "Квантовый транспорт в решетках связанных электронных биллиардов", Письма в ЖЭТФ, , т.76, 619 (2002)

2. В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.И. Торопов, Д.Г. Бакшеев, О.А. Ткаченко, А.Л. Асеев “Амплитуда осцилляций Ааронова-Бома в малых баллистических интерферометрах ”, Письма в ЖЭТФ, т.79, 168-172 (2004).

3. З.Д.Квон, Е.Б.Ольшанецкий, Д.А.Козлов, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий «Двумерная электронно-дырочная система в квантовой яме на основе HgTe», Письма в ЖЭТФ, т.87, 588 (2008).

4. Е.Б.Ольшанецкий, З.Д.Квон, М.В.Энтин, Л.И.Магарилл, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий «Процессы рассеяния в двумерном полуметалле», Письма в ЖЭТФ, т.89, стр. 338 (2009).

5. G. M. Gusev, E. B. Olshanetsky, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and J. C. Portal «Quantum Hall Effect near the Charge Neutrality Point in a Two-Dimensional Electron-Hole System», PRL, 104, 166401 (2010).

6. G. M. Gusev, Z. D. Kvon, O. A. Shegai et al. «Тransport in disordered two-dimensional topological insulators», PRB, 84, 121302(R) (2011).

7. D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, E. B. Olshanetsky, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and D. Weiss "Transport Properties of a 3D Topological Insulator based on a Strained High-Mobility HgTe Film", Phys.Rev.Lett., 112, 196801 (2014).

8. E. B. Olshanetsky, Z. D. Kvon, G. M. Gusev, A. D. Levin, O. E. Raichev, N. N. Mikhailov, and S. A. Dvoretsky " Persistence of a Two-Dimensional Topological Insulator State in Wide HgTe Quantum Wells", Phys.Rev.Lett., 114, 126802 (2015).

9. A. D. Levin, G. M. Gusev, Z. D. Kvon, A. K. Bakarov, N. A. Savostianova, S. A. Mikhailov, E. E. Rodyakina, and A. V. Latyshev "Giant microwave photo-conductance of a tunnel point contact with a bridged gate", Appl.Phys.Lett, 107, 072112 (2015).

10. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, М.А. Дрофа, Н.Н Михайлов "Андерсоновская локализация в двумерной электронно-дырочной системе", Письма в ЖЭТФ, 114, 377 (2021).