Леденцов Николай Николаевич
Леденцов Николай Николаевич

Телефоны
Адрес электронной почты
Академические должности
Должность
Организационная структура
Дата активности
Должность
член отделения
Должность
член секции
Должность
член регионального отделения
Дата активности
19 сентября 2023 — настоящее время
Профиль
Научные интересы
Физика полупроводников. Физика и технология наноструктур. Эпитаксиальный рост соединений III-V и II-VI.
Научные публикации
• Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanow growth NN Ledentsov, VA Shchukin, ME Grundmann, N Kirstaedter, J Böhrer, ... Physical Review B 54 (12), 8743.
• Quantum dot heterostructures: fabrication, properties, lasers NN Ledentsov, VM Ustinov, VA Shchukin, PS Kop’Ev, ZI Alferov, ... Semiconductors 32 (4), 343-365.
• Epitaxy of Nanostructures VA Shchukin, NN Ledentsov, D Bimberg Springer
Quantum Dot Heterostructures D Bimberg, M Grundmann, D, NN Ledentsov Wiley, Chichester
Low threshold, large T0 injection laser emission from (InGa)As quantum dots N Kirstaedter, NN Ledentsov, M Grundmann, D Bimberg, ѴM Ustinov, ... Electron. Lett 30, 1416.
• InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3µm JA Lott, NN Ledentsov, VM Ustinov, NA Maleev, AE Zhukov, AR Kovsh, ... Electronics Letters 36 (16), 1384-1385.
• Ordered arrays of quantum dots: Formation, electronic spectra, relaxation phenomena, lasing NN Ledentsov, M Grundmann, N Kirstaedter, O Schmidt, R Heitz, J Böhrer, ... Solid-State Electronics 40 (1-8), 785-798.
• Radiative states in type-II GaSb/GaAs quantum wells NN Ledentsov, J Böhrer, M Beer, F Heinrichsdorff, M Grundmann, ... Physical Review B 52 (19), 14058.
• Quantum-dot heterostructure lasers NN Ledentsov, M Grundmann, F Heinrichsdorff, D Bimberg, VM Ustinov, ... IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6 (3), 439-451.
• High performance quantum dot lasers on GaAs substrates operating in 1.5/spl mu/m range NN Ledentsov, AR Kovsh, AE Zhukov, NA Maleev, SS Mikhrin, ... Electronics Letters 39 (15), 1126-1128.
Премии и награды
• Премия Ленинградского Комсомола в области науки и техники, 1986 г.
• Медаль «За трудовое отличие», 1986 г.
• Стипендия Премии имени Александра Карпинского Alexander-Petrowitsch-Karpinskij-Preis, Гамбург, ФРГ, 1989 г.
• Премия международного симпозиума по сложным полупроводниковым соединениям, 1986 г.
• Лауреат стипендии фонда Александра фон Гумбольдта, 1997 г.
• Орден Дружбы, 1999 г.
• Государственная премия Российской федерации в области науки и техники, 2001 г.
• Премия Берлин-Бранденбургской Академии наук, 2002 г.
• Fellow of the Institute of Physics, 2004 г.
• Медаль в ознаменование 300-летия Санкт-Петербурга, 2004 г.
Персональные профили исследователя
ORCID: 0000-0002-6662-9691.
Место работы и должность
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, главный научный сотрудник.