Леденцов Николай Николаевич

Научные интересы

Физика полупроводников. Физика и технология наноструктур. Эпитаксиальный рост соединений III-V и II-VI.

Научные публикации

•‎ Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanow growth NN Ledentsov, VA Shchukin, ME Grundmann, N Kirstaedter, J Böhrer, ... Physical Review B 54 (12), 8743.
•‎ Quantum dot heterostructures: fabrication, properties, lasers NN Ledentsov, VM Ustinov, VA Shchukin, PS Kop’Ev, ZI Alferov, ... Semiconductors 32 (4), 343-365.
•‎ Epitaxy of Nanostructures VA Shchukin, NN Ledentsov, D Bimberg Springer
Quantum Dot Heterostructures D Bimberg, M Grundmann, D, NN Ledentsov Wiley, Chichester
Low threshold, large T0 injection laser emission from (InGa)As quantum dots N Kirstaedter, NN Ledentsov, M Grundmann, D Bimberg, ѴM Ustinov, ... Electron. Lett 30, 1416.
•‎ InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3µm JA Lott, NN Ledentsov, VM Ustinov, NA Maleev, AE Zhukov, AR Kovsh, ... Electronics Letters 36 (16), 1384-1385.
•‎ Ordered arrays of quantum dots: Formation, electronic spectra, relaxation phenomena, lasing NN Ledentsov, M Grundmann, N Kirstaedter, O Schmidt, R Heitz, J Böhrer, ... Solid-State Electronics 40 (1-8), 785-798.
•‎ Radiative states in type-II GaSb/GaAs quantum wells NN Ledentsov, J Böhrer, M Beer, F Heinrichsdorff, M Grundmann, ... Physical Review B 52 (19), 14058.
•‎ Quantum-dot heterostructure lasers NN Ledentsov, M Grundmann, F Heinrichsdorff, D Bimberg, VM Ustinov, ... IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6 (3), 439-451.
•‎ High performance quantum dot lasers on GaAs substrates operating in 1.5/spl mu/m range NN Ledentsov, AR Kovsh, AE Zhukov, NA Maleev, SS Mikhrin, ... Electronics Letters 39 (15), 1126-1128.

Премии и награды

•‎ Премия Ленинградского Комсомола в области науки и техники, 1986 г.
•‎ Медаль «За трудовое отличие», 1986 г.
•‎ Стипендия Премии имени Александра Карпинского Alexander-Petrowitsch-Karpinskij-Preis, Гамбург, ФРГ, 1989 г.
•‎ Премия международного симпозиума по сложным полупроводниковым соединениям, 1986 г.
•‎ Лауреат стипендии фонда Александра фон Гумбольдта, 1997 г.
•‎ Орден Дружбы, 1999 г.
•‎ Государственная премия Российской федерации в области науки и техники, 2001 г.
•‎ Премия Берлин-Бранденбургской Академии наук, 2002 г.
•‎ Fellow of the Institute of Physics, 2004 г.
•‎ Медаль в ознаменование 300-летия Санкт-Петербурга, 2004 г.

Персональные профили исследователя

ORCID: 0000-0002-6662-9691.

Место работы и должность

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, главный научный сотрудник.