Леденцов Николай Николаевич

Научные интересы

Физика полупроводников.

Физика и технология наноструктур.

Эпитаксиальный рост соединений III-V и II-VI.

Научные публикации

• Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanow growth NN Ledentsov, VA Shchukin, ME Grundmann, N Kirstaedter, J Böhrer, ... Physical Review B 54 (12), 8743.
• Quantum dot heterostructures: fabrication, properties, lasers NN Ledentsov, VM Ustinov, VA Shchukin, PS Kop’Ev, ZI Alferov, ... Semiconductors 32 (4), 343-365.
• Epitaxy of Nanostructures VA Shchukin, NN Ledentsov, D Bimberg Springer
• Quantum Dot Heterostructures D Bimberg, M Grundmann, D, NN Ledentsov Wiley, Chichester
• Low threshold, large T0 injection laser emission from (InGa)As quantum dots N Kirstaedter, NN Ledentsov, M Grundmann, D Bimberg, ѴM Ustinov, ... Electron. Lett 30, 1416.
• InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3µm JA Lott, NN Ledentsov, VM Ustinov, NA Maleev, AE Zhukov, AR Kovsh, ... Electronics Letters 36 (16), 1384-1385.
• Ordered arrays of quantum dots: Formation, electronic spectra, relaxation phenomena, lasing NN Ledentsov, M Grundmann, N Kirstaedter, O Schmidt, R Heitz, J Böhrer, ... Solid-State Electronics 40 (1-8), 785-798.
• Radiative states in type-II GaSb/GaAs quantum wells NN Ledentsov, J Böhrer, M Beer, F Heinrichsdorff, M Grundmann, ... Physical Review B 52 (19), 14058.
• Quantum-dot heterostructure lasers NN Ledentsov, M Grundmann, F Heinrichsdorff, D Bimberg, VM Ustinov, ... IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6 (3), 439-451.
• High performance quantum dot lasers on GaAs substrates operating in 1.5/spl mu/m range NN Ledentsov, AR Kovsh, AE Zhukov, NA Maleev, SS Mikhrin, ... Electronics Letters 39 (15), 1126-1128.

Премии и награды

• Премия Ленинградского Комсомола в области науки и техники, 1986 г.
• Медаль «За трудовое отличие», 1986 г.
• Стипендия Премии имени Александра Карпинского Alexander-Petrowitsch-Karpinskij-Preis, Гамбург, ФРГ, 1989 г.
• Премия международного симпозиума по сложным полупроводниковым соединениям, 1986 г.
• Лауреат стипендии фонда Александра фон Гумбольдта, 1997 г.
• Орден Дружбы, 1999 г.
• Государственная премия Российской федерации в области науки и техники, 2001 г.
• Премия Берлин-Бранденбургской Академии наук, 2002 г.
• Fellow of the Institute of Physics, 2004 г.
• Медаль в ознаменование 300-летия Санкт-Петербурга, 2004 г.

Персональные профили исследователя

ORCID: 0000-0002-6662-9691.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук, главный научный сотрудник.