Специалист в области элементной базы вычислительных и телекоммуникационных систем.

Научные интересы

Фундаментальные основы атомно-точных технологий, в частности, атомно-слоевого осаждения, атомно-слоевого травления, создания супер мелко залегающих p-n-переходов в полупроводниках. 

Создание и описание структур с 7-нм поперечными размерами для генерации ТГц излучения, структур с двойными квантовыми точками в канале нанотранзистора для квантовых регистров, также МЭМС и НЭМС структуры для навигационных систем.

Научные публикации

• Куприянов М.Ю. Температурная зависимость критического тока сверхпроводников / Куприянов М.Ю., Лукичев В.Ф. // ФНТ, 1980, т. 6, № 4, с. 445-453.
• Куприянов М.Ю. Влияние эффективного взаимодействия электронов на критический ток джозефсоновских слабых связей / Куприянов М.Ю., Лихарев К.К., Лукичев В.Ф. // ЖЭТФ, 1982, т. 83, вып. 7, с. 431-441.
• Куприянов М.Ю. Влияние прозрачности границ на критический ток «грязных» SS’S структур / Куприянов М.Ю., Лукичев В.Ф. // ЖЭТФ, 1988, т. 94, вып. 6, с. 139-149.
• Lukichev V.F. Experimental study and computer simulation of aspect ratio dependent effeсts observed in silicon reactive ion etching / Lukichev V.F., Rudenko K.V., Fischer D., Voges E., Yunkin V.A. // Microelectronic Engineering. 1996. Т. 30. № 1-4. С. 345-348.
• Lukichev V.F. A New approach to aspect ratio independent etching // Microelectronic Engineering. 1998. Т. 41-42. С. 423-426.
• Lukichev V.F. Etch Rate Scaling and Profile Similarity upon Plasmochemical Etching / Lukichev V.F., Yunkin V.A. // Russian Microelectronics. 1998. Т. 27. № 3. С. 194-203.
• V’yurkov V. V. , S. D. Ananiev, and V. F. Lukichev. Strong Influence of Surface Scattering on the Electron Transport through Magnetic Multilayers. Russian Microelectronics, 2005, V. 34, P. 339–343 (2005). DOI: 10.1007/s11180-006-0001-7.
• Shumilov, A.S. Simulating the chlorine plasma etching profile of high-aspect-ratio trenches in Si / Shumilov A.S., Amirov I.I., Luckichev V.F. // Russian Microelectronics. 2017. Т. 46. № 5. С. 301-308. DOI: 10.1134/S1063739717050092.
• Asadov, S.M. Charge Transport in Layer Gallium Monosulfide in Direct and Alternate Electric Fields / Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N., Lukichev, V.F. // Russian Microelectronics. V. 48 (6), 2019, pp. 422-427. DOI: 10.1134/S1063739719660016.
• Uvarov I.V. Calculation of Performance of MEMS-Switch with Increased Capacitance Ratio / Uvarov I.V., Marukhin N.V., Shlepakov P.S., Lukichev V.F. // Russian Microelectronics, v. 49, pages 253–262 (2020). DOI: https://doi.org/10.1134/S1063739720040113.

Премии и награды

Медаль «850-летие Москвы», 1997 г.

Персональные профили исследователя

• Web of Science: R-6429-2016.
• Scopus: 6603602322.
• РИНЦ: 35827.
• ORCID: 0000-0003-3282-8374.