Неизвестный Игорь Георгиевич
Неизвестный Игорь Георгиевич
Академические должности
Должность
Организационная структура
Дата активности
Должность
член отделения
Должность
член секции
Организационная структура
Должность
член регионального отделения
Профиль
Специалист в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов.
Родился 26 ноября 1931 года в Одессе.
Член-корреспондент РАН c 15.12.1990 – Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база).
В 1956 г. закончил Электромеханический факультет Московского энергетического института, затем занимался научной деятельностью в Физическом институте АН СССР. В 1966 г. защитил кандидатскую диссертацию «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия», в 1980 г. защитил докторскую диссертацию «Исследование границы раздела германий – диэлектрик». В 1983 г. ему было присвоено звание профессора. В 1990 г. избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации АН СССР (специальность «Элементная база»).
В 1962 г. назначен заместителем директора по научной работе Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электронике СО АН СССР (с 1964 г. Институт физики полупроводников – ИФП СО АН СССР, затем РАН). С 1962 г. по 1973 г. и с 1980 г. по 2004 г. – заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН, с 1973 г. по 1980 г. – заведующий Лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур» ИФП СО АН СССР. С 2004 года – советник РАН и заведующий Отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники» ИФП СО РАН.
Сфера научной деятельности
Взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами, компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв, квантовая криптография, поверхностно-барьерные биосенсоры.
Член Научного совета РАН по физике полупроводников, Объединенного совета по физико-техническим наукам СО РАН, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника», член редакционных коллегий журналов «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования», «Physics of low dimensional structures», «Sensor electronics and microsystem technologies», Украинского физического журнала.
Почётный профессор Одесского национального университета им. И. И. Мечникова.
Член-учредитель Азиатско-Тихоокеанской академии материаловедения.
Заведующий филиалом Кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета. Им подготовлено 8 докторов и 12 кандидатов наук.
Автор и соавтор 170 научных работ, из них 5 монографий.
Премии и награды
• Государственная премия РФ по науке и технике.
• Орден Трудового Красного Знамени.
• Благодарность Президента РФ.
Место работы и должность
ФГБУН Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, советник РАН.