Состав Академии

Специалист в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов.

Родился 26 ноября 1931 года в Одессе.

Член-корреспондент РАН c 15.12.1990 — Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база).

В 1956 г. закончил Электромеханический факультет Московского энергетического института, затем занимался научной деятельностью в Физическом институте АН СССР. В 1966 г. защитил кандидатскую диссертацию «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия», в 1980 г. защитил докторскую диссертацию «Исследование границы раздела германий — диэлектрик». В 1983 г. ему было присвоено звание профессора. В 1990 г. избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации АН СССР (специальность «элементная база»).
В 1962 г. назначен заместителем директора по научной работе Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электронике СО АН СССР (с 1964 г. Институт физики полупроводников — ИФП СО АН СССР, затем РАН). С 1962 г. по 1973 г. и с 1980 г. по 2004 г. — заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН, с 1973 г. по 1980 г. — заведующий Лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур» ИФП СО АН СССР. С 2004 года — советник РАН и заведующий Отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники» ИФП СО РАН.

Научные интересы

Взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами, компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв, квантовая криптография, поверхностно-барьерные биосенсоры.

Член Научного совета РАН по физике полупроводников, Объединённого совета по физико-техническим наукам СО РАН, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника», член редакционных коллегий журналов: «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования», Physics of low dimensional structures, Sensor electronics and microsystem technologies, Украинского физического журнала.

Почётный профессор Одесского национального университета им. И. И. Мечникова.

Член-учредитель Азиатско-Тихоокеанской академии материаловедения.

Заведующий филиалом кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета. Им подготовлено 8 докторов и 12 кандидатов наук.

Автор и соавтор 170 научных работ, из них 5 монографий.

Премии и награды

• Государственная премия Российской Федерации по науке и технике.
• Орден Трудового Красного Знамени.
• Благодарность Президента Российской Федерации.

Место работы и должность

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, советник РАН.