Известный специалист в области физики поверхности.

Родился 6 мая 1955 года.

Член-корреспондент РАН c 25.05.2006 - Отделение физических наук (Дальневосточное отделение РАН, физика твёрдого тела).

Основные научные работы посвящены созданию низкоразмерных объектов на поверхности кремния и германия, изучению их атомной и электронной структуры, исследованию динамики атомов на поверхности, а также исследованию фазовых переходов в низкоразмерных структурах.

Обнаружил ряд новых структур пониженной размерности на поверхности кремния и германия, исследовал их и определил их состав и атомную структуру.

Им обнаружены и исследованы новые фазовые переходы в квазиодномерных металлических цепочках, продемонстрирована возможность легирования полупроводниковых нанокластеров в атомном масштабе и показано, что это приводит к изменению их электронных свойств. 

Его исследования внесли значительный вклад в понимание процессов взаимодействия атомарного водорода с поверхностными фазами. 

Им были проведены пионерские работы по исследованию состава наноструктур на поверхности Si методом сканирующей туннельной микроскопии с использованием оригинальной методики. Это открыло широкую перспективу для развития методов анализа поверхностных структур.

Место работы и должность

ФГБУН Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, заместитель директора.

Саранин Александр Александрович
Саранин Александр Александрович
член-корреспондент РАН
Телефоны:
+7 (423) 231-0426
Адрес электронной почты:
asaranin@gmail.com
Академические должности
Должность
Организационная структура
член Отделения
член секции
член Президиума Регионального отделения