Родился 03.11.1928
США.
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, William L. Everitt Laboratory, 1406 W. Green Street, Urbana, IL 61801-2918, USA.
Избран в 1999 году.

Иностранный член РАН c 01.01.1999 - Отд. общей физики и астрономии (физика), США

Награды

Премия, международная
Международная энергетическая премия "Глобальная энергия"
Награжден 2003 "За основополагающий вклад в создание кремниевой силовой электроники и изобретение первых полупроводниковых светодиодов в видимой области спектра"