Родился 13.08.1944
Пейн Дэвид Нил - директор Центра по оптоэлектрон-ным исследованиям Университета г. Саутгемптона.
Пейн Д.Н. - выдающийся ученый, внесший существенный вклад в оптическое материаловедение, в частности, в разработку новых материалов для волоконной оптики. Его пионерские работы в этой области получили широкое мировое признание. Является создателем технологии активных волоконных световодов из кварцевого стекла, легированного редкоземельными эле¬ментами. На основе таких световодов им впервые были созданы волоконные лазеры и усилители для линий оптической связи. Под его научным руководством в 2004 г. был впервые создан киловаттный волоконный лазер.
Является также директором компании «Саутгемптон Фотоникс Инк.», занимающейся разработкой, производством и исследованием волоконно-оптических лазеров и устройств на основе новых оптических материалов. За вклад в развитие оптического материаловедения награжден Королевой Ве¬ликобритании («Commander of the Order of the British Empire»).
Пейн Д.Н. постоянно участвует в качестве докладчика на самых престижных конференциях по волоконной оптике, квантовой электронике и оп¬тическому материаловедению. Он соавтор более 560 научных работ и один из немногих ученых, получивших награды за научные достижения в данной области не только в Европе, но и в США и Японии (в частности, медаль Института электрофизиков и инженеров-электронщиков США, медаль Кельвина). Является действительным членом Лондонского Королевского общества, Королевского общества по искусству, почетным членом Института электрофизиков и инженеров-электронщиков США, Американского оптического общества.
Научный центр волоконной оптики РАН много лет плодотворно сотрудничает с Центром по оптоэлектронным исследованиям Университета г. Саутгемптона и лично с Пейном Д.Н. Результатом такого сотрудничества стали порядка 10 совместных публикаций.
Англия.
Optoelectronics Research Centre, University of
Southampton, Highfield, Southampton, Hampshire,
SO17 1BJ, England.
Избран в 2006 году.

Иностранный член РАН c 25.05.2006 - Отд. нанотехногий и информационных технологий