Научные интересы

Интересы в области физики и электроники границ раздела полупроводник-диэлектрик и элементной базы микроэлектроники, основное научное направление ее исследований – электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник, в том числе структур со сверхтонким диэлектриком.

Научные публикации

•‎ Goldman E.I., Zhdan A.G., Chucheva G.V. Ion transport phenomena in oxide layer on the silicon surface and electron-ion exchange effects at the SiO2/Si interface J. Appl. Phys. 2001. V.89. №1. P.204–218.
•‎ E.I. Goldman, G.V. Chucheva, M.S. Afanasiev, D.A. Kiselev. Changes in the structural and electrophysical properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 films with decreasing thickness. Chaos, Solitons and Fractals. DOI.10.1016/j.chaos.2020.110315.
•‎ Kiselev D.A., Afanasiev M.S., Levasho, S.A., Sivov A.A., Chucheva G.V. Thickness dependence of electrical and piezoelectric properties of ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 thin films.Thin Solid Films, 2016, 619, стр. 214–219.
•‎ Goldman E.I., Chucheva G.V., Belorusov D.A. On the form of high-frequency voltage-capacitance characteristics of metal-insulator-semiconductor structures with a ferroelectric insulating layer BaxSr1-хTiO3. Ceramics International, 2021.
•‎ Belorusov D.A., Goldman E.I., Naryshkina V.G., Chucheva G.V. Silicon Ultrathin Oxide (4.2 nm)–Polysilicon Structures Resistant to Field Damages Semiconductors, 2021, 55(1), стр. 21–24.

Премии и награды

•‎ Почетная Грамота РАН и Профсоюза работников РАН «За многолетнюю добросовестную работу на благо отечественной науки» постановлением Президиума РАН и Центрального Совета Профсоюзов работников РАН от 15 ноября 2013 г. № 61/6.
•‎ Благодарность Президента РАН «За содействие в развитии сообщества Профессоров РАН и активное участие в реализации задач Российской академии наук», письмо Российской академии наук от 13.12.2016 г. № 2-10108-6801/936.

Персональные профили исследователя

•‎ Web of Science: A-9193-2014.
•‎ Scopus: 6603613710.
•‎ РИНЦ: 41473.
•‎ ORCID: 0000-0002-9956-1857.