Искать
Поздравления с 300-летием РАН
Академия
Структура РАН
Отделения по областям и направлениям науки Представительства РАН Региональные отделения РАН
Руководство РАН
Общее собрание членов РАН
Президиум РАН
Аппарат президиума РАН
Аппарат руководства РАН Отделы по направлениям науки РАН Управления РАН
Цели и задачи
Устав и нормативные документы
I. Общие положения II. Предмет, цели и виды деятельности, основные задачи и функции Академии III. Члены Академии и иностранные члены Академии IV. Порядок и условия избрания членов Академии и иностранных членов Академии IX. Переходные положения V. Органы управления Академии и порядок их деятельности VI. Структура Академии VII. Имущество и финансовое обеспечение Академии VIII. Взаимодействие Академии с органами государственной власти, организациями и гражданами Приложение № 1 Приложение № 1(1) Приложение № 2
Государственное задание
Государственное задание РАН Государственное задание региональных отделений РАН Отчеты о выполнении госзадания РАН Отчеты о выполнении государственного задания региональными отделениями РАН
Научные комитеты, советы и комиссии
Научные комиссии Научные комитеты Научные комитеты, советы и комиссии при президиуме РАН Научные комитеты, советы, комиссии региональных отделений РАН Научные советы Национальные комитеты
Документы
Об академии
300 лет РАН Архивы академиков Президенты РАН с 1724 года
Состав академии
Персональный состав академии
Академики Члены-корреспонденты Иностранные члены
Почетные звания
Почетные профессора Профессора РАН
Поздравления
Юбилеи
Деятельность
Научно-методическое руководство и экспертная деятельность
Научное и научно-методическое руководство Цифровой сервис Экспертная деятельность
Координация Программы фундаментальных научных исследований в Российской Федерации на долгосрочный период (2021–2030 годы)
Координационный совет Программы Общие сведения о Программе
Редакционно-издательская деятельность
Журналы Монографии Статьи Авторы Предметно-тематические рейтинги Аналитические материалы
Популяризация науки
Взаимодействие с научно-образовательным сообществом
Базовые школы РАН Консорциум химических институтов Стратегия развития образования Экспертиза ФГОС и учебников
Международная деятельность
Участие в нормотворческой деятельности
Противодействие коррупции
Отчёты о результатах деятельности РАН
Доклады РАН о важнейших научных достижениях российских учёных
Новости
Новости
Мероприятия
СМИ об Академии
Научное сообщество
Корпус профессоров РАН
Научные общества
Научная политика и госрегулирование
Конкурсы, премии и награды
Всероссийский профсоюз работников РАН

Академик Латышев Александр Васильевич

Академик Латышев Александр Васильевич

04 января

Академик Латышев Александр Васильевич

65 лет

Персональная страница

Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области.

В 1981 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университет и начал работать в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО АН СССР/СО РАН (г. Новосибирск) в должности стажера-исследователя. В 1998 году стал заведующим лабораторией нанодиагностики и нанолитографии, с 2007 года – заместителем директора по научным вопросам, а с 2013 года – директором Института.

В 1990 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Структурные перестройки на поверхности кремния при сублимации, гомоэпитаксии и фазовых переходах по данным отражательной электронной микроскопии», в 1998 году – докторскую диссертацию «Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов».

В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН, в 2016 году – академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Академик А. В. Латышев – известный российский учёный в области синтеза пленочных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков; полупроводниковых нанотехнологиий для нового поколения элементной базы наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем, нанофотоники, диагностики атомного разрешения.

В центре его интересов: физика полупроводников, рост кристаллов, эпитаксия, границы раздела, дефекты, поверхность, тонкие пленки, электронная микроскопия, низкоразмерные системы, элементная база наноэлектроники и твердотельной нанофотоники, нанодиагностика, нанотехнологии и квантовые технологии.

А. В. Латышев – автор и соавтор 352 научных работ, среди них – девять монографий и девять патентов.

Наиболее значительный результат работ Александра Латышева – создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазных реакциях и взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния.

А. В. Латышев выполнил цикл пионерских работ, признанных международным научным сообществом и включенных в монографии и учебники по физике поверхности и росту кристаллов. Работы внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий и разработку технологии молекулярно-лучевой эпитаксии. Результаты работ А. В. Латышева создают основу современного электронного материаловедения.

Впервые им был теоретически обоснован и экспериментально открыт эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Обнаружено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния, установлена структура высокотемпературной поверхности кремния, выявлено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе.

Полученные результаты использованы для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, а также в создании новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния.

А. В. Латышевым создан комплекс метрологической, диагностической и технологической поддержки исследований в области нанотехнологий на базе центра коллективного пользования «Наноструктуры». Комплекс включает современные методы электронной и зондовой микроскопии и методы нанолитографии на основе пучка электронов и зонда атомно-силового микроскопа.

Под руководством А. В. Латышева ведется метрологическая, диагностическая и технологическая поддержка многочисленных исследований в области нанотехнологий методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии и другими методами на базе ЦКП «Наноструктуры». Полученные результаты позволили создать новое поколение полупроводниковых приборов: нанотранзисторов и одноэлектронных транзисторов, фотоприемных устройств на квантовых эффектах и элементов силовой электроники.

А. В. Латышев – автор работ по in situ исследованию структурных перестроек на поверхности полупроводников в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов; изучению структуры квантово-размерных полупроводниковых систем методами электронной микроскопии атомного разрешения; развитию методов нанолитографии.

Осуществляемая А. В. Латышевым комплексная диагностическая и технологическая поддержка исследований в области нанотехнологий позволяет работать над созданием элементной базы современной опто- и наноэлектроники, структурной диагностикой наноматериалов, полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием нанотехнологий, использующих методы атомной сборки и наноструктурирования для создания экспериментальных устройств наноэлектроники с целью изучения квантовых эффектов.

Под руководством А. В. Латышева исследованы атомные механизмы формирования эпитаксиальных гетероструктур в системах пониженной размерности для изучения квантовых эффектов, электронной интерференции и одноэлектронных эффектов, составляющих основу элементной базы наноэлектроники. Развиты эффективные методы высокоразрешающей электронной микроскопии, позволившие создать матричные фотоприемники ИК-диапазона для устройств тепловидения, новые изделия СВЧ-электроники, компоненты радиационно-стойкой электроники, покрытия атомной толщины.

На основе разработки методов электронной и зондовой нанолитографии созданы одноэлектронные транзисторы и однофотонные излучатели, нано- и биосенсоры с рекордной чувствительностью, квантово-размерные системы для нового поколения нанофотоники и наноэлектроники.

Под научным руководством и при участии А. В. Латышева выполнено множество научных проектов, научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в интересах научного сообщества и промышленных предприятий. Он руководил международными контрактами с фирмами «Самсунг» (Южная Корея), «Мозаик кристалл» и «Наногейт» (Израиль), AGM (Германия) и другими, а также с университетами Германии, Франции, Японии, США, Болгарии и прочими.

Под научным руководством А. В. Латышева успешно выполняется крупный научный проект «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» по приоритетным направлениям научно-технологического развития Российской Федерации. Проект поддержан Минобрнауки РФ в рамках реализации подпрограммы «Фундаментальные научные исследования для долгосрочного развития и обеспечения конкурентоспособности общества и государства» государственной программы РФ «Научно-технологическое развитие РФ».

В составе участников проекта три НИИ – Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск); Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород); Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН (Екатеринбург) и два университета – Санкт-Петербургский государственный университет и Новосибирский государственный университет. Глобальная цель проекта – обеспечение мирового уровня научных исследований, технологий и разработок в области новых материалов и элементной базы, работающей на новых физических принципах, для микро-, нано-, био- и оптоэлектроники, нанофотоники, СВЧ-электроники, сенсорики, радиационно-стойкой электроники, квантовой электроники, ИК-техники.

А. В. Латышев ведет большую педагогическую деятельность по подготовке высококвалифицированных кадров. Он руководит кафедрой физики полупроводников на физическом факультете Новосибирского государственного университета, читает два специальных курса для студентов и аспирантов.

А. В. Латышев – член двух специализированных диссертационных советов по защитам кандидатских и докторских диссертаций, под его руководством защищены шесть диссертаций. Он соруководитель научной школы «Атомные процессы и технологии создания низкоразмерных полупроводниковых систем», организатор ежегодной Школы молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» – АППН.

В 2023 году исполнилось десять лет, как А. В. Латышев возглавляет Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Сегодня ИФП СО РАН – общепризнанный научно-исследовательский многофункциональный, мультидисциплинарный центр в области физики конденсированного состояния и физики полупроводников, один из крупнейших институтов Сибирского отделения РАН. Здесь работает около 1000 человек, среди них три академика РАН, четыре члена-корреспондента РАН, 43 доктора наук, 142 кандидата наук.

В ИФП СО РАН ведутся исследования квантовых свойств гетероэпитаксиальных структур и их приложений для получения нового поколения фоточувствительных элементов, фотоприемных устройств и систем оптоэлектроники. Учёные ИФП СО РАН создают и исследуют новые материалы для электроники, в том числе СВЧ-электроники, силовой электроники и сенсорики. Это такие материалы, как графен, слоистые полупроводники типа селенида молибдена (MoSe2,) срощенные структуры А3В5-кремний, тонкие слои кремния на изоляторе, кристаллы алмаза и алмазоподобные слои. Специалисты Института разрабатывают полупроводниковые наносистемы для нано- и биосенсоров; ведут исследования в области квантовой оптики и квантовой информатики, устройств квантовой криптографии.

На основе полученных учеными ИФП СО РАН результатов фундаментальных исследований реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, одноэлектронных транзисторов, наносенсоров, изделий радиофотоники, СВЧ-технологий и др.

Сегодня в ИФП СО РАН разрабатываются перспективные изделия микро и наноэлектроники, наноплазмоники, оптоэлектроники, спинтроники. Институт имеет все необходимые компетенции в этой области – благодаря выполнению проектов академической науки и многолетней стратегии доведения исследований до прикладных инновационных разработок, востребованных современной экономикой. Фундаментальные результаты и прикладные разработки ИФП СО РАН обеспечили создание целого ряда продуктов полупроводниковой фото- и наноэлектроники с высоким потенциалом коммерциализации.

Сегодня ИФП СО РАН выступает поставщиком полупроводниковых подложек для предприятий российской электроники по совместно разработанным техническим условиям многослойных гетероэпитаксиальных пленок арсенида галлия с двумерным электронным газом с высокой подвижностью для СВЧ-электроники; подложек кремния-на-изоляторе изготовленных по запатентованной технологии DeleСut для радиационно-стойкой и экстремальной электроники, подложек GaAs и Si с фоточувствительным материалом на основе эпитаксиальных структур КРТ для фотоприемных устройств ИК-техники. На торговых площадках РФ ИФП СО РАН выступает единственным поставщиком по отдельным поставкам подложек.

Под руководством академика А. В. Латышева в ИФП СО РАН активно создаются точки роста электроники и нанофотоники будущего, работающих на новых физических принципах на основе квантовых технологий: спинтроника, плазмоника, нейроморфные системы. Разрабатываются новые технологии и новые материалы для элементной базы перспективной электроники: топологические изоляторы, двумерные полуметаллы, квантовые системы.

В ИФП СО РАН сосредоточены ключевые полупроводниковые технологии для создания компонентной базы современной микро-, опто- и фотоэлектроники, квантовых технологий, здесь разрабатываются новые материалы, элементы и приборы, ведутся работы по уменьшению размера транзисторов и увеличению степени их интеграции, разработки новых материалов на основе гетероэпитаксиальных полупроводниковых структур и пленок толщиной в один атомный слой, проводятся работы, относящиеся к переходу от двумерной к трехмерной схемотехнической архитектуре полупроводниковой электроники.

Среди недавних достижений ИФП СО РАН в области фотонных технологий – разработка оптического детектора спина свободных электронов с пространственным разрешением (спин-детектора), повышение квантовой эффективности кремниевых фотодетекторов, разработка детектора и излучателя одиночных фотонов, разработка мощных СВЧ-фотодиодов, создание сверхминиатюрных излучателей – полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором, с высокой стабильностью, что открывает перспективы существенно улучшить характеристики большого числа телекоммуникационных и навигационных устройств.

Словом, большинство разработок ИФП СО РАН, возглавляемого А. В. Латышевым, находятся на мировом уровне или задают его. Ученые Института публикуются в тех же ведущих научных журналах мира, что и их коллеги из Гарвардского университета, Массачусетского технологического института MIT.

Институт физики полупроводников решает фундаментальные задачи по поиску новых материалов и изучению новых квантовых эффектов в конденсированных системах, по развитию технологий создания квантовых материалов и гетероструктур, по реализации ЭКБ на новых физических принципах для будущей электроники и твердотельной нанофотоники.

Использование квантовых эффектов в полупроводниковых системах пониженной размерности – это принципиальная основа для повышения на несколько порядков степени интеграции, увеличения быстродействия и уменьшения потребляемой мощности полупроводниковых устройств в электронике нового поколения.

А. В. Латышев ведет большую научно-организационную работу как член редколлегий журналов Surface Science and Nanotechnology, «Физика и техника полупроводников», «Успехи прикладной физики», «Автометрия», «Наноиндустрия», «Сибирский физический журнал», «Наука из первых рук».

А. В. Латышев – член бюро (по 2019 г.) Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, член Президиума СО РАН, заместитель председателя Объединенного ученого совета по нанотехнологиям и информационным технологиям СО РАН, член приборной комиссии СО РАН, член НКС по научно-техническим проблемам специальной техники, секции Межведомственного совета по присуждению премий Правительства РФ и член НТС «АФК-Система».

Член Научно-технического совета при Министерстве социального развития Новосибирской области, член Научного совета Международной школы по материаловедению и электронной микроскопии (г. Берлин).

Лауреат премии Правительства РФ в области образования, удостоен Почетных грамот Президиума РАН, Президиума СО РАН, Министерства образования и науки РФ, дипломов Фонда содействия отечественной науке и грамоты, Национальной академии наук Беларуси.



Сообщить об ошибке

Текст сообщения*

Ошибка
Примите пользовательское соглашение
*Поля обязательны для заполнения

Форма успешно отправлена!