Искать
Поздравления с 300-летием РАН
Академия
Структура РАН
Отделения по областям и направлениям науки Представительства РАН Региональные отделения РАН
Руководство РАН
Общее собрание членов РАН
Президиум РАН
Аппарат президиума РАН
Аппарат руководства РАН Отделы по направлениям науки РАН Управления РАН
Цели и задачи
Устав и нормативные документы
I. Общие положения II. Предмет, цели и виды деятельности, основные задачи и функции Академии III. Члены Академии и иностранные члены Академии IV. Порядок и условия избрания членов Академии и иностранных членов Академии IX. Переходные положения V. Органы управления Академии и порядок их деятельности VI. Структура Академии VII. Имущество и финансовое обеспечение Академии VIII. Взаимодействие Академии с органами государственной власти, организациями и гражданами Приложение № 1 Приложение № 1(1) Приложение № 2
Государственное задание
Государственное задание РАН Государственное задание региональных отделений РАН Отчеты о выполнении госзадания РАН Отчеты о выполнении государственного задания региональными отделениями РАН
Научные комитеты, советы и комиссии
Научные комиссии Научные комитеты Научные комитеты, советы и комиссии при президиуме РАН Научные комитеты, советы, комиссии региональных отделений РАН Научные советы Национальные комитеты
Документы
Об академии
300 лет РАН Архивы академиков Президенты РАН с 1724 года
Состав академии
Персональный состав академии
Академики Члены-корреспонденты Иностранные члены
Почетные звания
Почетные профессора Профессора РАН
Поздравления
Юбилеи
Деятельность
Научно-методическое руководство и экспертная деятельность
Научное и научно-методическое руководство Цифровой сервис Экспертная деятельность
Координация Программы фундаментальных научных исследований в Российской Федерации на долгосрочный период (2021–2030 годы)
Координационный совет Программы Общие сведения о Программе
Редакционно-издательская деятельность
Журналы Монографии Статьи Авторы Предметно-тематические рейтинги Аналитические материалы
Популяризация науки
Взаимодействие с научно-образовательным сообществом
Базовые школы РАН Консорциум химических институтов Стратегия развития образования Экспертиза ФГОС и учебников
Международная деятельность
Участие в нормотворческой деятельности
Противодействие коррупции
Отчёты о результатах деятельности РАН
Доклады РАН о важнейших научных достижениях российских учёных
Новости
Новости
Мероприятия
СМИ об Академии
Научное сообщество
Корпус профессоров РАН
Научные общества
Научная политика и госрегулирование
Конкурсы, премии и награды
Всероссийский профсоюз работников РАН

Академик Сауров Александр Николаевич

Академик Сауров Александр Николаевич

03 января

Академик Сауров Александр Николаевич

65 лет

Персональная страница

Александр Николаевич Сауров родился 3 января 1960 года в Ульяновске.

В 1983 году окончил с отличием физико-технический факультет Московского государственного института электронной техники с присвоением квалификации «Автоматика и электроника». Далее там же: аспирант, в 1988–1989 гг. — начальник технологического отдела МИЭТ, в 1989–2018 гг. — директор Научно-производственного комплекса «Технологический центр» (НПК ТЦ) МИЭТ, одновременно — первый заместитель директора Института нанотехнологий микроэлектроники РАН (ИНМЭ РАН). С 2009 года — директор ИНМЭ РАН. С 2019 года — научный руководитель ФГБНУ «Научно-производственный комплекс „Технологический центр”».

Заведующий базовой кафедрой «Микроэлектроника и микросистемы» Национального исследовательского университета «МИЭТ».

Член-корреспондент РАН c 2008 года, академик РАН c 2016 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий.

Академик А.Н. Сауров — российский учёный, известный специалист в области разработки и применения конструктивно-технологических методов и приёмов самоформирования в микро- и наноэлектронике и микро- и наносистемной технике, позволяющих создавать базовые элементы с нанометровыми конструктивными размерами для систем и аппаратуры, имеющих большое практическое народно-хозяйственное значение. Данные приёмы и методы применимы в технологиях изготовления перспективной элементной базы сверхбольших интегральных схем для микроэлектронных устройств широкого спектра назначения. Он разрабатывает принципы и методы управляемого синтеза и функционализации углеродных наноструктурированных материалов; технологии изготовления широкого класса преобразователей физических величин для изделий наноэлектроники и микросистемной техники; элементную базу сверхбольших интегральных схем, кремний-углеродные нанотехнологии, преобразователи физических величин.

В 1988 году защитил кандидатскую «Разработка и исследование самосовмещённых биполярных транзисторных структур для СБИС», в 1999 году защитил докторскую диссертацию «Методы самоформирования в микроэлектронике», с 2000 года — профессор.

В 1988 году А.Н. Сауров был назначен руководителем только что созданного им Технологического отдела НИЧ МИЭТ, в течение короткого времени преобразованного в Научно-производственный комплекс «Технологический центр». Одним из направлений, выбранных им, как руководителем Технологического центра, стала технология самоформирования и трёхмерной интеграции, позволяющая радикально преодолеть порог литографического разрешения и создавать электронные компоненты, на годы опережающие по своей сложности мировой уровень. Другим направлением, основанным А.Н. Сауровым, стала разработка конструктивно-технологического базиса для создания миниатюрных датчиков физических величин, основанного на применении технологических процессов микроэлектроники и методов самоформирования. А.Н. Сауровым впервые в стране были сформулированы базовые принципы и преимущества технологии микроэлектроники в качестве перспективной платформы для создания микросистем. Следствием использования технологии интегральной микроэлектроники для создания микросистем впоследствии стали миниатюризация, функциональная сложность, надёжность, низкие энергопотребление и себестоимость конечных изделий.

В 90-е годы государственное финансирование научных исследований катастрофически сократилось, однако под руководством А.Н. Саурова трудности удалось преодолеть: коллектив научился в сжатые сроки выполнять опытно-конструкторские и опытно-технологические работы и оказывать инжиниринговые услуги в новых условиях формирования рыночной экономики. В 1994 году произошло важное событие: «Технологический центр» — единственная в системе высшей школы РФ научно-производственная структура, реализующая в полном объёме проектирование и изготовление интегральных микросхем — получил статус Государственного научного центра РФ, что обеспечило его финансовую устойчивость и возможность развития.

Одним из приоритетных, прорывных направлений центра стала идея объединения различных компонентов информационно-управляющих систем на платформе интегральной электроники и разработка. Была разработана концепция применения технологий микроэлектроники для создания микромеханических и микромагнитоэлектронных компонентов с одновременным осуществлением комплексных приборных разработок. «Технологический центр» стал единственным в стране, разрабатывающим и выпускающим на промышленном уровне микроэлектромеханические однокристальные сенсоры физических величин по технологии объёмной микромеханики.

В настоящее время ГНЦ НПК РФ «Технологический центр» представляет собой эффективную, динамично развивающуюся организацию, которая прочно заняла в России нишу исследований и разработок в области микроэлектроники и микросистемной техники с упором на мелкосерийные специализированные микросхемы и микросистемы.

С 2009 года А.Н. Сауров — директор Института нанотехнологий микроэлектроники РАН. Основной целью Института является изучение проблем и перспектив развития нанотехнологий микроэлектроники. Директором А.Н. Сауровым была предложена концепция развития технологий самосовмещения и самоформирования, эволюционировавшая под действием собственных технологических достижений в области синтеза наноструктурированных материалов на основе углерода в подход, основанный на активном внедрении углеродных наноструктур, обладающих качественно новыми свойствами, в маршруты микроэлектронного производства.

Под руководством А.Н. Саурова в ИНМЭ РАН был создан и развивается уникальный комплекс аналитического и технологического оборудования, позволяющий решать сложнейшие научные задачи в области микроэлектронного материаловедения и разрабатывать технологии гетерогенной интеграции и кремний-углеродные нанотехнологии на базе собственных исследовательских линеек, обеспечивающих возможность работы с подложками диаметром до 300 мм. Основной вектор исследований и внедрения разработок: кремниево-углеродная электроника, МЭМС и НЭМС, интеллектуальные сенсоры, биочипы, имплантируемые медицинские микроприборы.

Прошедшие пятнадцать лет показали: А.Н. Сауров проявился как учёный и организатор производства при создании и развитии научно-исследовательского комплекса ИНМЭ РАН — новейшего института Российской академии наук. В кратчайший срок удалось создать мощную научно-производственную базу, оснащённую современной уникальной техникой и оборудованием, развивать новейшее научно-техническое направление, обеспечивающее эволюционный переход от микроэлектроники и микросистемной техники к наноэлектронике.

Научной школе академика А.Н. Саурова удалось расширить возможности существующей элементной базы микроэлектроники и открыть перспективы перехода на качественно новый уровень развития отрасли — нанотехнологий: при его непосредственном участии были подготовлены и защищены 10 кандидатских и докторских диссертаций.

Он — автор и соавтор около 250 научных работ, из них 44 авторских свидетельств, более 40 патентов. Одной из крупных публикаций является перевод Справочника Шпрингера по нанотехнологиям в 3 томах под общей редакцией А.Н. Саурова. Специалистам известны его труды, написанные индивидуально или в соавторстве — монографии: Doping of Carbon Nanotubes (Легирование углеродных нанотрубок), опубликованная издательством Springer в 2017 г., и «Физика полупроводниковых преобразователей», изданная РАН в 2018 г.; а также — «Микросхемы для аппаратуры космического назначения: практическое пособие», «Определение времени наработки до отказа подзатворного диэлектрика суб-100-нм МОП-транзисторов с помощью ускоренных испытаний», «Конструктивно-технологический базис на основе полностью самосовмещённых структур для терагерцовых БИС», «Конструкция и технология изготовления тестовых кристаллов с композитными проводниками на основе углеродных нанотрубок и металлов», «Наноструктурированные источники тока, возбуждаемые β-излучением, на основе углеродных нанотрубок», «Биосенсор на основе химически чувствительного нанопроволочного полевого транзистора с минимальным контактом к плавающему затвору», «Миниатюрный тензорезистивный преобразователь давления с высокой чувствительностью» и др.

Является членом редакционных советов журналов «Микросистемная техника» и «Наноиндустрия», член редколлегии журнала «Известия ВУЗов. Электроника».

Член Бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, член Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для её создания».

Член научных советов Федеральных целевых научно-технических программ, член научного совета при Совете Безопасности РФ, член Межведомственного Совета по присуждению премий Правительства РФ в области науки и техники, член научно-технического совета НПК «Технологический центр» МИЭТ, член Учёного совета МИЭТ, член диссертационного совета по специальности Д05.27.01 МИЭТ, член Совета директоров предприятий г. Зеленограда. Входит в состав Совета по развитию электронной промышленности при Минпромторге России, входит в состав президиума Высшей аттестационной комиссии при Минобрнауки России.

Награждён орденом «Знак Почёта», медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II и I ст., орденом Александра Невского.

Трижды лауреат премий Правительства РФ в области науки и техники.

Отмечен юбилейной медалью «300 лет Российской академии наук»,

Награждён многими ведомственными наградами.



Сообщить об ошибке

Текст сообщения*

Ошибка
Примите пользовательское соглашение
*Поля обязательны для заполнения

Форма успешно отправлена!