Родился 29.10.1880, Ромны Полтавской губ.; Умер 14.10.1960, Ленинград; Окончил Петербургский технологический институт в 1902 г.; В 1903—1906 гг. — практикант, ассистент в лаборатории В. Рентгена в Мюнхенском университете. В 1906 г начал работать в Петербургском политехническом институте. В 1913—1948 гг. — профессор, в 1919—1948 гг. — декан (с перерывами) физико-механического факультета института. В 1918 г. по инициативе А.Ф. Иоффе создаются физико-технический отдел в Рентгенологическом и радиологическом институте (после реорганизации в 1923 г. — Ленинградский физико-технический институт) и в 1919 г. физико-механический факультет в Политехническом институте. На базе этих центров физической науки в СССР в последующие годы была создана разветвленная сеть научно-исследовательских институтов физического профиля (физико-технические институты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске, Институт химической физики, Электрофизический институт и др.).; До 1951 г. был директором Ленинградского физико-технического института АН СССР, в 1952—1955 гг. — Лаборатории полупроводников АН СССР, с 1955 г. — Института полупроводников АН СССР (в 1932—1960 гг. — также директор Агрофизического института (первоначально именовался Физико-агрономическим).; Научные работы А.Ф. Иоффе посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад им был сделан в физику и технику полупроводников. Уже в докторской диссертации (1905 г.) проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах. В 1913 г. выполнил цикл работ по измерению заряда электрона при внешнем фотоэффекте и доказал статистический характер элементарного фотоэффекта. Экспериментально доказал (1916 г.) существование ионной проводимости в кристаллах — прохождение ионов сквозь решетку ионного кристалла под действием поля. Классическими стали исследования А.Ф. Иоффе пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Объяснил реальную прочность кристаллов (1922 г.). Первым выяснил вопрос о так называемых электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла. Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов. Работы А.Ф. Иоффе с сотрудниками по изучению диэлектрической прочности тонких слоев диэлектриков завершились созданием новых электротехнических материалов и разработкой методов устранения перенапряжений. В начале 1930-х годов научные интересы Иоффе сосредоточились в области физики полупроводников, где он с сотрудниками открыл ряд явлений, важных для технического применения. Исследовал ряд полупроводников, он обнаружил, что на их электрические свойства сильно влияют примеси, в частности было выяснено, что последние в широком диапазоне меняют проводимость и знак носителей тока. Сформулировал новую идею о природе полупроводниковых свойств большой группы интерметаллических сплавов — дальтонидов — и подробно изучил их. Благодаря этому был; Большой вклад А.Ф. Иоффе внес в проблему применения термо- и фотоэлектрических свойств полупроводников для преобразования тепловой и световой энергии в электрическую. Разработал теорию термоэлектрогенераторов и термоэлектрических холодильников, выдвинул идею плазменного термоэлектричества. Еще накануне Великой Отечественной войны создал сернистоталлиевый фотоэлемент с КПД более 1 %.; Создал большую школу физиков, многие из которых сами стали основателями собственных школ.; Лауреат Государственной премии СССР (1942), Ленинской премии (1961, посмертно).; В 1934—1930 гг. — главный редактор “Журнала прикладной физики”, в 1931—38 — “Журнала экспериментальной и теоретической физики”, в 1931—1959 гг. — “Журнала технической физики”.; Имя А.Ф. Иоффе присвоено Ленинградскому физико-технического института АН СССР (ныне — Санкт-Петербургский физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН).; ; Член-корреспондент c 30.11.1918 - Отделение физико-математических наук (по разряду физическому); ; Академик c 08.05.1920 - Отделение физико-математических наук (физика); ; Вице-президент Российской академии наук c 08.05.1942 по 17.07.1945 - РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК (Вице-президенты); ; Удостоен Ленинская премия (посмертно) (1961)