Родился 06.10.1930, Москва
Умер 16.07.1979, Москва
Физикохимик. Окончил Московский институт цветных металлов и золота (1953). В 1953—63 работал в Государственном научно-исследовательском и проектном институте редкометаллической промышленности, с 1963 директор научно-исследовательского института в Москве, в 1976—79 генеральный директор научно-производственного объединения. Одновременно с 1970 преподавал в Московском институте электронной техники (с 1973 профессор). Работы посвящены исследованию и разработке материалов электронной техники. Выполнил фундаментальные исследования в области глубокой очистки, ориентированной кристаллизации и прецизионного легирования монокристаллических полупроводников — германия, кремния, соединений типа AIIIBV и AIIBVI. Изучал кинетику роста и легирования эпитаксильных слоев полупроводниковых элементов, соединений и растворов на их основе. Развил теорию и практику физико-химических процессов получения широкого класса полупроводниковых материалов, организовал их промышленное производство. Внес значительный вклад в становление и и развитие микроэлектроники. Выдвинул идею получения полупроводниковых материалов в условиях космического пространства. По разработанной под его руководством программе на аппаратуре “Кристалл” выполнен комплекс технологических экспериментов и получены материалы с уникальными свойствами. Ленинская премия (1974).
Член-корреспондент c 26.11.1974 - Отделение физикохимии и технологии неорганических материалов (физикохимия и технология неорганических материалов)
Удостоен Ленинская премия (1974)