Германий открывает путь к созданию «космических» перовскитных солнечных элементов

Отделение химии и наук о материалах

Химия и науки о материалах

Комплексные галогениды свинца с перовскитной структурой способны совершить прорыв в фотовольтаике из-за высокого КПД солнечных панелей на их основе и дешёвого производства. Однако их коммерциализацию сдерживает низкая стабильность этих соединений и токсичность свинца. Решением этих проблем может стать частичное изменение химического состава светопоглощающего материала.

Группа российских учёных представила комплексное исследование, показывающее как частичная замена свинца на германий радикально меняет свойства материала, наделяя его уникальной стойкостью к свету и радиации. Результаты исследования опубликованы в статье в журнале Journal of Alloys and Compounds.

Используя метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), авторы обнаружили, что германий при встраивании в кристаллическую решётку перовскита (MAPbI3) в отсутствие кислорода легко окисляется, переходя из состояния Ge2+ в Ge4+. Этот процесс работает как встроенный механизм легирования p-типа: материал сам генерирует положительные носители заряда (дырки), что позволяет тонко настраивать его электронные свойства для повышения эффективности.

Влияние германия на стабильность сложных перовскитовВлияние германия на стабильность сложных перовскитов

Исследование выявило чёткую границу применимости предложенного подхода: при малых концентрациях (до 5 %) германий встраивается в кристаллическую решётку MAPbI3, а при больших выходит на поверхность кристаллических зёрен в светопоглощающих пленках, образуя защитный слой GeI₂. Это залечивает дефекты, связанные с присутствием координационно-ненасыщенных ионов свинца на поверхности и границах зерен.

Исследование также показало, как добавка германия меняет свойства более стабильного перовскитного полупроводника с одновалентными катионами цезия и формамидиния (Cs0.12FA0.88PbI3). Введение всего 1 % Ge (Cs0.12FA0.88Pb0.99Ge0.01I3) привело к значительному улучшению фотостабильности. Легированные плёнки сохраняли свои оптические свойства и высокую фотолюминесценцию после 2000 часов освещения, в отличие от обычного нелегированного состава. Анализ энергии Урбаха подтвердил, что материал с германием сохраняет бо́льшую кристаллическую упорядоченность в процессе старения, а также демонстрирует меньшую концентрацию безызлучательных рекомбинационных центров. При этом германий уменьшил размер кристаллитов, увеличив площадь границ зёрен.

Эта изменённая морфология сыграла ключевую роль в радиационной стойкости. Под воздействием мощного электронного пучка в Ge-содержащем перовските, в отличие от нелегированного, активнее формировались вакансии иода. Однако решающим оказался другой процесс: продукты разложения органического катиона FAмигрировали и накапливались именно на этих обширных границах зёрен. По мнению авторов, это приводит к эффективной пассивации дефектов, что может объяснить наблюдаемое усиление фотолюминесценции после облучения. Таким образом, германий не просто повышает устойчивость, а кардинально меняет механизм взаимодействия материала с ионизирующим излучением, создавая систему самоорганизующейся пассивации дефектов.

Работа демонстрирует, что германий выполняет в перовскитах двойную функцию: он не только модифицирует электронную структуру через самолегирование, но и выступает в роли архитектора морфологии полупроводниковых пленок, улучшая качество границ между кристаллитами.

Эти фундаментальные выводы открывают новые пути для разработки высокоэффективных и стабильных устройств на основе перовскитных полупроводниковых материалов, в том числе для солнечных батарей космических аппаратов для спутников и космических станций.

В работе принимали участие научные сотрудники Федерального ;исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН (Черноголовка), Института физики и технологий Уральского федерального университета и Института физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения РАН (Екатеринбург).

Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда.

Источник: ФИЦ ПХФ и МХ РАН.

Новости Российской академии наук в Telegram →Новости Российской академии наук в Telegram →


Теги