Поиск

Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов» собрала в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН почти 100 специалистов Ежегодная Всероссийская конференция «Физика ультрахолодных атомов» собрала в Институте физики полупроводников ...

Десятого декабря 2025 года в здании Российской академии наук председатель научного совета Научного Демидовского ... ... учёные в номинациях «Физика», «Химия» и «Медицина». Награда ... ... за выдающийся вклад в физику полупроводников академику РАН Александру Латышеву; — В ... ... ответном слове лауреатов директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН академик Александр ...

Сотрудники Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН совместно с коллегами из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Новосибирского государственного университета разработали ...

... состояния отрасли . В следующем году аудиторию соберёт конференция НПО «Орион», а через два года — снова ИФП СО РАН. Организаторы конференции ― Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Новосибирский госуниверситет. Пятидневное мероприятие проходило при содействии Минобрнауки России, Сибирского отделения РАН на территории ...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе. Учёные ...

На круглом столе «Научно-исследовательская инфраструктура российской науки»,... ... ведущие учёные, производители и разработчики высокотехнологического оборудования обсудили ключевые... ... фундаментальных и прикладных исследований. Директор Института физики полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) академик РАН Александр Латышев...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) совместно с коллегами разработали модель медицинского сенсора для анализа дыхания на основе цианобактерий Arthrospira platensis,...

Как новый метод анализа материалов поможет ... ... учёные разработали инновационный способ анализа наноструктур, который ... ... создании электроники будущего. Например, микроскопических устройств типа ... ... метод анализа наноструктур Учёные из Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН разработали новый сверхточный ...

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) создали фотокатоды на основе соединения цезий-йод — ключевые элементы для «глаз» нового космического телескопа «Спектр-УФ»,...

В новосибирском Академгородке прошло расширенное ... ... Президиума Сибирского отделения РАН, на котором обсудили ... ... заседание, председатель СО РАН академик Валентин ... ... важно рассказать об этом, именно технологии, научная ... ... директора по научной работе Института автоматики и ... ... выступил директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН академик ...

Сотрудники Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) вместе с коллегами из других организаций сделали детектор спина электронов, используя своеобразный фильтр, в качестве которого ...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали низкотемпературную технологию получения нестехиометрических плёнок оксида и оксинитрида кремния в качестве активного ...

... технологического суверенитета, — оптический метод локального спектрального анализа для нанодиагностики элементной базы микроэлектроники (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН); разработка и создание научных основ бесконтактной технологии контроля качества ядерного топлива для повышения эффективности и безопасности ...

Научные сотрудники Аналитического и технологического исследовательского центра «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» физического факультета НГУ, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Университета Лотарингии (Нанси, Франция) ...

... научных результатах и наиболее актуальных областях современной фундаментальной и прикладной квантовой физики. В Школе, организованой Институтом физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН при поддержке Российского научного фонда, приняло участие более 70 человек из вузов и НИИ Томска, Красноярска и Новосибирска. Участники ...

ОБЩЕЕ СОБРАНИЕ РАН Главная тема общего собрания — ... ... которые проводят и академические институты, и университеты, и ... ... которой мы сегодня собрались, имеет в сегодняшних условиях ... ... Важным достижением в области физики за прошлый год стало картографирование ... ... Ученые из Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова и МГУ имени М. В. Ломоносова ...

В перспективе устройство может стать бытовой альтернативой глюкометру. Роспатент включил разработку ... ... изобретений в медицине, запатентованных с 2023 года. Исследователи из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создают электронные гибкие сенсоры глюкозы, не требующие прокола ...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН моделируют электронную и атомную структуру, а также дефекты в диэлектриках, используемых в работе приборов резистивной и сегнетоэлектрической ...

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН прошел традиционный конкурс научных работ. Специалисты Института представили доклады по двум направлениям: «Фундаментальные исследования» ...

На торжественном заседании учёного совета, посвящённом шестидесятилетию Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, ведущие российские учёные, представители власти и промышленности рассказали о взаимодействии с НИИ, обозначили важнейшие достижения,...

Сотрудники Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН совместно с коллегами из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и других научных учреждений получили плёночные гетероструктуры на материалах имплантатов, состоящие из подслоя золота или ...

Что представляет собой физика полупроводников? Почему полупроводники всегда будут сохранять свою актуальность, несмотря ... ... Александром Латышевым, директором Института физики полупроводников Сибирского ... ... исполнилось 60 лет. Давайте вспомним, зачем он был создан. Что это ... ... апреля 1964 года. ― Почему А.В. Ржанова заинтересовало именно ...

... температур, а лавинный фотодиод, разработанный ИФП СО РАН, охлаждается с помощь миниатюрного элементах Пельтье при комнатной температуре. Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН ― научный центр, с опытом выполнения крупных академических и промышленно-ориентированных проектов, большим штатом высококвалифицированных ...

Сотрудники Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) разработали и создали плазмонный интерферометр терагерцевого диапазона — прибор, который с ... ... изучения оптических свойств металлов и полупроводников, на основе которых ... ... Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН). Но в целом наш интерферометр ...

Сотрудники Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) разработали прототипы мемристоров (элементов памяти) для матриц энергонезависимой памяти большого объёма, определили каким ...

Субтерагерцовый эллипсометр позволяет бесконтактным образом обнаруживать повреждения и дефекты ... ... Новосибирского государственного университета совместно с коллегами из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. В её основе лежит использование терагерцового излучения для бесконтактной ...

В январе исполнилось 85 лет ... ... технических наук, профессору. Он долгое время ... ... профсоюзной организации Института радиотехники и электроники РАН, в котором проработал ... ... Собравшиеся чествовали именинника, вспоминали ... ... электрофизических свойств полупроводников» в ... ... флагман отечественной физики, а остальные ... ... под руководством А. В. Ржанова, будущего академика ...

Сотрудники Национального исследовательского технологического университета «МИСиС», Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) и Объединённого института ядерных исследований (Дубна) получили стабильный материал, состоящий из графена и наноалмазов,...

В День российской науки девятиклассники Новосибирска и Краснообска побывали в лабораториях Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Школьники узнали о возможных героях электроники будущего – графене ...

Специалисты Института физики микроструктур РАН, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН создали микродисковый лазер с термоэлектрическим охлаждением для среднего инфракрасного (ИК) диапазона на основе полупроводниковых ...

На тридцатом новогоднем семинаре учёные Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Института цитологии и генетики СО РАН, Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, Института химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского ...

Работа большинства специалистов Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН связана с тонкими кристаллическими пленками ― их созданием, диагностикой, постростовыми процедурами. От поверхностных свойств таких ...

... государственного университета, Новосибирского государственного технического университета, Томского государственного университета, Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Института теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН. Лекторами Школы выступили ведущие ученые ИФП СО РАН, НГУ и Университета г. Авейро (Португалия)....

Развитие современных систем скоростной ... ... Сегодня существенная проблема, ограничивающая развитие таких систем — несовместимость материалов и технологий,... ... задача разработки новых типов полупроводниковых материалов,... ... Совместное исследование ученых Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Санкт-Петербургского ...

... государственного университета, Новосибирского государственного технического университета, Томского государственного университета, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН. Источник: пресс-служба ИФП СО РАН

... государственного университета, Сибирского федерального университета, Национального исследовательского центра «Курчатовский Институт», Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Института катализа имени Г. К. Борескова СО РАН. Источник: КНЦ СО РАН .

... молодых ученых — студенты и аспиранты Новосибирского государственного университета, Томского государственного университета, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН. Всего конференция собрала более 60 слушателей. Источник: пресс-служба ИФП СО РАН.

Учёные Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН обнаружили новые квантовые явления в транспорте электронов. Эффекты связаны с наблюдением и исследованием мезоскопических флуктуаций ...

Исследователи Института химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН и других институтов Сибирского отделения ... ... Международным томографическим центром, Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова и Институтом автоматики и электрометрии...

... организаций, в том числе Институт проблем машиноведения РАН, Московский институт электронной техники, Физико-технический институт им Иоффе РАН, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Сейчас объявлены следующие семь конкурсов РНФ в рамках стратегических инициатив Президента в научно-технологической сфере по направлению ...

Молодой ученый Института физики полупроводников РАН в процессе исследования квантовых ... ... впервые обнаружил необычный эффект обратимости их формирования. На пресс-конференции,... ... Новосибирском научном центре. Младший научный сотрудник, аспирант Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Ян Евгеньевич Майдэбура ...

Нобелевскую премию по химии в 2023 году присудили за открытие и исследование (синтез) квантовых точек. Лауреатами стали ... ... размеров. Чем они важны, объясняет заместитель директора по научной работе Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН доктор физико-математических наук Александр Германович Милёхин....

... установках молекулярно-лучевой эпитаксии, которые производит институт» , ― отметил Константин Певчих. Организатором «Фотоники-2023» выступил Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. На конференции собрались более 160 участников из Москвы, Санкт-Петербурга, Новосибирска, Екатеринбурга, Зеленограда, Томска и других городов,...

На круглом столе X Международного форума технологического развития «Технопром-2023» ведущие ученые обсудили ... ... производственных технологий. Заседание открыл директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН академик РАН Александр Васильевич Латышев...

Новые принципы развития партнерства инновационного бизнеса с ... ... новых подходах рассказали представители научного сообщества, крупных компаний, институтов развития. Директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП) СО РАН академик РАН Александр Латышев представил...

Исследователи из Института химической биологии и фундаментальной медицины (ИХБФМ) СО РАН и Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН разработали биосенсоры на структурах кремний на ...

... лаборатории нанодиагностики и нанолитографии ИФП СО РАН Алексей Петров ». Больше подробностей – в видеосюжете на сайте Youtube → Источник: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Разработка ученых Института физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) – апробированные кремниевые меры высоты и плоскостности – востребована среди производителей высокоточной измерительной ...

Прорыв в квантовых коммуникациях Российские ... ... новые материалы для решения задач современной и перспективной электроники,... ... вещей, но прежде всего от количества транзисторов – строительных блоков ... ... головным исполнителем которого стал Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской ...

95 лет назад, в феврале 1928 года в Москве Григорий Самуилович Ландсберг и Леонид Исаакович ... ... «Комбинационное рассеяние - 95» прошла с 5 по 9 июня 2023 года в Новосибирске на базе Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН и технопарка новосибирского Академгородка. Главная цель мероприятия ...